《一種利用氮化硼提高碳化矽陶瓷生長速率的方法》是濰坊工商職業學院於2021年2月3日申請的專利，該專利公布號為CN112979318A，專利公布日為2021年6月18日，發明人是戴培贇、王東娟、李曉麗、殷銘良、張吉亮、路金喜。
基本介紹
- 中文名：一種利用氮化硼提高碳化矽陶瓷生長速率的方法
- 授權公告號：CN112979318A
- 授權公告日：2021年6月18日
- 申請號：2021101516703
- 申請日：2021.02.03
- 申請人：濰坊工商職業學院
- 地址：262234山東省濰坊市諸城市密州街道鳳凰路5600號
- 發明人：戴培贇; 王東娟; 李曉麗; 殷銘良; 張吉亮; 路金喜
- Int. Cl.：C04B35/565(2006.01)I; C04B35/622(2006.01)I; C04B35/626(2006.01)I
- 專利代理機構：北京東方盛凡智慧財產權代理事務所(普通合夥)11562
- 代理人：王穎
專利摘要
本發明涉及碳化矽陶瓷製備領域，具體涉及一種利用氮化硼提高碳化矽陶瓷生長速率的方法。包括將碳化矽原料置於高純石墨坩堝中，採用物理氣相輸運法製備碳化矽陶瓷，所述碳化矽原料在高純石墨坩堝中自下而上分為三層，分別為碳化矽和澱粉形成的混合粉料A層，碳化矽和氮化硼形成混合粉料B層以及碳化矽粉形成的粉料C層。本發明技術方案通過將三種不同粉料分層放置，在提高碳化矽陶瓷生長速率的同時避免了由於生長速率過快所導致的碳化矽晶體缺陷的產生，保證了碳化矽陶瓷的緻密性。
