《半導體的電子結構與性能》是2001年科學出版社出版的圖書，作者是(英)W.施羅特爾(Wolfgang Schroter)。
《半導體的電子結構與性能》是2001年科學出版社出版的圖書，作者是(英)W.施羅特爾(Wolfgang Schroter)。內容簡介 本書共分11章，主要介紹了半導體中的能帶理論、光學性質和電輸運、半導體中的本徵點缺陷、半導體中的晶界等內容。圖書目錄...
《半導體的電子結構與性能（第4卷）》是科學出版的圖書，作者是[英] W.施羅特爾（Wolfgan 內容簡介 半導體的電子結構與性能（第4卷），ISBN：9787030075253，作者：（英）W.施羅特爾（Wolfgang Schroter）主編；甘駿人，夏冠群等譯；甘...
目前我國半導體材料在這方面的發展背景來看，應該在很大程度上去提高超高亮度，紅綠藍光材料以及光通信材料，在未來的發展的主要研究方向上，同時要根據市場上，更新一代的電子器件以及電路等要求進行強化，將這些光電子結構的材料，在未來...
《鹵化物半導體光伏材料的電子結構研究和性能最佳化設計》是依託北京航空航天大學，由時洪亮擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 清潔能源的使用如光伏電池在解決傳統化石燃料的短缺和減輕環境的污染方面受到了越來越多的重視。半導體光伏...
構成固態電子器件的基體材料絕大多數是半導體，正是這些半導體材料的各種半導體性質賦予各種不同類型半導體器件以不同的功能和特性。半導體的基本化學特徵在於原子間存在飽和的共價鍵。作為共價鍵特徵的典型是在晶格結構上表現為四面體結構,所以...
1.2.1 原子的電子排列 1.2.2 能帶結構與物理性能 1.2.3 半導體材料的電子結構 參考文獻 思考題 第2章 材料的晶體結構 2.1 晶體的幾何構成 2.1.1 空間點陣 2.1.2 布拉菲點陣 2.1.3 晶體的對稱性 2.1.4 晶體的物理...
《GaAs基鐵電/半導體異質結微結構與電性能的研究》是依託電子科技大學,由黃文擔任醒目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 GaAs是一種具有高遷移率載流子的二元半導體，而以ABO3鈣鈦礦結構為代表的鐵電體具有可翻轉的極化特性。由於兩者同...
《半導體深能級電子結構》是由顧一鳴所寫的一篇論文,由龍期威,汪克林教授指導。副題名外文題名論文作者顧一鳴著導師龍期威,汪克林教授指導學科專業固體物理學位級別d 1987n學位授予單位中國科學技術大學學位授予時間...
《半導體物理學（第7版）》是2011年電子工業出版社出版的圖書，作者是劉恩科。內容簡介 《半導體物理學(第7版)》較全面地論述了半導體物理的基礎知識。全書共13章，主要內容為：半導體的晶格結構和電子狀態；雜質和缺陷能級；載流子的統計...
半導體材料是微電子、光電子和太陽能等工業的基石，而其電學性能、光學性能和機械性能將會影響半導體器件的性能和質量，因此，半導體材料性能和結構的測試和分析，是半導體材料研究和開發的重要方面。圖書目錄 前言 第1章 電阻率測試 第2章...
3.3.1 ZnnOn（n=2～13）團簇的結構、穩定性和電子特性 39 3.3.2 Zn12O12團簇的結構和穩定性 41 3.3.3 Zn12O12團簇聚合的生長規律 42 3.3.4 基於Zn12O12團簇組裝材料的電子結構和性質 47 3.4 結論 49 參考文獻 49 ...
微波半導體 器件由於性能優異、體積小、重量輕和功耗低等特性，在防空反導、電子戰等系統中已得到廣泛的套用 。分類 晶體二極體 晶體二極體的基本結構是由一塊 P型半導體和一塊N型半導體結合在一起形成一個 PN結。在PN結的交界面處，...
