可程式唯讀存儲器 （英語：Programmable read-only memory），縮寫為 PROM 或 FPROM，是一種電腦存儲記憶晶片，它允許使用稱為PROM編程器的硬體將數據寫入設備中。在PROM被編程後，它就只能專用那些數據，並且不能被再編程這種記憶體用作永久存放程式之用。通常會用於電子遊戲機、或電子詞典這類可翻譯語言的產品之上。
基本介紹
- 中文名：可程式唯讀存儲器
- 外文名：Programmableread-only memory
簡介,發明過程,原理,
簡介
分類
1.一次編程唯讀存儲器（ROM） 可程式唯讀存儲器只允許寫入一次，所以也被稱為“一次可程式唯讀存儲器”(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)。PROM在出廠時，存儲的內容全為1，用戶可以根據需要將其中的某些單元寫入數據0(部分的PROM在出廠時數據全為0，則用戶可以將其中的部分單元寫入1)， 以實現對其“編程”的目的。PROM的典型產品是“雙極性熔絲結構”，如果我們想改寫某些單元，則可以給這些單元通以足夠大的電流，並維持一定的時間，原先的熔絲即可熔斷，這樣就達到了改寫某些位的效果。另外一類經典的PROM為使用“肖特基二極體”的PROM，出廠時，其中的二極體處於反向截止狀態，還是用大電流的方法將反相電壓加在“肖特基二極體”，造成其永久性擊穿即可。
2.紫外線擦除可程式唯讀存儲器（EPROM） 能用紫外線擦除原有信息，可以重新寫入新信息。
3.電擦除可程式唯讀存儲器（E2PROM）
發明過程
可程式唯讀存儲器是在1956年由周文俊所發明的，周文俊在紐約加頓城的美國保殊艾瑪公司工作。這項發明是由美國空軍所提出，用作提升空軍用電腦以及Atlas E/F波段飛彈的靈活性和保全性。
原理
PROM的總體結構、工作原理和使用方法都與掩膜ROM相同(見唯讀存儲器)。不同的是PROM器件出廠時在存儲矩陣的每個交叉點上均設定了二極體，並且有快速熔斷絲與二極體串連，如圖所示。
圖1用戶可以按照自己的需要寫入數據，即對PROM編程。編程時應將那些不需要保留的二極體上串接的熔絲熔斷。為此，必須在相應的字線與位線之間通以足夠大的脈衝電流。編程工作通常需利用專門的編程器完成。
因為熔絲熔斷後無法恢復，所以這種採用熔絲工藝製作的PROM一經寫入數據後便不能修改。
PROM是成批生產的，當需要的ROM數量較小時，使用PROM比製作專門的掩膜ROM更經濟，而且有利於縮短製作周期。
