台階生長、材料科學技術術語。
中文名稱 | 台階生長 |
英文名稱 | terrace-ledge-kink growth |
定 義 | 藉助於結晶界面上原子尺度的台階移動實現的晶體生長。 |
套用學科 | 材料科學技術(一級學科),材料科學技術基礎(二級學科),材料合成、製備與加工(三級學科),晶體生長(四級學科) |
基本介紹
- 中文名:台階生長
- 所屬學科:材料科學技術
台階生長、材料科學技術術語。
中文名稱 | 台階生長 |
英文名稱 | terrace-ledge-kink growth |
定 義 | 藉助於結晶界面上原子尺度的台階移動實現的晶體生長。 |
套用學科 | 材料科學技術(一級學科),材料科學技術基礎(二級學科),材料合成、製備與加工(三級學科),晶體生長(四級學科) |
生長台階,是弗蘭克於1949年將位錯與晶體生長動力學聯繫起來而產生的一種科學技術。最初考慮的是一個與生長界面垂直相交的螺型位錯,後來又把這個模型推廣到具有與生長界面垂直的永不消失的柏格斯矢量分量的其他一切位錯。這些位錯的性質由...
《KDP晶體生長大台階形成機理研究》是依託重慶大學,由李明偉擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 本項目針對磷酸二氫鉀(KDP)晶體這一非常重要的能源材料,利用生長該晶體常用的降溫法和循環流動法,用熱科學中的基礎知識(熱力學、流體...
連續生長 連續生長是指原子(或分子)在結晶界面上隨機沉積,而不形成台階的晶體生長過程。
地貌簡介 生長丘屬於礦物的微型貌,是晶體生長過程中在晶面上形成的具有一定幾何形態的小突起。同一晶面上的生長丘具有相同的規則外形。詳情 生長丘系由原子或離子沿晶面上局部晶格缺陷堆積生長而成,其坡面也是由晶面台階組成的。
螺旋位錯生長機理 Screw dislocation growth mechanism非理想晶面上的電結晶機理。此理論認為,實際晶體是不完 整的,生長面l存在螺旋位錯露頭點,可以作為晶體生長的台 階源二在晶體生長過程中,生長台階繞著螺旋位錯線迴旋擴 散而永不...
先決條件是其介質須有一定的過冷度或過飽和度。實際上是一個熱量、質量和動量的輸運過程。可分為等向生長、單向生長和兩向生長三種基本類型。生長機制為連續生長、借台階側向擴展而生長、二維晶核式的生長和借晶體缺陷生長。
後由於百度高校貼吧政策開放,四十八級台階吧於2012年5月23日被合併至青島科技大學吧。吧名含義 四十八級台階,是青島科技大學的一處獨有建築,在通往女生宿舍區--慧園的路上。周圍景色頗具一格,梧桐樹不加雕飾的生長,盤虬臥龍,枝椏...
利用AFM手段開展(D)KDP晶體生長動力學的研究,重點研究生長條件(pH值、溫度、過飽和度、雜質等)對(D)KDP晶體生長的影響,系統研究條件對晶面生長台階遷移的影響,以及潛在雜質對於台階遷移的影響,同時對比點籽晶三維生長,從晶體生...
兒童的生長和發育,從胎兒期到青年期在體格和心理方面的發展演變。兒童期是人生髮育的最重要階段,每一年齡階段的生理、心理、病理特點均與另一年齡階段不同。與成人不同之處更多,年齡越小,差別越大。兒童時期的生長發育對成年人的...
其實,固相燒結材料中晶體台階生長現象還是很普遍的,如方鎂石、鈦酸鋇。生長和析晶 緻密白剛玉 純度>99%的電熔氧化鋁稱為白剛玉。白剛玉以晶體巨大和多孔為主要特徵。有“熔塊”和“流狀”兩種生產方法。前者可分為中心上部、中心緻密部...
光滑液-固界面及台階生長機制對凝固冷卻速度及界面過冷度的高度不敏感性,對在經典凝固理論中被廣泛接受的“隨凝固冷卻速度或界面過冷度的增加、小面晶體液/固界面結構將由原子尺度光滑向原子尺度粗糙轉變、生長機制由側向生長向連續生長...
藉助掃描電鏡發現金剛石晶粒表面有一層呈銀色的物質存在,見圖3(a) ,且原來金剛石表面的生長台階由於釺料與金剛石界面反應而變得平滑園鈍,減少了應力集中,使金剛石強化。藉助X射線能譜儀對其表面作定點元素分析,見圖4。可以看出金剛...
1710年北美殖民地(今美國)有了最初番茄的記載,但並不廣泛。托馬斯·傑斐遜在自己的農莊裡種植番茄,1820年,新澤西州農業研究家羅伯特·吉本·詹森(Robert Gibbon Johnson)在塞拉姆法院前的台階上吃番茄證明無毒。 [1] ...
層狀的形成是微觀台階聚攏作用的結果。層狀形態的台階平均高度達到50nm左右就可觀察到層狀結晶生長,有時每層還含有許多微觀台階。(2)稜錐狀。電沉積層表面有時呈稜錐狀,常見的有三稜錐、四稜錐和六稜錐。稜錐狀是在螺旋位錯的基礎上...