周大雨，博士，教授，博士生導師。1970年7月27日生於吉林省吉林市；政治面貌：中共黨員 1989年9月考人四川成都電子科技大學“電子材料與元器件專業”本科學習，1993年畢業獲工學學士學位，被評為“四川省優秀大學畢業生”。畢業後留校工作，先後從事科研教學及學生思想教育工作。 自1999年11月起，在德國卡爾斯魯厄大學學習，2003年2月畢業獲機械工程專業博士學位，論文答辯成績為優秀。2003年在德國卡爾斯魯厄大學從事博士後研究工作。自2004年元月起在德國卡爾斯魯厄研究中心(FZK)工作，獨立申報成功並負責運行德國研究基金會(DFG)資助項目“壓電陶瓷材料在熱機電耦合作用下非線性行為的實驗研究”。負責兩個實驗室的管理和改建工作，指導三名碩士、博士生的論文。
基本介紹
- 中文名：周大雨
- 民族：漢
- 出生地：吉林省吉林市
- 出生日期：1970年7月27日
- 職業：博士生導師
- 政治面貌：中共黨員
周大雨，1970年7月27日生於吉林省吉林市；政治面貌：中共黨員 1989年9月考人四川成都電子科技大學“電子材料與元器件專業”本科學習，1993年畢業獲工學學士學位，被評為“四川省優秀大學畢業生”。畢業後留校工作，先後從事科研教學及學生思想教育工作。 自1999年11月起，在德國卡爾斯魯厄大學學習，2003年2月畢業獲機械工程專業博士學位，論文答辯成績為優秀。2003年在德國卡爾斯魯厄大學從事博士後研究工作。自2004年元月起在德國卡爾斯魯厄研究中心(FZK)工作，獨立申報成功並負責運行德國研究基金會(DFG)資助項目“壓電陶瓷材料在熱機電耦合作用下非線性行為的實驗研究”。負責兩個實驗室的管理和改建工作，指導三名碩士、博士生的論文。
主要研究領域：電介質儲能材料、壓電鐵電材料及套用、納米陶瓷塗層製備技術、二氧
化鋯納米粉體與陶瓷。
教育及工作經歷：
1989/09－1993/07，電子科技大學，信息材料工程學院電子材料系，學士；
1994/09－1998/06，電子科技大學，信息材料工程學院電子材料系，碩士（輔導員在職學習）；
1997/07－1999/10，電子科技大學，信息材料工程學院電子陶瓷教研室，助教；
1999/11－2003/02，德國卡爾斯魯厄工業大學，機械工程系，博士；
2003/03－2003/12，德國卡爾斯魯厄工業大學，機械工程系，博士後；
2004/01－2007/03，德國卡爾斯魯厄研究中心（FZK），德國研究基金會(DFG)項目負責人；
2007/04－2009/03，德國德雷斯頓奇夢達公司（Qimonda Dresden），高-k電介質材料工程師；
2009/10－2010/09，德國德勒斯登工業大學，NaMLab研究所，博士後研究員；
2010/10至今，大連理工大學，材料科學與工程學院，教授，博士生導師；
國際與國內交流合作：
與德國德勒斯登工業大學NaMLab研究所和卡爾斯魯厄理工學院（KIT）、中國科學院上海矽酸鹽研究所、電子科技大學電子薄膜與集成器件國家重點實驗室、英特爾半導體(大連)有限公司、大連德豪光電科技有限公司等機構建立了密切的科研合作和人員交流關係。
社會兼職
中德“高-k電介質材料、器件性能及可靠性”雙邊研討會（Dresden，Mar 2014）中方召集人
研究領域（研究課題）
[1] 國家自然科學基金面上項目：HfO2基新型鐵電薄膜的自發極化機制和失效行為研究
(51272034)，2013-2016，項目負責人；
[2] 遼寧省教育廳重點實驗室基礎研究項目，2015-2018，項目負責人；
[3] 大連理工大學基本科研業務費專項項目重點實驗室科研專題，2015-2016, 項目負
責人；
[4] 電子薄膜與集成器件國家重點實驗室開放課題，2011-2013, 項目負責人；
[5] 大連理工大學基本科研業務費專項項目引進人才科研專題，2011-2012, 項目負責
人；
[6] 德國研究基金會(DFG)自然科學基金項目：壓電陶瓷在大信號熱、機、電耦合作用
下非線性行為的實驗研究( ZH62/1-1，ZH62/1-2)，2004-2007，項目負責人；
[7] 德國Qimonda Dresden 公司65nm和46nm埋藏字元線（buried word-line）技術記憶體
產品研發項目，2007-2009，高-k 電介質薄膜可靠性評估負責人；
[8] European Fund for Regional Development and the Free State of Saxony
(HEIKO Project No. 100064806) ，2010-2014，主要參與者;
碩博研究方向
[1] 電介質儲能材料
[2] 壓電鐵電材料及套用
[3] 納米陶瓷塗層製備技術
[4] 二氧化鋯納米粉體與陶瓷
出版著作和論文
代表性論文：
