場致發射方法

場致發射方法是利用強電場導致導體表面向真空(或絕緣體)發射電子的方法。在場致發射過程中，電子藉助隧道效應穿透表面勢壘而逸出，通常稱為冷發射。隨著溫度的升高，發射機率將明顯增加。近年來，又發展了一種極有套用前景的器件——微區電子管，在小型化和集成化等方面可與矽積體電路相媲美。

藉助於這一方法可對各種表面效應進行詳盡的分析，也可製備冷陰極電子管等器件。該法的利用還產生了場致發射顯微技術，解析度可達20埃。