寬頻隙立方氮化硼薄膜半導體材料的製備及特性研究

《寬頻隙立方氮化硼薄膜半導體材料的製備及特性研究》是依託蘭州大學，由宋志忠擔任項目負責人的青年科學基金項目。

基本介紹

• 中文名：寬頻隙立方氮化硼薄膜半導體材料的製備及特性研究
• 依託單位：蘭州大學
• 項目負責人：宋志忠
• 項目類別：青年科學基金項目
• 負責人職稱：講師
• 批准號：59202021
• 研究期限：1993-01-01 至 1995-12-31
• 申請代碼：E0207
• 支持經費：4.5（萬元）

項目摘要

用熱絲輔助射頻電漿化學汽相沉積和微波化學汽相沉積法，通過分解氮氣、氨氣、硼烷和氫氣等反慶氣體、在矽、金剛石薄膜，鎳鈷等襯底上，製備出較高質量的立方氮化硼薄膜。通過研究發現，氨氣比氮氣更適合作為化學汽相沉積法製備立方氮化硼薄膜的氮源；射頻與直流偏壓對立方氮化硼晶粒定向生長特性有影響，立方氮化硼薄膜具有（220）晶向的擇優聚向生長特徵；氫電漿對非方氮化的硼相具有刻蝕作用；首次觀察到矽襯底上沉積的形狀規則的立方氮化硼晶粒形貌，確定了立方氮化硼膜與矽襯底間存在一個氮化矽的過渡層；研究確定了鎳，鈷等材料的化合物對立方氮化硼生成有催化作用；用電導測量法研究了立方氮化大硼薄膜的電導率隨溫度的變化關係。