[1] Dayu Zhou, Y. Guan, M. M. Vopson, J. Xu, H.L. Liang, F. Cao, X.L. Dong, J. Mueller, T. Schenk, and U. Schroeder, Electric field and temperature scaling of polarization reversal in silicon doped hafnium oxide ferroelectric thin films, Acta Mater. 99, 240–246 (2015).
[2] 周大雨，徐進，J. Mueller, U. Schroeder, Si摻雜HfO2薄膜的鐵電和反鐵電性質，物理學報，63[11] 117703 (2014).
[3] 李清，郭春霞，周大雨, 曲德舜，梁海龍, 純水基溶膠－凝膠法製備HfO2納米超薄膜, 功能材料，16[45], 16111-16115 (2014).
[4] 葉飛，肖海珠，周大雨, HfO2鐵電相與四方相轉變關係的第一性原理研究，功能材料，16[45], 16070-16073 (2014).
[5] S. Knebel, U. Schroeder, Dayu Zhou, T. Mikolajick, and G. Krautheim, Conduction Mechanisms and Breakdown Characteristics of Al2O3-Doped ZrO2 High-k Dielectrics for Three-Dimensional Stacked Metal–Insulator–Metal Capacitors, IEEE Trans. Device Mater. Rel. 14[1], 154-160 (2014).
[6] Dayu Zhou, J. Xu, Q. Li, Y. Guan, F. Cao, X.L. Dong, J. Müller, T. Schenk, and U. Schroeder, Wake-up effects in Si-doped hafnium oxide ferroelectric thin films, Appl. Phys. Lett. 103, 192904 (2013).
[7] Dayu Zhou, J. Mueller, J. Xu, S. Knebel, D. Braeuhaus and U. Schroeder, Insights into electrical characteristics of silicon doped hafnium oxide ferroelectric thin films, Appl. Phys. Lett. 100, 082905 (2012).
[8] Dayu Zhou, U. Schroeder, J. Xu, J. Heitmann, G. Jegert, W. Weinreich, M. Kerber, S. Knebel, E. Erben, and T. Mikolajick, Reliability of Al2O3-doped ZrO2 high-k dielectrics in 3-dimensional stacked metal-insulator-metal capacitors, J. Appl. Phys. 108[12] 124104 (2010).
[9] Dayu Zhou, R. Wang, and M. Kamlah, Determination of reversible and irreversible contributions to the polarization and strain response of soft PZT using the partial unloading method, J. Eur. Ceram. Soc. 30[12] 2603 (2010).
[10] Dayu Zhou, U. Schroeder, G. Jegert, M. Kerber, S. Uppal, R. Agaiby, M. Reinicke, J. Heitmann, and L. Oberbeck, Time dependent dielectric breakdown of amorphous ZrAlxOy high-k dielectric used in dynamic random access memory metal-insulator-metal capacitor, J. Appl. Phys. 106[4] 044104 (2009).
[11] R. Agaiby, P. Hofmann, Dayu Zhou, M. Kerber, J. Heitmann, U. Schroeder, E. Erben, L. Oberbeck, First insight into the lifetime acceleration model of high-k ZrO2/SiO2/ZrO2 stacks for advanced DRAM technology nodes, IEEE Electron Device Lett. 30[4] 340–342 (2009).
