《多晶矽發射極電晶體及其積體電路》是1992年科學出版社出版的圖書，作者是王陽元。
基本介紹
- 書名：多晶矽發射極電晶體及其積體電路
- 作者：王陽元
- ISBN：7030033558
- 出版社：科學出版社
- 出版時間：1992年3月
內容簡介,圖書目錄,
內容簡介
本書收論文41篇，分為綜述、理論模型、實驗研究、工藝技術套用4部分。
圖書目錄
目錄
綜述
雙極技術發展趨勢
多晶矽發射極雙極電晶體的理論和實驗
亞微米與亞半微米雙極技術
理論模型
SIS隧道發射：薄界面層發射區理論
發射極接觸對矽雙極器件電流增益的影響
界面層在多晶矽發射極雙極電晶體中的作用
多晶矽發射極雙極電晶體的解析和數值綜合模型
多晶矽發射區的熱離子發射-擴散模型
不連續類氧化層界面多晶矽發射極電晶體理論模型
多晶矽發射區中的少數載流子注入理論
實驗研究
砷注入多晶矽發射極高性能電晶體
多晶矽發射極電晶體實驗結果和理論結果的比較
具有薄界面氧化層的多晶矽發射極的電導機制
具有多晶矽隧道結髮射區接觸的高增益雙極電晶體
少數載流子在多晶矽/單晶矽界面傳輸的實驗研究
多晶矽發射極雙極電晶體中增益的增強和基區摻雜之間折衷關係的研究
多子和少子在多晶矽發射區接觸中的傳輸
砷和磷摻雜的多晶矽發射極電晶體的發射極電阻
人為生長界面氧化層的多晶矽發射極電晶體的發射極電阻與電流增益的折衷關係研究
多晶矽接觸的n<sup>﹢</sup>-p結中界面的擴散勢壘和電學勢壘的關係
超大規模積體電路中雙極電晶體多晶矽發射極接觸的物理、技術和模型
砷和磷摻雜多晶矽發射極雙極電晶體實驗結果與計算結果的比較
薄界面氧化層對矽雙極器件電學性能的影響
多晶矽發射極雙極電晶體中界面氧化層熱穩定性的研究
多晶矽薄膜氧化動力學
積體電路中多晶矽薄膜載流子遷移率的實驗研究和理論模型
多晶矽發射極接觸雙極電晶體的發射區和基區渡越時間
工藝技術與套用
一種先進的高性能溝槽隔離自對準雙極技術
採用硼砷多晶矽工藝的高速雙極技術的工藝和器件特性
HE工藝：一種用於模擬和數字電路的先進溝槽隔離雙極技術
以ZrN作掩模和用SF<sub>6</sub>作反應氣體的深槽刻蝕工藝
先進高性能ECL電路中溝槽隔離電容按比例縮小性質的研究
BSA：基區結深小於0.1μm的雙極電晶體技術
先進的自對準雙極電晶體的穿通特性
先進窄發射區雙極電晶體的尺寸縮小對瞬態特性的影響
採用超自對準工藝技術製作30ps的矽雙極積體電路
雙極VLSI中的自對準多晶矽發射極電晶體
單層多晶矽自對準基極和亞微米發射極接觸的高速雙極技術
縱向隔離自對準電晶體——VIST
3GHz的橫向pnp電晶體
73GHz自對準鍺矽基區和磷摻雜多晶矽發射極雙極電晶體
