《半導體結構及其形成方法》是中芯國際積體電路製造（上海）有限公司、中芯國際積體電路製造（北京）有限公司於2019年12月5日申請的專利，該專利公布號為CN112928163A，專利公布日為2021年6月8日，發明人是成國良、張文廣、鄭春生、張華、甘露。
基本介紹
- 中文名：半導體結構及其形成方法
- 授權公告號：CN112928163A
- 授權公告日：2021年6月8日
- 申請號：2019112359732
- 申請日：2019.12.05
- 申請人：中芯國際積體電路製造（上海）有限公司; 中芯國際積體電路製造（北京）有限公司
- 地址：201203上海市浦東新區中國（上海）自由貿易試驗區張江路18號
- 發明人：成國良; 張文廣; 鄭春生; 張華; 甘露
- Int. Cl.：H01L29/78(2006.01)I; H01L21/336(2006.01)I
- 專利代理機構：上海知錦智慧財產權代理事務所(特殊普通合夥)31327
- 代理人：高靜
專利摘要
一種半導體結構及其形成方法，所述半導體結構的形成方法包括：提供基底，所述基底包括襯底以及凸出於所述襯底的鰭部；在所述鰭部的頂面和側壁、以及所述襯底表面形成犧牲層；對所述犧牲層進行氧化處理，使所述犧牲層轉化成氧化層。本發明實施例通過形成所述犧牲層，因此在形成所述氧化層的步驟中，對所述犧牲層進行氧化處理，消耗所述犧牲層的材料形成所述氧化層，從而有利於防止對所述鰭部產生消耗、減小所述鰭部的損失，進而有利於對鰭部的尺寸進行精確控制，使鰭部的尺寸滿足工藝要求。
