峰背比

峰背比

峰背比=(P/B):特徵X射線的強度與背底強度之比稱為峰背比P/B,在進行高精度分析時,希望峰背比P/B高,按照札盧澤克(Zaluzec)理論,探測到的薄膜試樣中元素的X 射線強度N。

基本介紹

  • 中文名:峰背比
  • 屬性:化學術語
特性
稱峰底(本底)比x射線螢光光譜分析時,所測定的譜峰強度值1,)與背景(本底)強度值(jn)之比,即IIf v,
峰/背比(P/B):特徵X射線的強度與背底強度之比稱為峰背比P/B,在進行高精度分析時,希望峰背比P/B高.按照札盧澤克(Zaluzec)理論,探測到的薄膜試樣中元素的X 射線強度N 的表示式如下:
N=(IσωpN0ρCtΩ)/4επM
式中:
I——入射電子束強度;σ——離化截面;ω——螢光產額;
p——關注的特徵X射線產生的比值;N0——阿弗加德羅常數;ρ——密度
C——化學組成(濃度)(質量分數,%);t——試樣厚度;Ω——探測立體角;
ε——探測器效率;M——相對原子質量.
如果加速電壓增高,產生的特徵X 射線強度稍有下降,但是,來自試樣的背底X射線卻大大減小,結果峰背比P/B 提高了.

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