《納米結構場致電子發射理論研究》是依託中山大學，由李志兵擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：納米結構場致電子發射理論研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：李志兵
- 依託單位：中山大學
- 批准號：10674182
- 申請代碼：A2004
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2007-01-01 至 2009-12-31
- 支持經費：38（萬元）
中文摘要
本項目的研究對象是下一代真空電子源核心部件、納米尺度場致電子發射頭的物理現象和工作原理。我們感興趣的是具有準一維結構的碳納米管、各種納米線和納米厚度的超薄薄膜在場致電子發射過程中顯示出來的特異性質和理論問題，包括發射電流和能量分布的量子特性、發射電子的相干性及其控制、跨尺度和跨維度電子轉移問題、強驅動電場下的電子非平衡輸運等。在理論計算方面，我們已經摸索出一套適用於多尺度系統的量子/經典混合計算方法。這個方法還有很大的改進餘地，可望在本項目中得到完善。在納米非晶薄膜中考慮電子關聯，可望解釋現有相關實驗。所選研究題目和依託單位的相關實驗有緊密聯繫。對納米結構場致電子發射物理機制的研究，可以對場致發射器件的設計和最佳化提供理論依據。場致電子發射可以反映原子水平的電子結構。通過理論和實驗的對比，可以深化我們對多尺度結構中的原子水平的電子狀態和運動規律的認識。
