《碳化矽晶體材料缺陷圖譜》是2024年7月1日開始實施的一項中國國家標準。
基本介紹
- 中文名：碳化矽晶體材料缺陷圖譜
- 外文名：Collection of metallographs on defects in silicon carbide crystal materials
- 標準類別：基礎
- 標準號：GB/T 43612-2023
編制進程,起草工作,
編制進程
2023年12月28日，《碳化矽晶體材料缺陷圖譜》發布。
2024年7月1日，《碳化矽晶體材料缺陷圖譜》實施。
起草工作
主要起草單位：廣東天域半導體股份有限公司、有色金屬技術經濟研究院有限責任公司、北京第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、山東天岳先進科技股份有限公司、河北同光半導體股份有限公司、北京大學東莞光電研究院、山西爍科晶體有限公司、河北普興電子科技股份有限公司、北京天科合達半導體股份有限公司、中國電子科技集團公司第十三研究所、中國科學院半導體研究所、湖州東尼半導體科技有限公司、中國電子科技集團公司第四十六研究所、中電化合物半導體有限公司、南京國盛電子有限公司、哈爾濱科友半導體產業裝備與技術研究院有限公司、新美光（蘇州）半導體科技有限公司、江蘇卓遠半導體有限公司。
主要起草人：丁雄傑、劉薇、韓景瑞、賀東江、李素青、丁曉民、張紅、李煥婷、張紅岩、楊昆、李斌、尹浩田、高偉、路亞娟、佘宗靜、王陽、鈕應喜、晏陽、姚康、金向軍、吳殿瑞、李國鵬、張新峰、趙麗麗、張勝濤、夏秋良、李國平。
