《半導體光學性質》是1992年科學出版社出版的圖書，作者是沈學礎。
《半導體光學性質》是1992年科學出版社出版的圖書，作者是沈學礎。內容簡介本書共九章。包括:半導體的光學常數、半導體帶間光躍遷的基本理論、半導體的發光光譜和輻射複合、半導體的喇曼散射等章目。1圖書目錄目錄第一章 半導體的...
30年代開始的對半導體基本物理特性（如能帶結構、電子躍遷過程等）的研究，特別是對半導體光學性質的研究為半導體光電子器件的發展奠定了物理基礎。1962年，R.N.霍耳和M.I.內森研製成功注入型半導體雷射器，解決了高效率的光信息載波源，擴展了光電子學的套用範圍，光電子器件因而得到迅速發展。分類 分為三大類：①...
《半導體光譜和光學性質》是2002年科學出版社出版的圖書，作者是沈學礎。該書可作為光電子物理、凝聚態光譜、半導體光電子物理和技術、信息科學等領域的研究生教材及相關研究的科技人員的參考讀物。內容簡介 《半導體光譜和光學性質(精)》系統論述了半導體及其超晶格、量子阱、量子線以及廊子點結構等的光譜和光學性質。從...
《氮化物半導體非對稱耦合微納結構光學性質研究》是依託廈門大學，由張保平擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 製作氮化物InGaN/GaN非對稱耦合量子阱(ACQW)並對其物理光學性能進行研究，探討其在氮化物光電子器件中的套用。與一般的單量子阱或多量子阱相比，ACQW結構可以實現不同量子阱中載流子的隧穿注入，有利於實現較...
本項目從理論上研究磁場下纖鋅礦半導體量子線中摻入少量磁性雜質如Mn離子後的光學和磁學性質，所採用的研究方法是有效質量包絡波函式近似。當加入外場時，有效質量包絡波函式近似是研究低維半導體材料非常有效的方法。尤其在前面的工作中我們從理論上推導出了纖鋅礦半導體量子線在磁場下的電子和空穴哈密頓量，基於此哈密...
《半導體納米晶體的光學性質》是2003年7月1日蘭州大學出版社出版的圖書，作者是SVGaponeko，譯者是馬錫英。內容簡介 該書首先引出納米晶體電子態的基本物理性質，然後展開了納米晶體的生長、光的吸收和發射、光學非線性化、界面效應及光學晶格的討論。解釋了相關的敏銳器件，如新型光發射和光開關器件的基本物理原理等。...
《低維金屬-半導體耦合納米結構中的光學性質研究》是依託北京郵電大學，由閻結昀擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 套用金屬表面等離激元振盪於未來的通訊和信息處理是以對其的產生、控制、轉化等的深入研究為基礎的；而金屬與半導體的集成使得表面等離激元振盪與半導體納米結構中的激子、聲子等元激發的相互作用...
★9.5 GaN基半導體異質結構 ★9.5.1 GaN,AlGaN和InGaN的極化效應 ★9.5.2 Al x Ga 1- x N/GaN異質結構中二維電子氣的形成 ★9.5.3 In x Ga 1- x N/GaN異質結構 9.6 半導體超晶格 習題 參考資料 第10章 半導體的光學性質和光電與發光現象 10.1 半導體的光學常數 10.1.1 折射率和吸收係數 ...
由襯底上塗覆一層高電阻率的非晶半導體電導薄膜和為降低暗電流而設的阻擋層所構成。它利用非晶體薄膜的電荷存儲和光電導特性，使得由電暈放電而充電的薄膜表面產生與光學圖像對應的靜電圖像，記錄在薄膜上的靜電圖像則通過對染料顆粒的靜電吸引而取出。50年代，靜電複印機感光體採用非晶Se、Se－Sb等硫系非晶半導體材料。...
第10章 半導體的光學與光電性質 224 10.1 半導體的光學性質 224 10.1.1 折射率和吸收係數 224 10.1.2 反射率和透射率 225 10.1.3 半導體的色散與極化率 227 10.2 半導體的光吸收 232 10.2.1 帶間直接躍遷 234 10.2.2 帶間間接躍遷 235 10.2.3 激子吸收 236 10.2.4 雜質缺陷吸收 237 10.2...
單片集成光路多採用GaAs/AlGaAs和InP/InGaAsP異質結構,前者波長在0.7微米至0.9微米間，後者在1.3微米至 1.6微米間。為了獲得良好的電學性質、光學性質和可靠性等，異質結構晶格常數必須與半導體及與之相接的金屬和電介質的物理常數(如膨脹係數、折射率等)相匹配。為實現高速調製運轉，光路中寄生阻抗和電容必須減...
