《積體電路工藝和器件的計算機模擬——IC TCAD技術概論》是2007年出版的書籍，作者是阮剛。
積體電路工藝和器件的計算機模擬——IC TCAD技術概論
作者：阮剛 編著
定價：36.00元
頁數：316頁
ISBN：978-7-309-05364-7/T.309
字數：376千字
開本：小16 開
裝幀：平裝
出版日期：2007年3月
內容提要
積體電路工藝和器件的計算機模擬，國際上也稱作IC TCAD，是少數幾種有能力縮減積體電路開發周期和研製費用的技術之一．
本書以介紹積體電路工藝和器件的模擬器為主線，概論IC TCAD技術早期的可實用的成果、隨後的多方面發展、當今的研究進展和商用化現狀，以及近期和遠期的困難挑戰和能力需求．
本書適用於大學微電子或其他相關專業的碩士/博士研究生或高年級本科生作教材或教學參考書．本書作為一本IC TCAD技術的入門書，也適用於有需要或有興趣在IT領域工作的研發、生產和管理人員．
目 錄
前言
第一章 引言
§1．1 模擬和積體電路模擬簡釋
1．1．1 模擬
1．1．2 積體電路模擬
§1．2 lC工藝和器件模擬簡介
1．2．1 IC工藝模擬
1．2．2 IC器件模擬
§1．3 本書的內容安排及特點
第二章 積體電路的工藝模擬
§2．1 SUPREM概述
§2．2 SUPREM-2概述
§2．3 SUPREM-2的工藝模型
2．3．1 離子注入模型
2．3．1．1 簡單的對稱高斯分布
2．3．1．2 兩個相聯的半高斯分布
2．3．1．3 修改過的：PearsonⅣ分布
2．3．1．4 矽表面有二氧化矽層時對射程的修正
2．3．1．5 熱退火對注入雜質分布的影響
2．3．2 熱加工時雜質遷移模型
2．3．2．1 擴散方程
2．3．2．2 非本徵情況下的擴散係數
2．3．2．3 矽中存在其他高濃度雜質時對雜質擴散分布的影響
2．3．2．4 磷的擴散遷移模型
2．3．2．5 氧化增強擴散
2．3．2．6 界面流量
2．3．2．7 產生和損失機構——砷的擴散遷移模型
2．3．3 熱氧化模型
2．3．3．1 Deal-Grove熱氧化生長公式
2．3．3．2 高矽表面摻雜濃度對矽氧化速率的影響
2．3．3．3 增量形式的熱氧化生長公式
2．3．4 矽外延模型
§2．4 SUPREM-2中幾個電參數的計算
2．4．1 薄層電阻計算
2．4．2 MOS閾值電壓計算
§2．5 SUPREM-2的使用和套用例舉
2．5．1 SUPREM-2的使用
2．5．2 SUPREM-2的套用例舉
2．5．2．1 SUPREM-2套用例舉一 CMOS P阱模擬
2．5．2．2 SUPREM-2套用例舉二 斯坦福配套元件晶片工藝
§2．6 SUPREM-3
2．6．1 SUPREM-3的離子注入模型
2．6．2 SUPREM-3的熱氧化模型
2．6．3 SUPREM-3的雜質擴散模型
2．6．3．1 SUPREM-3執行的非氧化情況下的雜質擴散模型
2．6．3．2 SUPREM-3執行的氧化表面情況下的雜質擴散模型
2．6．3．3 SUPREM-3執行的為其他材料的雜質擴散和分凝模型
2．6．4 SUPREM-3的矽外延模型
2．6．5 多晶矽模型
2．6．6 SUPREM-3中的電性能計算
2．6．7 SUPREM-3的使用和套用例舉
2．6．7．1 SUPREM-3的使用
2．6．7．2 SUPREM-3的套用例舉一 矽柵NMOS工藝
2．6．7．3 SUPREM-3的套用例舉二 摻雜多晶矽發射極雙極型電晶體
§2．7 SUPREM-4
2．7．1 SUPREM-4的離子注入模型
2．7．1．1 解析離子注入模型
2．7．1．2 Monte Carlo離子注入模型
2．7．2 SUPREM-4的雜質擴散模型
