半導體量子結構及磁量子結構中的隧穿輸運性質是由清華大學完成的科技成果,登記於2002年1月10日。
基本介紹
- 中文名:半導體量子結構及磁量子結構中的隧穿輸運性質
- 類別:科技成果
- 完成單位:清華大學
- 登記時間:2002年1月10日
成果信息
成果名稱 | 半導體量子結構及磁量子結構中的隧穿輸運性質 |
成果完成單位 | 清華大學 |
批准登記單位 | 北京市科學技術委員會 |
登記日期 | 2002-01-10 |
登記號 | 京科成登字2002140 |
成果登記年份 | 2002 |
半導體量子結構及磁量子結構中的隧穿輸運性質是由清華大學完成的科技成果,登記於2002年1月10日。
成果名稱 | 半導體量子結構及磁量子結構中的隧穿輸運性質 |
成果完成單位 | 清華大學 |
批准登記單位 | 北京市科學技術委員會 |
登記日期 | 2002-01-10 |
登記號 | 京科成登字2002140 |
成果登記年份 | 2002 |
半導體量子結構及磁量子結構中的隧穿輸運性質是由清華大學完成的科技成果,登記於2002年1月10日。成果信息成果名稱半導體量子結構及磁量子結構中的隧穿輸運性質成果完成單位清華大學批准登記單位北京市科學技術委員會登記日期20...
巨磁電阻效應 超導隧道結的發現在理論和實驗上均有重要的價值。受此啟發Julliere對Fe/Ge/Co磁性隧道結輸運性質的研究作了開拓性的研究,發現隧道阻抗隨鐵磁層的磁化狀態而變化,低溫下電導的相對變化可達14%。1975年後人們對類似結構中的磁電阻效應進行了研究,但在室溫下均不能獲得較大的磁電阻效應。在GMR效應...
《異質周期結構稀磁半導體量子輸運性質研究》是依託吉林大學,由張明喆擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 稀磁半導體異質周期結構是一種量子有序態,自旋極化的電子-空穴對有效分離並周期排列,具有自旋相關的共振隧穿,通過外加電場, 磁場,光輻照可以操縱勢壘和勢阱,以及電子自旋和輸運,是研究量子有序態和自旋相關...
半導體結構在尺寸變小的過程中,其性質將從經典特性向量子特性過渡。這一方面使得利用其進行量子信息處理成為可能,另一方面使得其輸運性質偏離經典規律而表現出複雜的量子特徵。對實際納米結構(如量子點)而言,其經典和量子的特徵往往相互交織,且在一定的條件下互相轉化,這是其作為量子比特套用的最大瓶頸之一,也是...
單電子隧穿譜(SETS)是最近十來年才發展起來,成為凝聚態物理中研究單個納米量子點能級結構的重要方法。我們利用掃描隧道顯微術和製備納米電極,通過單電子隧穿譜(SETS)方法,研究極小尺寸的金屬、半導體和單分子的分立能級結構對單電子輸運過程的影響;結合理論分析,研究並比較不同能級結構在單電子隧穿譜中的特徵;...
旨在從電荷轉移理論、先進功能薄膜材料製備-表徵實驗和器件工藝技術三個方面,探索和研究摻鋁氧化鋅薄膜(AZO)的半導體性質,石墨烯氧化物(GO)/SiO2過渡層的電子結構,金屬-ZnO歐姆接觸,以及AZO/GO/SiO2/Si光電器件的量子(載流子)隧穿機理和有效力場等動力學問題,探索新材料的引入對改善器件光電轉換性能、增強光電...
磁隧道結是指在兩塊鐵磁薄片之間夾一層厚度約為0.1nm的極薄絕緣層,構成所謂的結元件。在鐵磁材料中,由於量子力學交換作用,鐵磁金 屬的 3d軌道局域電子能帶發生劈裂,使費米(Fermi)面附近自旋向上和向下的電子具有不同的能態密度。 在 MTJs中,TMR效應的產生機理是自旋相關 的隧穿效應。MTJs的一般結構為...
量子點(quantum dot)是在把激子在三個空間方向上束縛住的半導體納米結構。有時被稱為“人造原子”、或“量子點原子”,是20世紀90年代提出來的一個新概念。這種約束可以歸結於靜電勢(由外部的電極,摻雜,應變,雜質產生),兩種不同半導體材料的界面(例如:在自組量子點中),半導體的表面(例如:半導體納米...
