《基於表面勢的雙柵非晶InGaZnO薄膜電晶體電路仿真模型研究》是依託北京大學，由何紅宇擔任負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：基於表面勢的雙柵非晶InGaZnO薄膜電晶體電路仿真模型研究
- 項目負責人：何紅宇
- 項目類別：青年科學基金項目
- 依託單位：北京大學
項目摘要,結題摘要,
項目摘要
與單柵結構相比，雙柵結構的非晶InGaZnO薄膜電晶體能增強電學性能、提高穩定性、簡化電路結構，已成為近年來的研究熱點。該器件溝道區存在陷阱態，會同時影響遷移率和電荷分布，且雙柵之間存在電荷耦合，其建模存在表面勢計算和電荷分析的技術難點。本項目擬在已有研究基礎上，開發基於表面勢的電路仿真模型，主要內容包括：第一，基於溝道材料帶隙中指數分布的陷阱態密度，高效求解表面勢，分析電荷耦合關係，建立長溝道器件的電流和電容模型；第二，分析溫度、電場增強的載流子發射機理，建立泄漏電流模型，並考慮溝道長度調製、kink效應和串聯電阻效應，建立適用於短溝道器件的集約模型；第三，最佳化模型參數的提取流程，用Verilog-A語言實現模型，並進行電路仿真驗證。項目開發雙柵非晶InGaZnO薄膜電晶體的集約模型，對相關積體電路設計產業，具有深遠的意義。
結題摘要
非晶InGaZnO薄膜電晶體（TFT）的載流子遷移率比非晶矽TFT高，大面積均勻性比多晶矽TFT好，已經成為新一代平板顯示技術中的關鍵器件。建立基於器件物理解析的電流模型，一方面有利於深入理解TFT中的載流子輸運機制，另一方面有利於開發高效的電路仿真工具。本項目主要研究了非晶InGaZnO-TFT的低頻噪聲模型和電流模型，並延伸到有機TFT、ZnO-TFT，多晶矽TFT和非晶矽TFT。項目執行期間共發表SCI收錄論文3篇，EI、CPCI收錄論文5篇，申請專利1項，培養研究生3人、博士後1人。
