《太陽能電池用矽單晶》(GB/T 25076-2018)是2019年6月1日實施的一項中國國家標準,歸口於全國半導體設備和材料標準化技術委員會。
《太陽能電池用矽單晶》(GB/T 25076-2018)規定了太陽能電池用矽單晶(簡稱矽單晶)的牌號、分類、要求、試驗方法、檢驗規則以及標誌、包裝、運輸、貯存、質量證明書和訂貨單(或契約)內容。該標準適用於直拉摻雜製備的圓形矽單晶經加工製成的準方形或方形矽單晶。產品經切割成矽片後進一步製作太陽能電池。
基本介紹
- 中文名:太陽能電池用矽單晶
- 外文名:Monocrystalline silicon for solar cell
- 標準號:GB/T 25076-2018
- 中國標準分類號:H82
- 標準類別:產品
- 國際標準分類號:29.045
- 發布日期:2018-09-17
- 實施日期:2019-06-01
- 全部代替標準:GB/T 25076-2010
- 歸口單位:全國半導體設備和材料標準化技術委員會
- 執行單位:全國半導體設備和材料標準化技術委員會
- 主管部門:中國國家標準化管理委員會
- 性質:推薦性國家標準
- 狀態:現行
制定過程
編制進程
修訂依據
修訂情況
- 將標準名稱《太陽電池用矽單品》修改為《太陽能電池用矽單品》;
- 修改了適用範圍,將“適用於直拉摻雜製備的地面空間太陽電池用矽單品”改為“適用於直拉摻雜製備的圓形矽單品經加工成的準方形或方形矽單晶。產品用於切割成矽片後進一步製作地面太陽能電池”;
- 增加了引用檔案GB/T1551、GB/T14844、GB/T26068、GB/T32651及YS/T28、YS/T679,刪除了GB/T1552、GB/T1553、SEMI ME1535;
- 將2010年版中第4章技術分類中的4.1分類和4.2規格單獨列為一章,即增加了“第4章牌號及分類”;將按外形分類由原來的圓形和準方形;
- 改為準方形和方形;刪除了圓形矽單品規格,增加了方形矽單晶的規格;
- 刪除了圓形矽單晶的尺寸要求,修改了準方形矽單晶的端面尺寸要求,增加了方形矽單品的端面尺寸要求將垂直度單列為一條,並增加了“準方形或方形矽單品的端面垂直度應不大於1mm”的要求;
- 電阻率範圍下限由0.5Ω·cm改為P型0.Ω·cm、N型0.1Ω·cm;
- 修改了矽單品的間隙氧含量要求,由小於1.3×10atoms/cm3改為P型應不大於1.1×10atoms/cm3,N型應不大於1.0××10atoms/cm3,或由供需雙方協商確定;
- 晶體完整性中增加了無滑移位錯的要求;
- 增加了矽單晶的體金屬含量的要求;
- 增加了表面質量的要求;
- 增加了體金屬和表面質量的試驗方法、檢驗項目及檢驗結果判定的內容;
- 將取樣和抽樣合併改為表格的形式。
起草工作
標準目次
前言 | Ⅰ |
---|---|
1範圍 | 1 |
2規範性引用檔案 | 1 |
3分類 | 1 |
4牌號及分類 | 1 |
5要求 | 2 |
6試驗方法 | 4 |
7檢驗規則 | 5 |
8標誌、包裝、運輸、貯存和質量證明書 | 6 |
9訂貨單(或契約)內容 | 7 |
內容範圍
引用檔案
GB/T 1550 非本徵半導體材料導電類型測試方法 GB/T 1551 矽單晶電阻率測定方法 GB/T 1554 矽品體完整性化學擇優腐蝕檢驗方法 GB/T 1555 半導體單品品向測定方法 GB/T 1557 矽品體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法 GB/T 1558 矽中代位碳原子含量紅外吸收測量方法 GB/T6616半導體矽片電阻率及矽薄膜薄層電阻測試方法非接觸渦流法 GB/T 11073 矽片徑向電阻率變化的測量方法 GB/T 14140 矽片直徑測量方法 | GB/T 14264 半導體材料術語 GB/T 14844 半導體材料牌號表示方法 GB/T 26068 矽片載流子複合壽命的無接觸微波反射光電導衰減測試方法 GB/T 32651 採用高質量解析度輝光放電質譜法測量太陽能級矽中痕量元素的測試方法 YS/T 28 矽片包裝 YS/T 679 本徵半導體中少數載流子擴散長度的穩態表面光電壓測試方法 |