| 中文名稱 | 半導體鍺 |
| 英文名稱 | semiconductor germanium |
| 定 義 | 質量符合半導體器件要求的鍺材料。包括高純度多晶鍺、單晶鍺、鍺片等。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），元素半導體材料（三級學科） |
| 中文名稱 | 半導體鍺 |
| 英文名稱 | semiconductor germanium |
| 定 義 | 質量符合半導體器件要求的鍺材料。包括高純度多晶鍺、單晶鍺、鍺片等。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），元素半導體材料（三級學科） |
鍺半導體,位於元素周期表(長式)中第4周期第ⅣA族的元素,原子序數為32。它的左邊是31號元素鎵(金屬),右邊是33號元素砷(非金屬),上面是14號元素矽(屬非金屬,...
鍺共有五種同位素:70,72,73,74,76,在700℃以上與氧作用生成GeO2,在1000℃以上與氫作用,細粉鍺能在氯或溴中燃燒,鍺是優良半導體,可作高頻率電流的檢波和...
中文名稱 半導體鍺 英文名稱 semiconductor germanium 定義 質量符合半導體器件要求的鍺材料。包括高純度多晶鍺、單晶鍺、鍺片等。 套用學科 材料科學技術(一級...
鍺,是德國化學家文克列爾在1885年用光譜分析法發現的——也就是門捷列夫在1871年所預言的元素“亞矽”。不過,直到1942年,人們才發現鍺是優秀的半導體材料,可以用來...
半導體探測器是以半導體材料為探測介質的輻射探測器。最通用的半導體材料是鍺和矽,其基本原理與氣體電離室相類似,故又稱固體電離室。半導體探測器的基本原理是帶電...
半導體器件是導電性介於良導電體與絕緣體之間,利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉換。半導體...
《半導體材料技術》較為詳細地介紹了以矽、鍺為代表的第一代半導體材料,以砷化鎵和磷化銦為代表的第二代半導體材料,以耐高溫化合物為代表的寬禁帶第三代半導體材料...
含鍺合金是種半導體合金、摻入III族元素為p型半導體,摻入V族元素為n型半導體,用n和p型合金構成熱電偶。一端為高溫,另一端為低溫。在熱偶對迴路中產生電流。...
鍺共有五種同位素:70,72,73,74,76,在700℃以上與氧作用生成GeO2,在1000℃以上與氫作用,細粉鍺能在氯或溴中燃燒,鍺是優良半導體,可作高頻率電流的檢波和...
《半導體材料(第2版)》是為大學本科與半導體相關的專業編寫的教材。《半導體材料(第2版)》介紹主要半導體材料矽、砷化鎵等製備的基本原理,工藝和特性的控制等。...
鍺為銀灰色晶體,原子序數32,原子量72.61,熔點937.4°C,沸點2830°C,密度5.35g/cm1;,硬度6～6.5,是一種稀有金屬,重要的半導體材料,室溫下晶體鍺質脆;有...
含有矽和鍺的非晶態合金膜。帶隙寬度隨鍺含量而降低,是一種窄帶隙光伏電池材料,常寫為含-SiGe∶H。 套用學科 材料科學技術(一級學科),半導體材料(二級學科),...
《半導體材料》作者是楊樹人、王兢,介紹主要半導體材料矽、砷化鎵等製備的基本原理,工藝和特性的控制等。...
二極體是用半導體材料(矽、硒、鍺等)製成的一種電子器件。它具有單嚮導電性能, 即給二極體陽極和陰極加上正向電壓時,二極體導通。 當給陽極和陰極加上反向電壓時...
例如:室溫下(300K),鍺的禁頻寬度約為0.66 eV;矽的禁頻寬度約為1.12 eV;砷化鎵的禁頻寬度約為1.424 eV;氧化亞銅的禁頻寬度約為2.2 eV。禁頻寬度為零的是...
本徵載流子濃度(Intrinsic carrier concentration)為本徵半導體材料中自由電子和自由空穴的平衡濃度,常用值為300K時的濃度值。本徵載流子濃度與溫度有關,同樣材質的半導體...
半導體探測器:它是用半導體鍺、矽為主要原材料製成的探測元件具有能量解析度高、上升時間快、線性回響好、抗磁場干擾、結構緊湊等優點。
半導體的異質結是一種特殊的PN結,由兩層以上不同的半導體材料薄膜依次沉積在同一基座上形成,這些材料具有不同的能帶隙,它們可以是砷化鎵之類的化合物,也可以是矽-...