2．7．3 SUPREM-4的氧化模型
2．7．3．1 一維氧化模型
2．7．3．2 二維氧化模型
2．7．4 SUPREM-4的其他工藝模型和電參數計算模型
2．7．5 SUPREM-4的使用和套用例舉
2．7．5．1 SUPREM-4的使用
2．7．5．2 SUPREM-4的套用例舉一 矽的局部氧化工藝的二維模擬
2．7．5．3 SUPREM-4的套用例舉二 CMOS中NMOs管的製造工藝模擬
前言
第一章 引言
§1．1 模擬和積體電路模擬簡釋
1．1．1 模擬
1．1．2 積體電路模擬
§1．2 lC工藝和器件模擬簡介
1．2．1 IC工藝模擬
1．2．2 IC器件模擬
§1．3 本書的內容安排及特點
第二章 積體電路的工藝模擬
§2．1 SUPREM概述
§2．2 SUPREM-2概述
§2．3 SUPREM-2的工藝模型
2．3．1 離子注入模型
2．3．1．1 簡單的對稱高斯分布
2．3．1．2 兩個相聯的半高斯分布
2．3．1．3 修改過的：PearsonⅣ分布
2．3．1．4 矽表面有二氧化矽層時對射程的修正
2．3．1．5 熱退火對注入雜質分布的影響
2．3．2 熱加工時雜質遷移模型
2．3．2．1 擴散方程
2．3．2．2 非本徵情況下的擴散係數
2．3．2．3 矽中存在其他高濃度雜質時對雜質擴散分布的影響
2．3．2．4 磷的擴散遷移模型
2．3．2．5 氧化增強擴散
2．3．2．6 界面流量
2．3．2．7 產生和損失機構——砷的擴散遷移模型
2．3．3 熱氧化模型
2．3．3．1 Deal-Grove熱氧化生長公式
2．3．3．2 高矽表面摻雜濃度對矽氧化速率的影響
2．3．3．3 增量形式的熱氧化生長公式
2．3．4 矽外延模型
§2．4 SUPREM-2中幾個電參數的計算
2．4．1 薄層電阻計算
2．4．2 MOS閾值電壓計算
§2．5 SUPREM-2的使用和套用例舉
2．5．1 SUPREM-2的使用
2．5．2 SUPREM-2的套用例舉
2．5．2．1 SUPREM-2套用例舉一 CMOS P阱模擬
2．5．2．2 SUPREM-2套用例舉二 斯坦福配套元件晶片工藝
§2．6 SUPREM-3
2．6．1 SUPREM-3的離子注入模型
2．6．2 SUPREM-3的熱氧化模型
2．6．3 SUPREM-3的雜質擴散模型
2．6．3．1 SUPREM-3執行的非氧化情況下的雜質擴散模型
2．6．3．2 SUPREM-3執行的氧化表面情況下的雜質擴散模型
2．6．3．3 SUPREM-3執行的為其他材料的雜質擴散和分凝模型
2．6．4 SUPREM-3的矽外延模型
2．6．5 多晶矽模型
2．6．6 SUPREM-3中的電性能計算
2．6．7 SUPREM-3的使用和套用例舉
2．6．7．1 SUPREM-3的使用
2．6．7．2 SUPREM-3的套用例舉一 矽柵NMOS工藝
2．6．7．3 SUPREM-3的套用例舉二 摻雜多晶矽發射極雙極型電晶體
§2．7 SUPREM-4
2．7．1 SUPREM-4的離子注入模型
2．7．1．1 解析離子注入模型
2．7．1．2 Monte Carlo離子注入模型
2．7．2 SUPREM-4的雜質擴散模型
2．7．3 SUPREM-4的氧化模型
2．7．3．1 一維氧化模型
2．7．3．2 二維氧化模型
2．7．4 SUPREM-4的其他工藝模型和電參數計算模型
2．7．5 SUPREM-4的使用和套用例舉
2．7．5．1 SUPREM-4的使用
2．7．5．2 SUPREM-4的套用例舉一 矽的局部氧化工藝的二維模擬
2．7．5．3 SUPREM-4的套用例舉二 CMOS中NMOs管的製造工藝模擬
