基本介紹
- 中文名:套刻標識
- 外文名:overlay mark
晶圓上專門用來測量套刻誤差的圖形被稱為套刻標識。測量套刻誤差的圖形在設計掩模時已經被放置在了指定的區域,通常是在曝光區域的邊緣,又叫“scribeline”或“kerf”區域。最簡單的套刻標識是所謂的套疊方框圖形(fra...
晶圓上專門用來測量套刻誤差的圖形被稱為套刻標識。測量套刻誤差的圖形在設計掩模時已經被放置在了指定的區域,通常是在曝光區域的邊緣,又叫“scribeline”或“kerf”區域。最簡單的套刻標識是所謂的套疊方框圖形(frame-in-frame),...
光刻機的對準系統還可以接受外部輸入的參數,對曝光位置做進一步的校正。先進光刻機要求有極高的對準精度,而對準精度(alignment precision, AP)與所需要測量的對準標記數目(N)成反比,即測量的標識越多,所能達到的對準精度越高。圖1...