反射式高能電子衍射是指採用30~50kV的電子槍加速電壓,電子波長範圍在0.00698~0.00536nm之間,用這樣能量的平行電子束以小於1°的掠射角入射樣品的表面。
反射式高能電子衍射是指採用30~50kV的電子槍加速電壓,電子波長範圍在0.00698~0.00536nm之間,用這樣能量的平行電子束以小於1°的掠射角入射樣品的表面。
反射式高能電子衍射裝置(RHEED)是MBE設備上的一個十分重要的部件,用它可在生長的原位觀察樣品表面的清潔度、平整度、表面結構,通過觀察到的曲線確定生長情況。...
反射高能電子衍射是高能電子衍射的一種工作模式。它將能量為10~50keV的單能電子掠射 (1°~3°)到晶體表面,在向前散射方向收集電子束,或將衍射束顯示於螢光屏...
反射式高能電子衍射是指採用30~50kV的電子槍加速電壓,電子波長範圍在0.00698~0.00536nm之間,用這樣能量的平行電子束以小於1°的掠射角入射樣品的表面。...
(50~500eV)電子束和掠射角接近於零的高能(30~50keV)電子束作為表層結構分析的微探針,分別稱為低能電子衍射(lowenergyelectrondiffraction)和反射式高能電子衍射(...
高能電子衍射是高能電子衍射的一種工作模式。它將能量為10~50keV的單能電子掠射 (1°~3°)到晶體表面,在向前散射方向收集電子束,或將衍射束顯示於螢光屏。...
低能電子衍射技術(LEED)照射準直電子束於晶體物質,然後根據觀測到的衍射圖案,來推斷物質結構。這技術所使用的電子能量通常在20~200eV之間。反射高能電子衍射(RHEED...
《稀土高K柵介質材料》主要介紹稀土高K柵介質材料Er2O3、Tm2O3薄膜的生長、...2.2.1反射式高能電子衍射 2.2.2俄歇電子能譜 2.2.3原子力顯微鏡 2....
後來,戴維森和G.P.湯姆孫的電子衍射實驗分別發展成為低能電子衍射技術(LEED)和反射式高能電子衍射技術(RHEED),在表面物理學中有廣泛套用。...
6.2.1掃描電子顯微鏡6.2.2透射電子顯微鏡6.2.3掃描隧道顯微鏡6.2.4原子力顯微鏡6.2.5X射線衍射方法6.2.6低能電子衍射和反射式高能電子衍射...
表面結構分析、ur}ace strui li】二。7lflly S1S固體表面結構 (表面相中原子組成與排列方式)的實驗研究於段。主要用表 面分析技術如低能電子衍射、反射式高能...
④可以用反射式高能電子衍射(RHEED)原位觀察薄膜晶體的生長情況。目前,用MBE方法製備的半導體薄膜雷射器、HgCdTe紅外探測器、InGaAs/nGaAsP、GaAsAl-GaAs等量子阱材料...
3.30 低能電子衍射術3.31 反射式高能電子衍射術第4篇 性能與測試篇4.1 導論4.2 基本力學性能及測試方法4.3 磁學性能及測試方法...
10 5 5低能電子衍射和反射式高能電子衍射10 5 6掃描探針顯微鏡10 6薄膜組成分析10 6 1俄歇電子能譜儀10 6 2二次離子質譜分析儀...
(Reflection High - Energy Electron Diffrac-tion,反射式高能電子衍射)、EXAFS(Extended X- ray Absorption Fine Structure,擴展X射線吸收精細結構譜)、SPM(Scanning...
過對襯底溫度、As/Ga束流比等參數的實驗考察,發現稀磁半導體材料GaMnAs單晶薄膜在約250℃生長時,可得到較高質量的單晶薄膜,其反射式高能電子衍射(RHEED)圖為明顯...
6.2.4低能電子衍射和反射式高能電子衍射 6.3薄膜成分的表征方法 6.3.1原子內的電子激發及相應的能量過程 6.3.2X射線能量色散譜 6.3.3俄歇電子能譜 6.3.4X射線...