反應速率限制

反應速率限制

在低的晶圓片溫度下,澱積速率隨溫度倒數減小而增加,在此區域,工藝中的限制在於某一步反應的速率,該反應可能發生在氣相中也可能在表面。所提供的信息不足以確定氣體是處於化學平衡還是動力學控制的。

基本介紹

  • 中文名:反應速率限制
  • 外文名:reaction rate limited
定義,原理,特點介紹,套用,

定義

在低的晶圓片溫度下,所提供的信息不足以確定氣體是處於化學平衡還是動力學控制的,工作在這一區的工藝稱為反應速率限制。

原理

在在高的晶圓片溫度下,生長速率受反應物質輸運速率限制。通常假設輸運速率是受跨越邊界的擴散限制。工作在這一區域的工藝稱為質量輸運限制的。於是一種或多種澱積氣體的濃度控制澱積速率。

特點介紹

以這一方式工作的CVD(化學氣相澱積)系統必須有良好的溫度控制和溫度均勻性。這些系統最初是大批量(即多個晶圓片同時加工)系統,在這類系統中許多晶圓片以相當低的速率加工。

套用

積體電路工藝中澱積薄膜層。

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