基本介紹
- 中文名:寬禁帶半導體材料
- 外文名:Wide bandgap semiconductor material
- 歸類:第三代半導體材料
- 評定標準:Eg大於或等於2.3eV
- 包括:金剛石、SiC、GaN等
- 禁頻寬度:在2.3eV及以上
由於具有比矽寬得多的禁頻寬度,寬禁帶半導體材料一般都具有比矽高得多的臨界雪崩擊穿電場強度和載流子飽和漂移速度、較高的熱導率和相差不大的載流子遷移率,因此,...
寬禁帶半導體材料與器件教育部重點實驗室(西安電子科技大學),經過3年邊建設邊開放,取得了以下顯著成就:實驗室在寬禁帶半導體材料生長、表征、改性、寬禁帶半導體器件...
廣東高校寬禁帶半導體材料與器件工程技術研究中心是2009年由廣東省教育廳、中山大學雙方共建。工程技術研究中心批准建設日期為2009年12月22日,經過將近兩年的建設,工程...
北京大學寬禁帶半導體研究中心是2001年由物理學院的Ⅲ族氮化物半導體研究組、微腔物理和微結構光子學組和化學學院的固體化學材料研究組聯合組建的跨學科研究中心。...
《寬禁帶半導體電力電子器件及其套用》是2009年機械工業出版社出版的圖書,作者是陳治明。...
寬禁帶半導體與微納電子學創新引智基地是西安電子科技大學建設的5個111計畫學科創新引智基地之一(智慧型信息處理科學與技術學科創新引智基地、現代無線信息網路基礎理論與...
沈波,1963年7月出生於江蘇省揚州市,教授、博士生導師、長江學者、國家傑出青年基金獲得者,現任北京大學物理學院副院長、寬禁帶半導體研究中心副主任。...
碳化矽、氮化鎵、氧化鎵和金剛石等寬禁帶半導體材料,是世界各國競相發展的戰略性、先導性領域,廣泛套用於半導體照明、5G通訊、高端裝備和新能源等產業。為加快發展寬...
寬頻隙半導體技術國家重點學科實驗室依託西安電子科技大學,是在寬禁帶半導體材料與器件教育部重點實驗室的基礎上,2007年國家批准建設的國家級重點實驗室,2008年實驗室...
《半導體材料技術》較為詳細地介紹了以矽、鍺為代表的第一代半導體材料,以砷化鎵和磷化銦為代表的第二代半導體材料,以耐高溫化合物為代表的寬禁帶第三代半導體材料...
在能帶結構中能態密度為零的能量區間。常用來表示價帶和導帶之間的能態密度為零的能量區間。禁帶寬度的大小決定了材料是具有半導體性質還是具有絕緣體性質。半導體的...
重點研究低維半導體結構材料(量子阱、量子線和量子點材料)、光電功能集成晶片材料、寬禁帶半導體材料、半導體光伏材料、半導體納米糰簇材料、自旋電子材料、特種薄膜材料...
蔣陽,男,合肥工業大學材料學院副院長,無機與粉末材料系教授。中文名 蔣陽 出生...4. 國家自然科學基金“摻雜和多元非整比的寬禁帶半導體化合物的合成反應,納米...
是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在...是製作微波器件的優先材料;GaN較寬的禁帶寬度(3.4eV) 及藍寶石等材料作襯底,...
氧化鎵的別名是三氧化二鎵,氧化鎵(Ga2O3)是一種寬禁帶半導體,Eg=4.9eV,其導電性能和發光特性長期以來一直引起人們的注意。Ga2O3是一種透明的氧化物半導體材料,...
3)國家重點基礎研究發展計畫課題:寬禁帶半導體納米材料的LAL電子結構調控與紫外光電性質研究(2014CB931702),2014.01-2018.12,550萬,主持。...
如在寬禁帶半導體材料(如Ⅱ-Ⅵ族化合物材料和氮化物)以及下面要更詳細討論的半導體量子阱等低維結構中,激子束縛能一般比較大,即使在室溫下,激子束縛能也比kT大...