論文作者 王榮瑤著 導師 徐積仁研究員,鄒炳瑣副研究員指導 學科專業 光學 學位級別 d 1998n 學位授予單位 中國科學院物理研究所 學位授予時間 1998 關鍵字 有機－無機複合納米微粒 非線性光學性質 館藏號 唯一標識符 108.ndlc.2.1100009031010001/T3F24.012002604926 館藏目錄 BSLW 1999 TN304.9 6\ \
第一章 半導體中的電子狀態 第二章 半導體中雜質和缺陷能級 第三章 半導體中載流子的統計分布 第四章 半導體的導電性 第五章 非平衡載流子 第六章 p—n結 第七章 金屬和半導體的接觸．第八章 半導體表面與MIs結構 第九章 異質結 第十章 半導體的光學性質和光電與發光現象 第十一章 半導體的熱電性質 第十二章...
金屬自旋電子器件提供了存儲和閱讀硬碟、磁帶或者MRAM上信息的新方法，而半導體自旋電子學則提供更加豐富的套用方式。套用半導體自旋電子學能夠發展一種集成存儲、探測、邏輯和通信功能於一體的單個晶片，來代替多個部件。例如，它可以比現在的MRAM原型更好地集成MTJ和矽基電子學器件。半導體的光學性質也特別有利於轉換磁學...
第3章 二維半導體結構與聲子譜 28 3.1 晶體振動的一般理論 28 3.2 二維半導體的聲子色散關係 30 3.3 力學性質 33 參考文獻 34 第4章 二維半導體的光學性質 35 4.1 半導體的帶間躍遷 35 4.2 激子效應 38 4.3 MX（M=Sn,Ge;X=S,Se）的光學性質 41 4.4 黑磷多層的光學性質 ...
《新型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體發光材料的光學性質研究》是依託廈門大學，由鄭健生擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 採用RAPD技術和等位基因酶電泳技術研究了櫛孔扇貝及魁蚶、泥蚶等海洋貝類的遺傳多樣性，通過多態位點比例、雜合度、隨機擴增多態DNA片段共享度、遺傳距離、相似性係數等參數的計算分析表明，在櫛孔扇貝幾個...
《半導體光學 》是科學出版社出版的圖書。本書涉及物理學、材料科學和光電子學等相關領域，對紅外光-可見光-紫外光範圍內的半導體光學進行了詳細講解。本書簡介 本書在第二版基礎上進行了更新和擴展，對紅外光-可見光-紫外光範圍內的半導體光學作了回顧和總結，內容包括：線性和非線性光學性質，動力學特性，磁光學...
《半導體材料物理基礎》由蘭州大學出版社出版。《半導體材料物理基礎》：中國加拿大高等教育項目資助材料學翻譯叢書。《半導體材料物理基礎》共分九章，內容包括：半導體的電子能帶結構、振動性質及電子·聲子互作用、缺陷的電學性質、光學性質等。中國加拿大高等教育項目資助。目錄 第一章 緒論 1.1 半導體簡介 1.1.1 ...
半導體量子點的生長和性質成為當今研究的熱點，最為常用的製備量子點的方法是自組織生長方式。量子點中低的態密度和能級的尖銳化，導致了量子點結構對其中的載流子產生三維量子限制效應，從而使其電學性能和光學性能發生變化，而且量子點在正入射情況下能發生明顯的帶內躍遷。這些性質使得半導體量子點在單電子器件、存貯器...
熱學性質：氮化鎵具有優異的熱傳導性能，相對於其他半導體材料來說是較高的。這種高熱導率使得氮化鎵器件在工作時能夠有效地散熱，降低溫度梯度，提高器件的性能和可靠性。此外，氮化鎵的熱膨脹係數相對較小，這意味著在溫度變化時，它不易發生尺寸變化和形變，有助於保持器件的結構穩定性。光學性質：氮化鎵在可見光區域...
總的來說，寬禁帶的半導體材料，激子束縛能較大，而激子玻爾半徑則比較小.而禁帶較窄的材料，其激子電離能較小，激子玻爾半徑則較大。激子效應 激子效應對半導體中的物理過程和光學性質具有重要的影響.激子的吸收和複合直接影響半導體的光吸收和發光，而且，作為固體中的一種元激發，其狀態與母體材料的電子能帶性質和...
電子工業中廣泛用於製造半導體收音機、錄音機、電冰櫃、彩電、錄像機、電子計算機等的基礎材料。由乾燥矽粉與乾燥氯化氫氣體在一定條件下氯化，再經冷凝、精餾、還原而得。多晶矽可作拉制單晶矽的原料，多晶矽與單晶矽的差異主要在物理性質方面。例如，在力學性質、光學性質和熱學性質的各向異性方面，遠不如單晶矽明顯；在...
