基本思想
認為中心離子的電子波函式與周圍離子(配位子)的電子波函式不相重疊,因而把組成晶體的離子分為兩部分:基本部分是中心離子,將其磁性殼層的電子作量子化處理;非基本部分是周圍配位離子,將其作為產生
靜電場的經典處理。配位子所產生的靜電場等價為一個勢場——晶體場。
晶體中的晶體場效應
a.晶體場對磁性離子軌道的直接作用引起能級分裂使
簡併度部分或完全解除,導致軌道角動量的取向處於被凍結狀態。
b.晶體場對磁性離子自旋角動量的間接作用。通過軌道與自旋耦合來實現。常溫下,晶體中自旋是自由的,但軌道運動受晶體場控制,由於自旋-軌道耦合和晶體場作用的聯合效應,導致單離子的
磁各向異性。
晶體場劈裂作用
考慮到晶體場與L-S 耦合作用,晶體系統的
哈密頓量為:
等式中間第一項為第i個電子的動能,第二項為電子勢能,第三項為原子內電子的庫侖相互作用,第四項為S-L軌道相互作用,第五項為中心離子與周圍配離子產生的晶場間相互作用。
採用簡併態微擾法可計算系統的微擾能量,為此,須求解方程:
1. 弱晶場
稀土金屬及其離子屬於此
2. 中等晶場
仍滿足洪特規則,但晶體場V(r)首先對軌道能量產生影響,即能級分裂,簡併部分或完全消除。
含3d電子組態的離子的鹽類屬於此
對於3d電子, l=2,角動量可有2l+1 =5個不同取向,由此形成五重簡併能級如下(能量由n決定):
註: R(r)為歸一化的徑向波函式
選用Richardson等人的近似, Hartfree-Fock解析波函式:
使3d電子的簡併能級分裂的方法:
a. 外加磁場
不同取向的角動量對應不同的
磁矩(大小、方向)
不同的磁矩對確定方向的H有不同的位能
磁場使原來簡併的能級分裂為五個不同的能級。
b. 將3d電子置於晶場中
由於eg的兩個軌道正對近鄰離子,而t2g的三個軌道指向兩個近鄰離子的間隙區域,因而有能級間能量差關係為δ1<< δ2。
3d電子五重簡併能級在晶場的作用下依順序發生能級分裂,在占據這些能級的電子中,當存在簡併能級中的電子不均勻分布時,有時晶體會自發地發生畸變,對稱性變低,軌道的簡併被解除,使電子占有的能級變得更低——楊特勒效應(Jahn-Teller Effection) 。
例如:Cu2+(3d9),置於正八面體晶體中,電子組態為: t2g6eg3
考慮d
10電子組態,其電子云呈球形對稱。去掉一個d
x2-y2電子
(t
2g6)(d
z2)2(d
x2-y2)(這種狀態在x與y軸方向,電子出現幾率小)
Cu2+原子核內正電荷在x-y軸方向所受禁止較小
從而Cu
2+原子核吸引位於x-y軸方向的近鄰異性離子能力較強,而在z軸較弱
Cu
2+周圍點陣發生畸變, 其近鄰離子所構成的八面體變為沿z軸伸長的八面體。此時在e
g中d
z2能量比d
x2-y2低,而在t
2g中d
zx<d
yz<d
xy。
同理,若將d
10去掉一個d
z2電子,則正八面體將畸變為沿z軸收縮的
八面體。此時, e
g中能量d
x2-y2< d
z2-x2-y2, t
2g中:d
xy<d
yz<d
zx。
由於δ
1<< δ
2,當Cu
2+的周圍點陣由正八面體對稱疇變成為伸長或收縮的八面體對稱時, t
2g6狀態的能量未變,而三個e
g電子的能量降低。
晶場畸變後Cu
2+能量降低了——產生畸變的原因(楊特勒效應的機理)。
軌道角動量的凍結
由於晶場劈裂作用,簡併能級出現分裂,可能出現最低軌道能級單態,當單態是最低能量的軌道時,總軌
道角動量絕對值 L
2雖然保持不變,但是其分量L
z不再是運動常量。
當L
z的平均值為零,即 時,就稱為軌道角動量的凍結。一個態的磁矩是磁矩=(L
z+2S
z) μ ,當L
z的平均值
為零時,對於整個磁性,軌道磁矩不作貢獻。(單態
簡併度為1(簡併度由2l+1決定)
簡併度解除
2l+1=1。所以l=0時為單態。)離子的軌道角動量凍結程度取決於軌道簡併度解除的程度。
3. 強晶場
不滿足洪特規則,導致低自旋態。
發生於共價鍵晶體和4d,5d,6d等過渡族化合物。