《含氮矽單晶熱處理時淺施主的產生和消失機理研究》是依託武漢大學，由陳暢生擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：含氮矽單晶熱處理時淺施主的產生和消失機理研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：陳暢生
- 依託單位：武漢大學
- 負責人職稱：副教授
- 批准號：69376014
- 研究期限：1994-01-01 至 1995-12-31
- 申請代碼：F0402
- 支持經費：5（萬元）
項目摘要
對含氮Cz矽單晶作不同溫度、不同時間的熱處理，通過對樣品電阻率的測試，常溫紅外振動譜測氮氧含量和低溫遠紅外光譜的觀測，研究了含氮C8矽單晶中兩和穩定性不同的含氮淺施主（NOSD和NOTD）的產生和消失機制。對氮保護Cz矽單晶和含氮Cz矽單晶的退火性質作了對比研究，表明NOSD和NOTD也可在氮保護退火的Cz矽單晶樣品中出現，並且具有與含氮矽單晶中相似的退火性質。
