半導體物理基礎教程

內容簡介

本書全面介紹半導體物理學的基本理論，以物理科學、材料科學與工程、電子技術的眼光全面審視半導體物理的發展過程和進展情況。

本書內容包括半導體的晶體結構、常見半導體的能帶結構、半導體中雜質和缺陷效應、載流子的統計計算方法、半導體導電特性、光電導效應、光伏效應、金屬半導體的接觸特性、半導體同質PN結、半導體異質結構、MOS結構的特性及套用、半導體發光特性、半導體量子限域效應、半導體磁效應、半導體隧穿效應等，以及建立在此基礎之上的各種半導體器件的原理和套用問題。

本書可作為高等院校電子信息類本科專業的半導體物理課程教材，也可供相關科技人員參考.

圖書目錄

第1章半導體晶體結構

1.1晶體與非晶體

1.2晶體結構

1.3半導體的晶體結構

習題

第2章半導體的能帶

2.1能帶的形成

2.2半導體中電子共有化運動與能帶的量子力學描述

2.3半導體中的E(k)~k關係及有效質量

2.4矽、鍺和砷化鎵的能帶結構

2.5本徵半導體、本徵激發和空穴

2.6能帶理論套用舉例

習題

第3章雜質半導體和雜質能級

3.1間隙式雜質和替位式雜質

3.2施主和受主

3.3雜質補償

3.4深能級雜質

習題

第4章半導體中的平衡載流子

4.1加權求和和加權平均

4.2理想氣體分子按速率的分布

4.3導帶電子濃度與價帶空穴濃度

4.4本徵載流子濃度與本徵費米能級

4.5雜質半導體的載流子濃度

習題

第5章半導體中載流子的輸運現象

5.1半導體中載流子的運動形式

5.1.1無規則運動——熱運動

5.1.2有規則運動

5.2主要散射機構以及遷移率與平均自由時間的關係

5.3遷移率、電阻率與雜質濃度和溫度的關係

5.4強電場效應

5.5耿氏效應

5.5.1伏安特性

5.5.2νd~ε特性

5.5.3雙谷模型理論

習題

第6章非平衡載流子

6.1過剩載流子及其產生與複合

6.2非平衡載流子的壽命

6.3準費米能級

6.4載流子的擴散運動、愛因斯坦關係

6.5連續性方程

習題

第7章pn結

7.1pn結的單嚮導電性

7.1.1平衡pn結

7.1.2pn結的伏安特性

7.2pn結電容

7.2.1勢壘電容

7.2.2擴散電容

7.3pn結擊穿

7.4pn結隧道效應

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