半導體催化電子理論

半導體催化電子理論;semiconductor catalysis electron theory

1950年前蘇聯沃爾肯斯坦提出，把催化作用描述為反應分子與催化劑表面之間的一種電子傳遞過程，擔負此傳遞任務的是用作催化劑的半導體(過渡金屬氧化物)的導帶中的自由電子或滿帶(充滿價電子的能級)中的空穴。它闡明固體能帶結構與電學性能，吸附鍵性質及催化活性的關係。把氧化物催化劑分為空穴導電的p型與電子導電的n型半導體及絕緣體，助劑通過調節表面的費米(Fermi)能級(電子存在機率為1/2的能級的能量)或者改變電子或空穴密度的方式影響反應活性與選擇性。對於許多涉及氧的反應，p型半導體氧化物最活潑，絕緣體次之，n型半導體氧化物最差。

基本介紹

• 中文名：半導體催化電子理論
• 外文名：半導體催化電子理論
• 提出：1950年前
• 描述：為反應分子與催化劑表面

半導體催化電子理論;semiconductor catalysis electron theory

1950年前蘇聯沃爾肯斯坦提出，把催化作用描述為反應分子與催化劑表面之間的一種電子傳遞過程，擔負此傳遞任務的是用作催化劑的半導體(過渡金屬氧化物)的導帶中的自由電子或滿帶(充滿價電子的能級)中的空穴。它闡明固體能帶結構與電學性能，吸附鍵性質及催化活性的關係。把氧化物催化劑分為空穴導電的p型與電子導電的n型半導體及絕緣體，助劑通過調節表面的費米(Fermi)能級(電子存在機率為1/2的能級的能量)或者改變電子或空穴密度的方式影響反應活性與選擇性。對於許多涉及氧的反應，p型半導體氧化物最活潑，絕緣體次之，n型半導體氧化物最差。