入射電子射向物質時，會多次受到物質中多個電子或原子核的散射（即多次散射），從而使得入射電子在遭到多次碰撞以後，其在各個方向上的散射機率趨於一致。由於散射截面與原子序數的平方成正比，因而對於輕元素，其散射的機率要小於重元素。
基本介紹
- 中文名：多重散射
- 別稱：多次散射
- 作用：散射的機率要小於重元素
- 原理：散射截面與原子序數的平方成正比
晶體原子對能量低於500eV的電子具有很大的散射截面,這是低能電子的 一個重要特點.低能入射電子在經受彈性或非彈性散射之前,貫穿深度是不可能很深的.背散射電子中絕大部分是被表面或表面附近的原子散射回來的.這就使低能電子衍射成為研究表面結構的一種重要手段.但是正由於晶體原子對低能電子散射的截面很大,使得電子在離開晶體前經受多於一次散射的幾率很大,我們稱這種現象為電子的多重散射.由於多重散射使得低能電子衍射在結構分析中變得相當複雜,至今還不能唯一地根據低能電子衍射數據來確定晶體表面的原子排列.
多重散射能譜圖
低能離子散射在確定表面結構,也就是在原子尺度範圍內確定被吸附原子的彼此相對位置時,也是一種重要的工具,在低能離子散射中,也有個多重散射的問題,人們可以通過多重散射的測量,也就是測量那些與多於一個表面原子發生相互作用的反射離子來獲得有關表面的一些信息.如圖表示一組從Cu(410)表面散射的K離子能譜,在所有能譜中,均可觀察到三個峰值,左邊的峰是由靶表面反衝出來的銅離子引起的,中間的峰是由鉀離子在銅原子上散射引起的,高能峰是由鉀離子的多重散射引起的.
