動態隨機訪問存儲器

動態隨機存取存儲器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容記憶體儲電荷的多寡來代表一個二進制比特（bit）是1還是0。由於在現實中電晶體會有漏電電流的現象，導致電容上所存儲的電荷數量並不足以正確的判別數據，而導致數據毀損。因此對於DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由於這種需要定時刷新的特性，因此被稱為“動態”存儲器。相對來說，靜態存儲器（SRAM）只要存入數據後，縱使不刷新也不會丟失記憶。

基本介紹

• 中文名：動態隨機訪問存儲器
• 外文名：Dynamic Random Access Memory

簡介

動態隨機存取存儲器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容記憶體儲電荷的多寡來代表一個二進制比特（bit）是1還是0。由於在現實中電晶體會有漏電電流的現象，導致電容上所存儲的電荷數量並不足以正確的判別數據，而導致數據毀損。因此對於DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由於這種需要定時刷新的特性，因此被稱為“動態”存儲器。相對來說，靜態存儲器（SRAM）只要存入數據後，縱使不刷新也不會丟失記憶。

與SRAM相比，DRAM的優勢在於結構簡單——每一個比特的數據都只需一個電容跟一個電晶體來處理，相比之下在SRAM上一個比特通常需要六個電晶體。正因這緣故，DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的，DRAM也有訪問速度較慢，耗電量較大的缺點。

與大部分的隨機存取存儲器（RAM）一樣，由於存在DRAM中的數據會在電力切斷以後很快消失，因此它屬於一種易失性存儲器（volatile memory）設備。

工作原理

DRAM通常以一個電容和一個電晶體為一個單元排成二維矩陣，左圖所示是一個4×4的矩陣。基本的操作機制分為讀(Read)和寫(Write)，讀的時候先讓Bitline(BL)先充電到操作電壓的一半，然後在把電晶體打開讓BL和電容產生電荷共享的現象，若內部存儲的值為1，則BL的電壓會被電荷共享抬高到高於操作電壓的一半，反之，若內部存儲的值為0，則會把BL的電壓拉低到低於操作電壓的一半，得到了BL的電壓後，在經過放大器來判別出內部的值為0和1。寫的時候會把電晶體打開，若要寫1時則把BL電壓抬高到操作電壓使電容上存儲著操作電壓，若要寫0時則把BL降低到0伏特使電容內部沒有電荷。

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