1.2.3 半導體材料的製備技術 8 1.3 半導體材料的套用 9 第2章 半導體材料的物理性能 17 2.1 晶體材料的原子結構 18 2.2 材料的成分參數 21 2.3 材料的巨觀結構特性 21 2.4 材料中電子的能帶結構 22 2.5 缺陷性能 33 2...
263量子級聯雷射器的結構與特性38 27紫外波段氧化鋅量子線陣列雷射器45 271納米氧化鋅激子發光理論46 272氧化鋅量子線陣列的外延生長46 273氧化鋅量子線陣列的雷射發射49 參考文獻52 第3章納米電子材料和器件...
1950年前蘇聯沃爾肯斯坦提出,把催化作用描述為反應分子與催化劑表面之間的一種電子傳遞過程,擔負此傳遞任務的是用作催化劑的半導體(過渡金屬氧化物)的導帶中的自由電子或滿帶(充滿價電子的能級)中的空穴。它闡明固體能帶結構與電學性能,...
製造半導體器件的半導體材料的純度要達到99.9999999%，常稱為“九個9”。在製造半導體器件的過程中會進一步提高材料的純度，單晶體不但純度高，在晶格結構上也是沒有缺陷的，用這樣的單晶體製造的器件才能保證質量。典型的本徵半導體有矽(...
受主雜質接受了一個電子後，成為一個帶負電荷的負離子。這個負離子固定在鍺晶格結構中不能移動，所以不參與導電。在常溫下，空穴數大大超過自由電子數，所以這類半導體主要由空穴導電，故稱為P型或空穴型半導體。P型半導體中，空穴為...
具體地，將利用第一原理方法計算以矽薄膜為基礎的半導體納米材料，模擬納米結構和材料表面重構和弛豫，總結相應的特徵與納米尺度之間的內稟關係；綜合系統的電子結構、電荷分布、波函式特性，明確表征半導體納米器件中載流子空間分布的合適的物理...
2.1.3 半導體中電子的加速度 2.1.4 有效質量的意義 2.2 本徵半導體的導電機構_空穴 2.2.1 空穴 2.2.2 本徵半導體的導電機構 2.3 迴旋共振和等能面 2.3.1 一般情況下的等能面方程 2.4 矽和鍺的能帶結構 2.4.1 矽...
本書較為全面地介紹了電子信息技術和產業中涉及的電子材料的製備方法、結構特徵，電、磁、光等方面的性質，電子元件設計、開發套用所需的材料基礎知識。對電子材料的基本理論進行了敘述，介紹了電子材料的性能、套用和發展趨勢。本書共13...
20世紀50年代起，壓阻效應測量曾作為研究半導體能帶結構和電子散射過程的一種實驗手段，對闡明鍺、矽等主要半導體的能帶結構起過作用。鍺和矽的導帶底位置不同,故其壓阻張量的分量大小情況也不同。N型鍺的π44比π11、π12大得多,...
傳統的陶瓷材料，雖然是不導電的絕緣體，但通過摻雜加熱或其它激發方法，外層價電子獲得足夠能量，擺脫原子核對它的束縛和控制，成為自由電子(或空穴)即可參與導電。特點 導電性能不僅與自由電子激發的難易有關，而且也與晶粒表面及界面特性...
1 結構特性 2 熱學性能 3 彈性性能 4 晶格動力學性質 5 集體效應和回響特性 6 能帶結構：禁頻寬度 7 能帶結構：有效質量 8 形變勢 9 電子親和勢和肖特基勢壘高度 10 光學特性 11 光彈、電光和非線性光學性能 12 ...
本項目的實施將不僅為深入揭示納晶的能級結構特徵、電子特性、電化學反應機理奠定研究基礎；而且對採用表面修飾和能帶工程調製納晶的電子結構/性質，以及對構建基於納晶的高效光電器件都具有重要的指導作用。本項目的創新之處在於首次將薄液膜...
