劉彩池

劉彩池：女， 1964年5月生，教授，博士後。2004年被列入教育部新世紀優秀人才支持計畫，河北省新世紀三三三人才，河北省高校中青年骨幹教師，河北工業大學信息功能材料研究所副所長，無機非金屬材料系副主任，中國有色金屬學會半導體材料學術委員會委員，中國電子學會高級會員。

研究方向：半導體缺陷工程、半導體光電子材料及套用

基本介紹

• 中文名：劉彩池
• 國籍：中國
• 民族：漢
• 出生日期： 1964年5月

論文及著作：

近年來發表學術論文90餘篇，其中收入三大索引30餘篇，出版（合）譯著1部。

1. Investigation of oxygen precipitation and intrinsic gettering in heavily Sb-doped silicon, Microelectronic Engineering, 66(2003)340 (SCI,EI)

2. Study on the oxygen concentration reduction in heavily Sb-doped silicon, J. Crystal Growth, 196(1999)111 (SCI,EI)

3. Investigation of flow pattern defects in as-grown and rapid thermal annealed CZSi wafers，J. Crystal Growth, 262(2004)1-6 (SCI,EI)

4. Evolution of flow pattern defects in boron-doped <100> Czochralski silicon crystals during secco etching procedure，J. Crystal Growth, 269(2004)310 (SCI,EI)

5. Multivacancy clusters in neutron irradiated silicon, J. Appl. Phys. 78(1995)6458 (SCI,EI)

6. Fast neutron irradiation for Czochralski silicon，Appl. Phys. Lett., 65(22)(1994)2807-8 (SCI)

7. The Marangoni Convection and the Oxygen Concentration in Czochralski-grown Silicon， J. Crystal Growth, 254 (2003) 298 (SCI,EI)

8. Growth of semiconductor crystals under the equivalent micro-gravity, Microelectronic Engineering 66 (2003) 542 (SCI,EI)

9. Growth of Czochralski Silicon under magnetic field, Science in China Ser E, 47(3)（2004）281-292 (SCI)

10. 高溫快速退火對重摻銻矽單晶中流動圖形缺陷的影響, 物理學報，54（10）（2005）4863-4866（SCI）

科研項目：

一直從事半導體材料的教學與科研工作。在半導體材料晶體生長、半導體缺陷工程、光電子材料、材料質量與器件性能等方面先後主持國家自然科學基金2項，主研國家自然科學基金、國家科技部攀登計畫、總裝備部預研基金、教育部科學技術研究重點項目等9項，主持省部級科研項目8項，主研省部級科研項目12項。

獲獎情況：

獲河北省科技進步二、三等獎各1項，河北省教育廳科技進步一等獎2項，三等獎1項，獲專利2項。