《基於納米材料的自旋極化電子的場發射機理研究》是依託中山大學，由梁世東擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：基於納米材料的自旋極化電子的場發射機理研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：梁世東
- 依託單位：中山大學
- 負責人職稱：教授
- 申請代碼：A2002
- 研究期限：2008-01-01 至 2010-12-31
- 批准號：10774194
- 支持經費：32（萬元）
中文摘要
建立以鐵磁金屬為基礎的納米系統場致電子發射模型，套用非平衡格林函式方法結合量子隧穿電流理論，建立這些新型材料場致電子發射的基本理論，特別是自旋極化的場發射理論．發展研究納米材料場致發射物理特性的計算方法，研究這些新型材料的場致電子發射的機制和新的物理特性，包括發射電子的自旋極化度，I-V特性，溫度效應和發射電子的能譜分布，以及系統尺寸，表面，界面，缺陷，摻雜和吸附對場發射行為的影響。這一研究一方面揭示鐵磁金屬為基礎納米系統場致電子發射新的物理特性，另一方面，為發展新型的自旋極化的場發射電子源提供理論依據，和最佳化的物理參數和技術條件，為設計出新型的高效率高性能的自旋電子學電子器件提供理論基礎。
