基本介紹
- 中文名:場效應
- 外文名:field effect
- 主要套用:場效應管
化學定義
相關知識
影響因素
基團效應
幾何關係
其他領域套用
(2)場效應管的控制輸入端電流極小,因此它的輸入電阻(107~1012Ω)很大。
(3)它是利用多數載流子導電,因此它的溫度穩定性較好;
(4)它組成的放大電路的電壓放大係數要小於三極體組成放大電路的電壓放大係數;
(5)場效應管的抗輻射能力強;
(6)由於它不存在雜亂運動的電子擴散引起的散粒噪聲,所以噪聲低。
化學中的場效應(Field effect,記作F)是指通過空間的分子內靜電作用,即某取代基在空間產生一個電場,它對另一處的反應中心發生影響。場效應,場效應的作用方向與...
場效應電晶體(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型:結型場效應管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管(metal-oxide ...
晶體場理論是計算離子能級的一種有效方法,在物理,化學,礦物學,雷射光譜學以及順磁共振中有廣泛套用。...
場效應治療儀,是一種利用低頻電流同時具有漏磁的渦流電場、交變電場、線圈互感在肌體內感應的渦流電場和紅外線輻射來治療肩周炎、腰肌勞損等疾病的家用理療儀器。場...
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應電晶體,簡稱金氧半場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。...
場效應三極體,稱單極型三極體,依靠一種極性的載流子(多數載流子)參與導電。...... 場效應三極體,稱單極型三極體,依靠一種極性的載流子(多數載流子)參與導電。...
強場效應是由多光子電離過程產生,是指當電場E>Ed(103V/cm)時,μ不在是一個常數,vd隨著E的增大而趨於一個定值(飽和漂移速度),此時歐姆定律不再成立。...
MOS場效應管即金屬-氧化物-半導體型場效應管,英文縮寫為MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor,即金屬氧化物合成半導體的場效應電晶體),屬於絕緣...
金屬半導體場效應管(英語:metal semiconductor field effect transistor, MESFET),簡稱金半場效應管,是一種在結構上與結型場效應管類似,不過它與後者的區別是這種場...
場效應管放大器(英語:FET amplifier)是一種使用場效應管(field-effect transistor (FET))的放大器。在放大器套用中,場效應管的主要優點是它能提供非常高的輸入...
場效應生物感測器field effeca hin}n,c}r將生物技術與電晶體工藝結合而產生的第三代生物感測器。離子選擇性場效應電晶體( ISFET?是最早研製的、超小型、測定生物...
結型場效應電晶體(Junction Field-Effect Transistor,JFET)JFET是在同一塊N形半導體上製作兩個高摻雜的P區,並將它們連線在一起,所引出的電極稱為柵極g,N型...
雙柵場效應管有一個源極、一個漏極和兩個柵極,在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化矽絕緣層,因此具有很高的輸入電阻,其中兩個柵極是互相獨立的,使得它可以用來作...
電力場效應管又名電力場效應電晶體分為結型和絕緣柵型,通常主要指絕緣柵型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET),簡稱電力MOSFET(Power MOSFET),結型電力場...
場效應管生物感測器(field effect transistor biosensor),又稱半導體生物感測器(semiconductive biosensor),或生物場效應電晶體感測器[field-effect transistor(FET) ...
絕緣柵型場效應管(IGFET,Insulated Gate Field Effect Transister)也稱金屬氧化物半導體場效應管(Metal Oxide Semiconductor FET,簡寫為MOSFET),通常說的MOS管就是指...
使用場效應電晶體檢出氣體、離子、分子、水分等化學成分的感測器。當場效應化學感測器與外界化學物質接觸時,在場效應電晶體的絕緣層與溶液(或氣體)的界面形成雙電層...
金屬氧化物半導體場效應電晶體,簡稱金氧半場效應電晶體是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效應電晶體。...
功率MOS場效應電晶體,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體),FET(Field Effect Transistor場效應電晶體),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化...
《環境場效應論》是1900年1月由中國人事出版社出版的圖書,作者是王來濱。...... 《環境場效應論》是1900年1月由中國人事出版社出版的圖書,作者是王來濱。...
導體場效應電晶體是由多數載流子參與導電,也稱為單極型電晶體.它屬於電壓控制型半導體器件...
鐵電場效應電晶體也就是鐵電介質柵極場效應電晶體(MFSFET,Metal-Ferroelectric-Semiconductor FET):這是在MOSFET的基礎上,把柵極SiO2絕緣材料更換為高介電常數的鐵...
金屬氧化物半導體場效應管(英語:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET),簡稱金氧半場效電晶體,是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效...
絕緣柵場效應管的種類較多,有PMOS、NMOS和VMOS功率管等,但目前套用最多的是MOS管。MOS絕緣柵場效應管也即金屬一氧化物一半導體場效應管,通常用MOS表示,簡稱作MOS...
場效應管根據三極體的原理開發出的新一代放大元件,有3個極性,柵極,漏極,源極,它的特點是柵極的內阻極高,採用二氧化矽材料的可以達到幾百兆歐,屬於電壓控制型器件...
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