《KDP晶體生長大台階形成機理研究》是依託重慶大學，由李明偉擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：KDP晶體生長大台階形成機理研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：李明偉
- 依託單位：重慶大學
- 負責人職稱：教授
- 批准號：50676113
- 研究期限：2007-01-01 至 2009-12-31
- 申請代碼：E0601
- 支持經費：29（萬元）
中文摘要
本項目針對磷酸二氫鉀（KDP）晶體這一非常重要的能源材料，利用生長該晶體常用的降溫法和循環流動法，用熱科學中的基礎知識（熱力學、流體力學、傳熱學和非平衡熱力學穩定性理論等），藉助數值模擬方法，計算得到溶液生長系統，尤其是生長晶體界面附近的溶液界面層的熱、質輸運特性。通過獲得操作條件對界面層特徵性質（如流體剪下應力和熱力學相變驅動力，即過飽和度等）的影響，再利用原子力顯微鏡觀察獲得那些操作條件下的晶體表面形貌，從而獲得界面層特徵性質與晶體表面形貌之間的聯繫，並結合熱力學穩定性分析來研究大台階的形成機理。項目的完成有望總結出對實際有指導意義的規律或模型，為人為調控巨觀生長條件從而提高晶體生長的質量奠定基礎。項目所提出的全新的研究思路不光只適用於大台階的形成機理研究，對研究晶體生長的其它微觀機制也是可行的。
