峰背比

峰背比=(P/B)：特徵X射線的強度與背底強度之比稱為峰背比P/B,在進行高精度分析時，希望峰背比P/B高，按照札盧澤克(Zaluzec)理論，探測到的薄膜試樣中元素的X 射線強度N。

基本介紹

• 中文名：峰背比
• 屬性：化學術語

特性

稱峰底(本底)比x射線螢光光譜分析時，所測定的譜峰強度值1,)與背景(本底)強度值(jn)之比，即IIf v,

峰/背比(P/B)：特徵X射線的強度與背底強度之比稱為峰背比P/B,在進行高精度分析時,希望峰背比P/B高.按照札盧澤克(Zaluzec)理論,探測到的薄膜試樣中元素的X 射線強度N 的表示式如下：

N=(IσωpN0ρCtΩ)/4επM

式中：

I——入射電子束強度；σ——離化截面；ω——螢光產額；

p——關注的特徵X射線產生的比值；N0——阿弗加德羅常數；ρ——密度；

C——化學組成（濃度）（質量分數,%）；t——試樣厚度；Ω——探測立體角；

ε——探測器效率；M——相對原子質量.

如果加速電壓增高,產生的特徵X 射線強度稍有下降,但是,來自試樣的背底X射線卻大大減小,結果峰背比P/B 提高了.