從原子與分子物理學的角度出發建立一種能描述單分子磁體局域分子結構、整體分子結構與其電磁結構相互關係的理論分析方法,用以分析單分子磁體磁滯回線量子階梯結構隨分子結構以及體系能級結構的變化規律,並具體研究Mn12-tBuAc、Mn12-Ac、Fe8Br等單分子磁體的電磁結構,揭示其產生磁量子隧穿現象的物理本質。
它對MBE製備工藝要求很高,整個器件結構幾百到上千層,每層的厚度都要控制在零點幾個納米的精度,中國在此領域做出了國際先進水平的成果;又如多有源區帶間量子隧穿輸運和光耦合量子阱雷射器,它具有量子效率高、功率大和光束質量好的特點,中國已有很好的研究基礎;在量子點(線)材料和量子點雷射器等研究方面也...
除了重要的基礎研究意義外,石墨烯和基於石墨烯的納米結構被認為是未來納電子器件的基本構築單元。 項目針對納米級磁調製石墨烯及其納米結構中的輸運性質、磁束縛態、能譜等進行了研究,揭示了其中的一些新效應及新現象,發展了理論和數值計算方法,為實際套用提供了理論依據。 研究了圓形電勢局域調製石墨烯量子點體系中...
半導體中的各種發光過程 2.4.2 直接和間接躍遷複合發光 第三章 低維半導體的能帶結構第四章 低維半導體中得電子狀態第五章 調製摻雜異質結中得二維電子氣輸運第六章 半導體超晶格中得電子隧穿輸運第七章 低維量子結構中得輸運現象第八章 半導體量子阱的光學性質第九章 納米半導體的光學性質第十章 低維半導體...
5.4.3拉曼散射干涉現象和量子點空間有序分布 5.4.4量子點超晶格結構的熱電效應 5.5Ⅱ型量子點 5.6量子點帶內躍遷 5.7微腔中量子點的光學性質 5.7.1微柱微腔 5.7.2微盤 5.7.3光子晶體微腔 參考文獻 第6章納米半導體結構材料的電學性質 6.1量子點的電學輸運性質 6.1.1橫向輸運性質 ...
通過對TTF的結構修飾將其嫁接到鐵磁性納米粒子(如Fe3O4)表面,研究這類鐵磁/有機複合納米材料的自旋輸運性質,探討該複合材料中自旋極化電流的產生、輸運機制。通過調控有機TTF分子(如結構和導電性)來增大自旋效應。從實驗和理論兩方面探索鐵磁性和影響這類分子磁性半導體中內部長程磁耦合及磁電作用的影響因素,...
作為納米電子學的重要組成,在磁記錄、磁頭讀出、非易失信息隨機存儲、自旋電晶體及量子計算機等領域將獲得廣泛套用,成為未來信息科學技術的主導技術。簡介 磁電子學是基於電子傳導和磁性間的關聯效應,通過磁場實現對輸運特性調製的新興學科。它涉及自旋極化。自旋相關散射和隧穿、自旋積累及弛豫、電荷自旋一軌道一晶格間...
研究發現準一維p波超導體中隨著樣品寬度的變化樣品發生振盪性的拓撲量子相變行為;(4)我們理論研究了半導體異質結構中自旋相關的電子隧穿效應,得到與自旋相關的共振峰。研究結果可以用來實現可控電子自旋過濾器的設計;(5)我們研究了具有Dzyaloshinski-Moriya相互作用的多量子比特海森堡自旋鏈模型中熱糾纏性質。本...
研究採用可進行量子調控的局域和非局域橫向自旋閥結構。本項目探索自旋相關輸運與材料和結構的關係,同時進一步揭示低維鐵磁-半導體異質結構中自旋輸運的物理本質。本項目的基礎物理研究將有利於推動發展信號清晰,集成度高,能夠在常溫下良好運行的新一代自旋電子器件。結題摘要 在幾種可行的自旋電晶體中,特別是自旋場...
並研究了自旋極化的變化對分子巨觀磁相互作用的影響;(4)製作了垂直結構有機自旋閥器件及有機自旋發光器件,深入研究了器件在磁場下的自旋輸運性質及其它磁場效應,分析了其物理機制;(5)利用紫外曝光套刻、電子束刻蝕等方法製作了溝道寬度為微米及亞微米的水平結構自旋極化電極,製備了多種水平結構底接觸電極有機...
Alvarado等人利用有磁性針尖的掃描隧道顯微鏡(STM)時,發現真空的隧道結能夠有效地把自旋注入到半導體中。高阻抗的鐵磁/ 絕緣層/ 鐵磁結構也已經證實了隧穿過程中自旋極化可以保持,表明隧穿可能是比擴散輸運更有效的自旋注入方法。3、熱電子自旋注入 這種注入方法是採用自旋極化的熱電子(能量遠大於EF),通過一個隧道...
