《CIS器件的深溝槽隔離形成方法、半導體器件結構》是華虹半導體（無錫）有限公司、上海華虹宏力半導體製造有限公司於2021年1月20日申請的專利，該專利公布號為CN112928058A，專利公布日為2021年6月8日，發明人是李佳龍、黃鵬、范曉、錢文生。
基本介紹
- 中文名：CIS器件的深溝槽隔離形成方法、半導體器件結構
- 申請公布號：CN112928058A
- 申請公布日：2021.06.08
- 申請號：202110075783X
- 申請日：2021.01.20
- 申請人：華虹半導體（無錫）有限公司; 上海華虹宏力半導體製造有限公司
- 地址：214028江蘇省無錫市新吳區新洲路30號
- 發明人：李佳龍; 黃鵬; 范曉; 錢文生
- Int. Cl.：H01L21/762(2006.01)I; H01L27/146(2006.01)I
- 專利代理機構：上海浦一智慧財產權代理有限公司31211
- 代理人：羅雅文
專利摘要
本申請公開了一種CIS器件的深溝槽隔離形成方法、半導體器件結構，涉及半導體製造領域。該方法包括在襯底上生長第一外延層；形成硬掩膜層；在第一外延層中形成若干個縱橫排列的深溝槽；在深溝槽內形成第二外延層；在深溝槽內第二外延層的表面形成第一氧化層；利用多晶矽完全填充深溝槽；對襯底進行回刻蝕，露出深溝槽內第一氧化層的側壁；在多晶矽頂部形成第二氧化層；去除硬掩膜層和第二氧化層上方的第一氧化層；快速生長第三外延層；對襯底表面進行CMP處理，在襯底上形成深溝槽隔離；解決了外延生長方式形成CIS器件的深溝槽隔離時，深溝槽交叉區域的頂部容易出現封口缺陷的問題；最佳化了深溝槽隔離的形成工藝，提升了器件性能。
