太比特乙太網

太比特乙太網Terabit Ethernet,縮寫TbE)是指速度超過100吉比特乙太網(100 Gbit/s)的乙太網400吉比特乙太網400G400GbE)和200吉比特乙太網200G200GbE)標準由電氣電子工程師學會P802.3bs工作組制定,採用類似100吉比特乙太網的廣泛技術,已於2017年12月6日獲得批准。在2016年,多家網路設備供應商已經為200G和400G乙太網提供專有解決方案。

截至2018年1月,尚無超過400 Gbit/s的IEEE技術路線——這可能在2020年以後才會出現,但當單信道100 GbE鏈路可用時,預計會出現800 GbE。此種技術可能會允許更大的信道捆綁,可能通過10或16個信道提供1 TbE或1.6 TbE的線路。

基本介紹

  • 中文名:太比特乙太網
  • 外文名:Terabit Ethernet
  • 縮寫:TbE
  • 定義:速度超過100 Gbit/s的乙太網
  • 標準制定:由電氣電子工程師學會制定
  • 學科:電信工程
歷史,研發,802.3bs項目目標,802.3cd 200 Gb / s項目目標,

歷史

FacebookGoogle以及其他公司已表示需要太比特乙太網。現有技術可以實現400 Gbit/秒的速度,而1 Tbit/秒(1000 Gbit/秒)則可能需要不同的技術。於是,在2012年9月舉行的IEEE工業連線高速乙太網共識小組會議上,400 GbE被選中作為下一代目標。2016年1月還增加了200 GbE作為目標。
加利福尼亞大學聖塔芭芭拉分校(UCSB)吸引到了安捷倫科技、Google英特爾、羅克韋爾柯林斯以及威訊的幫助,來幫助研發下一代乙太網。
截至2016年早期,來自思科、Juniper和其他主要製造商的基於機箱/模組化的核心路由器平台支持每個插槽400 Gbit/秒的全雙工數據速率。目前已有一個、兩個和四個連線埠的100 GbE和一個連線埠400 GbE的線路卡,預計在802.3cd標準被批准後將有200 GbE線路卡出現。

研發

IEEE已組成“IEEE 802.3 Industry Connections Ethernet Bandwidth Assessment Ad Hoc”來調查短期和長期的業務頻寬需求。
IEEE 802.3的“400 Gb/s乙太網研究組”於2013年3月開始制定400 Gbit/s標準。研究組成果於2014年3月27日公布並被批准。隨後,IEEE 802.3bs工作組開始努力為數種鏈路距離提供物理層規範。
IEEE P802.3bs標準於2017年12月6日獲得批准並線上發布。

802.3bs項目目標

萬兆乙太網以來的所有速度一樣,該標準僅支持全雙工操作。其他目標包括:
  1. 支持400 Gbit / s和200 Gbit / s的MAC數據速率
  2. 使用乙太網MAC保留乙太網幀格式
  3. 保留當前乙太網標準的最小和最大尺寸
  4. 定義支持以下鏈路距離的物理層規範:
  5. 在單模光纖(200GBASE-DR4)上使用四根平行光纖,每根光纖的速度為50Gbit / s,至少可達500m
  6. 在使用四個並行波長(CWDM)的單模光纖(200GBASE-FR4)至少2公里處,每個波長為50 Gbit / s
  7. 在單模光纖(200GBASE-LR4)上使用四個並行波長(CWDM),每個在50Gbit / s
  8. 四通道和八通道晶片到晶片/晶片到模組電氣接口(200GAUI-4和200GAUI-8)
  9. 多模光纖(400GBASE-SR16)上至少有100米,使用16個並行的光纖,每條光纖在25 Gbit / s
  10. 至少為500m以上單模光纖利用光纖的四個平行線股各在100 Gbit / s的(400GBASE-DR4)
  11. 在單模光纖(400GBASE-FR8)上使用8個並行波長(CWDM),每個波長為50 Gbit / s,至少2公里
  12. 在使用8個並行波長(CWDM)的單模光纖(400GBASE-LR8)上至少有10km的距離,每個波長為50Gbit / s
  13. 8和16通道晶片到晶片/晶片到模組電氣接口(400GAUI-8和400GAUI-16)
  14. 400 Gbit / s乙太網
  15. 200 Gbit / s乙太網
  16. 支持10誤碼(BER),這是對10GbE,40GbE和100GbE規定的10BER的改進。
  17. 支持OTN(光傳輸網路之間的乙太網傳輸),以及對節能乙太網(EEE)的可選支持。

802.3cd 200 Gb / s項目目標

  • 定義四通道200 Gb / s PHY用於以下操作:
  • 銅雙軸電纜長度至少3米(200GBASE-CR4)。
  • 印刷電路板背板,13.28125 GHz(200GBASE-KR4)的總通道插入損耗<= 30dB。
定義200 Gb / s的PHY在MMF上運行,長度至少為100m(200GBASE-SR4)。

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