北京天科合達半導體股份有限公司於2006-09-12在海淀分局登記成立。法定代表人楊建。
基本介紹
- 中文名:北京天科合達半導體股份有限公司
- 公司類型:其他股份有限公司(非上市)
- 登記機關:海淀分局
- 成立時間:2006年09月12日
- 發照時間:2016-04-11
北京天科合達半導體股份有限公司於2006-09-12在海淀分局登記成立。法定代表人楊建。
北京天科合達半導體股份有限公司於2006-09-12在海淀分局登記成立。法定代表人楊建。發展歷程2006年09月12日,北京天科合達半導體股份有限公司在海淀分局登記成立。2022年11月,北京天科合達半導體股份有限公司發...
楊建 楊建,現任北京天科合達半導體股份有限公司黨支部書記、總經理。 人物經歷 現任北京天科合達半導體股份有限公司黨支部書記、總經理。所獲榮譽 2023年9月,獲得“北京市優秀中國特色社會主義事業建設者”稱號。2024年4月,獲得2024年首都勞動獎章。
江蘇天科合達半導體有限公司 江蘇天科合達半導體有限公司於2018年10月25日成立。法定代表人楊建,公司經營範圍包括:半導體的技術開發、生產與銷售;碳化矽技術諮詢、技術服務、技術轉讓;貨物或技術進出口(國家禁止或涉及行政審批的貨物和技術進出口除外)等。
2022年4月28日,中建一局集團建設發展有限公司國家游泳中心冬奧會冰壺場館改造暨偉大征程舞台搭建項目部被中華全國總工會表彰為2022年全國工人先鋒號。2022年4月,中建一局集團建設發展有限公司被表彰為“北京市五四紅旗團委”。2024年1月,中建一局集團建設發展有限公司所參建的北京環球影城主題公園(一期)項目、嘉興市...
深圳市第三代半導體材料產業園是2024年2月27日由北京天科合達半導體股份有限公司、深圳市重大產業投資集團等各方共同投資建立的產業園。產業園簡介 深圳市第三代半導體材料產業園的總投資32.7億元,重點布局6英寸碳化矽單晶襯底和外延生產線,預計今年襯底和外延產能達25萬片,將進一步補強深圳第三代半導體“虛擬全產業...
彭同華,男,1980年9月出生於湖北省監利市,2004年畢業於湖北大學,2009年在中國科學院物理研究所獲得博士學位,現為北京天科合達半導體股份有限公司常務副總經理,研究方向為第三代半導體材料。其攻克了高質量大尺寸碳化矽晶體生長關鍵核心技術,創建了一條開盒即用的碳化矽襯底超精密加工技術路線,建成了自主智慧財產權的...
《導電碳化矽單晶片電阻率測量方法—非接觸渦流法》是2019年12月31日實施的一項行業標準。起草人 張岩、趙然、李龍遠、劉素娟、趙子強、鄭紅軍、陸敏、劉春俊、王文軍、劉禕晨、林雪如、陳鵬、韓超。起草單位 中關村天合寬禁帶半導體技術創新聯盟、中科鋼研節能科技有限公司,北京天科合達半導體股份有限公司、中國科學院...
北京天科合達半導體股份有限公司 北京愛康宜誠醫療器材有限公司 北京市昌平區勞動人事爭議仲裁院 北京市昌平區南口醫院 北京城谷恆泰房地產開發有限公司 北京達三江電器設備廠 北京華遠農副產品綜合批發市場有限公司 中國石油國際勘探開發有限公司 北京康樂衛士生物技術股份有限公司 北京亦莊智慧型城市研究院集團有限公司 ...
06年5月,全資子公司匯合達與中科院物理研究所等組建北京天科合達藍光半導體有限公司(09年天科合達引進新股東,增資完成後,天科合達註冊資本為10375萬元,匯合達持股40.8%),以中科院物理研究所專利技術在北京進行碳化矽晶體研究和中試生產,從而進入第三代半導體材料碳化矽晶片產業,成為全球碳化矽晶片的主要供應商。
2018年,獲得北京高校卓越青年科學家項目資助。2019年,入選中組部萬人計畫科技創新人才。2023年8月,入選中國科學院數學物理部院士增選有效候選人。主要成就 科研成就 科研綜述 翟薈的研究方向為冷原子物理。其預言的條紋超流相等多項新物態、新現象,被麻省理工學院諾貝爾獎得主等中國國內外實驗組證實,合作開展了國際上...
2004年畢業於中南大學湘雅醫學院;2009年獲中國協和醫科大學(北京協和醫學院)博士學位;2010年赴義大利SanRaffaele 大學及San Donato醫院訪問學者;2011年赴美國Nationwide Children’s Hospital 訪問學者;2016年雲南省阜外心血管病醫院執行院長;2020年中國醫學科學院阜外醫院院長助理;2022年中國醫學科學院阜外醫院副院長...
《碳化矽單晶位錯密度的測試方法》是2023年5月1日開始實施的一項中國國家標準。編制進程 2022年10月14日,《碳化矽單晶位錯密度的測試方法》發布。2023年5月1日,《碳化矽單晶位錯密度的測試方法》實施。起草工作 主要起草單位:北京天科合達半導體股份有限公司、有色金屬技術經濟研究院有限責任公司。主要起草人 :彭同華...
主要起草單位:廣東天域半導體股份有限公司、有色金屬技術經濟研究院有限責任公司、北京第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、山東天岳先進科技股份有限公司、河北同光半導體股份有限公司、北京大學東莞光電研究院、山西爍科晶體有限公司、河北普興電子科技股份有限公司、北京天科合達半導體股份有限公司、中國電子科技集團公司第...
中關村天合寬禁帶半導體技術創新聯盟、瀚天天成電子科技(廈門)有限公司、全球能源網際網路研究院、東莞天域半導體科技有限公司、北京天科合達半導體股份有限公司、中國電子科技集團公司第五十五研究所。主要內容 本標準規定了碳化矽(4H-SiC)外延層載流子濃度的測定方法─汞探針電容-電壓法。本標準適用於單層同質碳化矽外延層...