[12] Dayu Zhou and M. Kamlah, Room-temperature creep of soft PZT under static electrical and compressive stress loading, Acta Mater. 54[5]1389-1396 (2006).
[1] Dayu Zhou, Y. Guan, M. M. Vopson, J. Xu, H.L. Liang, F. Cao, X.L. Dong, J. Mueller, T. Schenk, and U. Schroeder, Electric field and temperature scaling of polarization reversal in silicon doped hafnium oxide ferroelectric thin films, Acta Mater. 99, 240–246 (2015).
[2] 周大雨，徐進，J. Mueller, U. Schroeder, Si摻雜HfO2薄膜的鐵電和反鐵電性質，物理學報，63[11] 117703 (2014).
[3] 李清，郭春霞，周大雨, 曲德舜，梁海龍, 純水基溶膠－凝膠法製備HfO2納米超薄膜, 功能材料，16[45], 16111-16115 (2014).
[4] 葉飛，肖海珠，周大雨, HfO2鐵電相與四方相轉變關係的第一性原理研究，功能材料，16[45], 16070-16073 (2014).
[5] S. Knebel, U. Schroeder, Dayu Zhou, T. Mikolajick, and G. Krautheim, Conduction Mechanisms and Breakdown Characteristics of Al2O3-Doped ZrO2 High-k Dielectrics for Three-Dimensional Stacked Metal–Insulator–Metal Capacitors, IEEE Trans. Device Mater. Rel. 14[1], 154-160 (2014).
[6] Dayu Zhou, J. Xu, Q. Li, Y. Guan, F. Cao, X.L. Dong, J. Müller, T. Schenk, and U. Schroeder, Wake-up effects in Si-doped hafnium oxide ferroelectric thin films, Appl. Phys. Lett. 103, 192904 (2013).
[7] Dayu Zhou, J. Mueller, J. Xu, S. Knebel, D. Braeuhaus and U. Schroeder, Insights into electrical characteristics of silicon doped hafnium oxide ferroelectric thin films, Appl. Phys. Lett. 100, 082905 (2012).
[8] Dayu Zhou, U. Schroeder, J. Xu, J. Heitmann, G. Jegert, W. Weinreich, M. Kerber, S. Knebel, E. Erben, and T. Mikolajick, Reliability of Al2O3-doped ZrO2 high-k dielectrics in 3-dimensional stacked metal-insulator-metal capacitors, J. Appl. Phys. 108[12] 124104 (2010).
[9] Dayu Zhou, R. Wang, and M. Kamlah, Determination of reversible and irreversible contributions to the polarization and strain response of soft PZT using the partial unloading method, J. Eur. Ceram. Soc. 30[12] 2603 (2010).
[10] Dayu Zhou, U. Schroeder, G. Jegert, M. Kerber, S. Uppal, R. Agaiby, M. Reinicke, J. Heitmann, and L. Oberbeck, Time dependent dielectric breakdown of amorphous ZrAlxOy high-k dielectric used in dynamic random access memory metal-insulator-metal capacitor, J. Appl. Phys. 106[4] 044104 (2009).
[11] R. Agaiby, P. Hofmann, Dayu Zhou, M. Kerber, J. Heitmann, U. Schroeder, E. Erben, L. Oberbeck, First insight into the lifetime acceleration model of high-k ZrO2/SiO2/ZrO2 stacks for advanced DRAM technology nodes, IEEE Electron Device Lett. 30[4] 340–342 (2009).
[12] Dayu Zhou and M. Kamlah, Room-temperature creep of soft PZT under static electrical and compressive stress loading, Acta Mater. 54[5]1389-1396 (2006).
[13] Dayu Zhou, M. Kamlah, and D. Munz, Effects of bias electric fields on the non-linear ferroelastic behavior of soft lead zirconate titanate piezoceramics, J. Am. Ceram. Soc. 88[4] 867–874 (2005).
[14] Dayu Zhou, M. Kamlah, and D. Munz, Effects of uniaxial prestress on the ferroelectric hysteretic response of soft PZT, J. Eur. Ceram. Soc. 25[4] 425-432 (2005).
