功率增益（power gain）是1998年公布的電氣工程名詞。
基本介紹
- 中文名：功率增益
- 外文名：power gain
- 所屬學科：電氣工程
- 公布時間：1998年
公布時間,出處,
功率增益
相關詞條
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dBi 和dBd :dBi和dBd是考徵增益的值（功率增益），兩者都是一個相對值， 但參考基準不一樣。dBi的參考基準為全方向性天線，dBd的參考基準為偶極子，所以兩者略有不同。一般認為，表示同一個增益，用dBi表示出來比用dBd表示出來要大...
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dBi和dBd是功率增益的單位，兩者都是相對值，但參考基準不一樣。dBi的參考基準為全方向性天線；dBd的參考基準為偶極子。一般認為dBi和dBd表示同一個增益，用dBi表示的值比用dBd表示的值要大2.15。（即 dBi=dBd+2.15）。G(dBi)=...
- 電晶體高頻優值
電晶體高頻優值，科學術語，是一個全面反映BJT的頻率和功率性能的參數。BJT的最大功率增益Gpm與工作頻率平方f2的乘積（即Gpm×f2）就稱為電晶體的高頻優值，也稱為功率增益-頻寬乘積。實際上高頻優值也就是最高振盪頻率的平方（即fm2...
- 微波散射參量
S = b₁ / a₂ | 反向轉移功率增益 (在輸入端負載匹配時)。s-參量與y、h、z等其它參量之間可相互轉換，例如：h11 = [ (1+ s11) (1+ s22) - s12 s21 ] Z0 / [ (1- s11) (1+ s22) + s12 s21 ] ，h12 ...
- 單極共射放大電路
單極共射放大電路是基本的放大電路，在放大器的三種組態中，共射放大電路的功率增益最大，但是頻寬最窄。對放大器的直流分析採用直流等效電路，對交流分析採用交流等效電路。交流參數 電壓增益 電壓增益並不是一個恆定不變的參數，從概念...
- BFS520
BFS520矽超高頻低噪聲功率管是一種基於N型外延層的電晶體。具有高功率增益、低噪聲特性、大動態範圍和理想的電流特性。簡介 主要套用於超高頻低噪聲功率管主要套用於VHF，UHF，CATV,無線遙控、射頻模組等高頻寬頻低噪聲放大器。該晶片原...
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2SC3838矽超高頻低噪聲功率管是一種基於N型外延層的電晶體。具有高功率增益、低噪聲特性、大動態範圍和理想的電流特性。產品簡介 主要套用於超高頻低噪聲功率管主要套用於VHF，UHF，CATV,無線遙控、射頻模組等高頻寬頻低噪聲放大器。該晶片...
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- 共基極放大電路
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- 導體場效應電晶體
Gp---功率增益 Gps---共源極中和高頻功率增益 gpg---共柵極中和高頻功率增益 GPD---共漏極中和高頻功率增益 ggd---柵漏電導 gds---漏源電導 K---失調電壓溫度係數 Ku---傳輸係數 L---負載電感（外電路參數）LD---漏極...
- 共發射極放大器
共發射極放大器，能夠把微弱的信號放大的輸入的交流信號電壓疊加在直流上，使電晶體基極、發射極之間的正向電壓發生變化，通過電晶體的控制作用，使集電極處於反向偏置，以使電晶體起到放大作用。工作原理 1、放大倍數（增益）①：Kp=Po/...
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如I太小，電晶體功率增益太低，使N上升；如I太大，又由於電晶體的散粒和分配噪聲增加，也使N上升。所以I為某一值時，N可以達到最小。從圖10.3.4中還可看出，對於不同的信號源內阻R，最佳的I也不同圖10.3.4電晶體的N與I的...
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