《石墨烯量子輸運性質和拓撲絕緣體熱電性質的研究》是依託西北大學,由成淑光擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 石墨烯輸運性質的研究和拓撲絕緣體是近年來凝聚態物理研究的熱點問題。石墨烯具有獨特的能帶結構,它的電子是無質量的費米子,需要用Dirac方程描述,而Z2類拓撲絕緣體的邊緣態或表面態也需要用...
探討單元的幾何參數、陣列單元的空間幾何對稱性及單元的連線方式對電輸運性質的影響,建立微結構、隧道結單元耦合機制與隧道結存儲功能的關聯;套用第一性原理、修正的MWBK近似和單電子能帶模型,結合電學及力學邊界條件,分析電子與勢壘層中晶格的電-聲耦合作用,建立電輸運機理的物理模型;研究隧道結中電子隧穿的物理...
第6章準一維量子線在自旋軌道耦合作用下的相圖和輸運性質 6.1引言(48)6.2模型與哈密頓量(48)6.3相圖(50)6.4輸運性質(52)6.5小結(58)第7章含兩個含時點接觸螺旋Luttinger液體的輸運性質 7.1引言(59)7.2螺旋Luttinger液體的哈密頓量(60)7.3含有點接觸的系統的重整化方程(60)7.4隧穿電流...
在測量中將重點檢測分子納米磁體的“指紋”信息,包括零場分裂、磁各向異性、近藤效應、磁性量子隧穿、和量子干涉效應。本項目擬通過研究3-4種分子納米磁體的電子輸運性質,闡明單個分子納米磁體的自旋態的檢測和調控機理,實現新原理的自旋電子學器件。預期項目的完成將對分子納米磁體在高密度數據存儲、自旋電子器件、...
非對稱界面是鐵電壘磁性隧道結製備過程中不可避免的,並會對隧道結的輸運性質產生重要影響。本課題採用基於密度泛函理論的第一性原理方法,研究不對稱界面的形成機制以及它對實驗條件的依賴(如基底應力、製備氧壓、沉積厚度), 系統分析非對稱界面對鐵電壘磁性隧道結界面電子結構、磁結構、磁電耦合的影響。同時通過計算...
9.3 半導體異質結量子阱結構及其電子能態與特性 9.3.1 半導體調製摻雜異質結構界面量子阱 9.3.2 雙異質結間的單量子阱結構 9.3.3 雙勢壘單量子阱結構及共振隧穿效應 [25]★9.4 半導體應變異質結構 ★9.4.1 應變異質結 ★9.4.2 應變異質結構中應變層材料能帶的改性 ★9.5 GaN基半導體異質結構 ★9...
1. 介觀體系中的自旋極化輸運現象 2. 半導體量子結構的輸運性質及其電子態 3. 微電子器件模擬 科研項目 1. 主持國家自然科學基金 “層狀半導體結構中自旋極化隧穿的動力學研究”起止時間:2009年1月- 2011年12月。2. 主持國家自然科學基金“隧穿場效應電晶體中齊納隧穿的理論研究” 起止時間:2014年1月- ...
2002年,得到中國科學院"百人計畫"的資助,開始在中國科學院半導體研究所超晶格和微結構國家重點實驗室工作,從事半導體低維結構中電子的自旋相干過程的研究。科研項目 1.國家重點基礎研究發展計畫課題:“微納結構中的量子調製方案和器件效應研究”(2009-2013)2.自然科學基金:重大研究計畫培育項目“半導體中磁性離子...
利用自旋霍爾效應在半導體中產生自旋流的方法也可以實現自旋電子的注入自旋電子從鐵磁物質注入金屬也可獲得較高的極化率。在半導體量子結構中,還有自旋產生與注入的其他方式,圓偏振光所激發的自旋轉移;鐵磁材料向半導體的自旋極化注入;自旋filter效應所導致的自旋極化等等。檢測方法 自旋檢測有光學和電學檢測兩種方法。
這個特點允許自旋流可在半導體結構中傳輸信息,就像在光學集成網路中可以通過光的極化狀態來傳遞信息一樣。必須指出,由於量子體系中的自旋-軌道耦合,所定義的自旋流與電流不同,不是一個守恆量。電流守恆是由於體系存在對稱性,而自旋流並不對應某一連續對稱性,由此引起對於自旋流定義的爭論。事實上,表明自旋流確是...