[15] Dayu Zhou, Z. Wang, and M. Kamlah, Experimental investigation of domain switching criterion for soft lead zirconate titanate piezoceramics under coaxial proportional electromechanical loading, J. Appl. Phys. 97[8] 084105 (2005).
[16] Dayu Zhou and M. Kamlah, High-field dielectric and piezoelectric performance of soft lead zirconate titanate piezoceramics under combined electromechanical loading, J. Appl. Phys. 96[11] 6634-6641 (2004).
[17] Dayu Zhou, M. Kamlah, and D. Munz, Uniaxial compressive stress dependence of the high-field dielectric and piezoelectric performance of soft PZT piezoceramics, J. Mater. Res. 19[3] 834-842 (2004).
工作成果（獎勵、專利等）
在壓電鐵電陶瓷材料研究領域（2003-2007）：以汽車發動機壓電燃油噴射閥研發為背景，獨立設計建造了大信號機電耦合載入實驗平台，首次對壓電執行器工業實際套用的PZT陶瓷材料在單軸預應力下的鐵電行為和直流偏壓下的鐵彈性回響進行了深入研究；開創性地開展了多軸機電耦合載入試驗，提出了壓電陶瓷材料的屈服和硬化條件；在國際上率先對壓電陶瓷的室溫蠕變特性進行了系統深入的實驗研究。以第一作者在Acta Materialia, Journal of Applied Physics, Journal of the European Ceramic Society, Journal of the American Ceramic Society, Journal of Materials Research等刊物發表論文15篇，是國際上壓電鐵電材料非線性行為研究領域最為廣泛引用的參考文獻，目前累計SCI他引400餘次，單篇最高他引110餘次；作國際會議報告8次。
在高-k電介質薄膜研究領域（2007年至今）：參加了原世界第二大記憶體晶片製造商--德國Qimonda公司65nm和46nm兩代記憶體產品的研發和量產定型，對存儲電容器用HfO2和ZrO2 高-k薄膜的可靠性進行了系統評估；作為研發團隊主要成員參加了HfO2基納米薄膜鐵電性質的原始發現和驗證工作，在國內率先申請了該新型鐵電材料的研究立項。已在Acta Materialia, Applied Physics Letters, Journal of Applied Physics, IEEE Electron Device Lett. 等刊物發表論文11篇，第一作者6篇；作國際會議報告5次。
[1] 2004年12月獲德國卡爾斯魯厄研究中心傑出貢獻獎；
[2] 參與完成的國防預研項目‘微波介質陶瓷’獲電子工業部科技進步三等獎（1996年）、‘高性能微波陶瓷材料’獲成都市科技進步三等獎（2002年）；
[3] 1994和1995年度‘成都市優秀團幹部’；
[4] 1994年度‘四川省大學生社會實踐優秀指導教師’；
[5] 1993年被評為‘四川省優秀大學畢業生’；
在高-k電介質薄膜研究領域（2007年至今）：參加了原世界第二大記憶體晶片製造商--德國Qimonda公司65nm和46nm兩代記憶體產品的研發和量產定型，對存儲電容器用HfO2和ZrO2 高-k薄膜的可靠性進行了系統評估；作為研發團隊主要成員參加了HfO2基納米薄膜鐵電性質的原始發現和驗證工作，在國內率先申請了該新型鐵電材料的研究立項。已在Acta Materialia, Applied Physics Letters, Journal of Applied Physics, IEEE Electron Device Lett. 等刊物發表論文11篇，第一作者6篇；作國際會議報告5次。
[1] 2004年12月獲德國卡爾斯魯厄研究中心傑出貢獻獎；
[2] 參與完成的國防預研項目‘微波介質陶瓷’獲電子工業部科技進步三等獎（1996年）、‘高性能微波陶瓷材料’獲成都市科技進步三等獎（2002年）；
[3] 1994和1995年度‘成都市優秀團幹部’；
[4] 1994年度‘四川省大學生社會實踐優秀指導教師’；
[5] 1993年被評為‘四川省優秀大學畢業生’；
