《寬頻隙立方氮化硼薄膜肖特基接觸和場效應管研究》是依託北京工業大學，由鄧金祥擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：寬頻隙立方氮化硼薄膜肖特基接觸和場效應管研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：鄧金祥
- 依託單位：北京工業大學
- 批准號：60876006
- 申請代碼：F0401
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2009-01-01 至 2011-12-31
- 支持經費：33（萬元）
項目摘要
金剛石和立方氮化硼（c-BN）作為寬頻隙半導體薄膜材料，在高溫半導體器件和光電子技術領域有著廣闊的套用前景。就目前技術來看，雖然製作金剛石膜的水平較高，但實踐證明：金剛石很難實現n型摻雜。這就使得金剛石在電子學領域的套用前景受到限制。若要實現寬頻隙薄膜材料在高溫半導體器件和光電子技術領域的套用，則寄希望於c-BN薄膜。目前，我們已經實現了c-BN薄膜的n型和p型摻雜，這為開展c-BN薄膜的肖特基接觸和場效應管的研製工作打下了良好的基礎。從目前已有的文獻看，目前國內外尚未有人開展c-BN薄膜場效應管的研究工作，我們認為開展該研究工作是必要的，將為c-BN薄膜進入電子學套用領域開闢道路。本課題研究c-BN薄膜肖特基接觸和肖特基勢壘場效應管的製備及相關物理問題，將在國內外首次獲得c-BN薄膜場效應管，研究它的伏安特性和場效應遷移率，並研究界面態對肖特基勢壘高度和場效應管伏安特性的影響。
