內容簡介
本書可作為材料、機械、精密儀器、化工、能源、汽車、環境、微電子、計算機、物理、化學、光學等學科本科生及研究生教材,對於從事相關行業的科技工作者和工程技術人員,也具有極為難得的參考價值。
前言
材料一般指具有特定性質,能用於製造有用物品的物質。材料的獲得離不開人的勞動。人們在追求材料更高性價比的同時,在原料、製備、使用、回收再利用等各個環節,必須考慮資源、節能、環境友好等因素。
最早為人類所用的材料,比如石塊、木棒、陶罐、青銅器具、鐵制武器、農具等,種類單一、形式簡單;而今天的汽車、飛機、計算機、平板電視、智慧型手機等,無一不是各種材料的最佳集成,不僅涉及種類繁多的材料、各種材料的性能都發揮到極致,而且處於激烈的競爭和日新月異的變化之中。
材料伴隨著人類社會的進步而進展。由於發展初期的粗放經營,加之近年來環境污染的現狀,一提到材料,人們往往會聯想到鋼鐵、水泥、電解鋁、平板玻璃、多晶矽等,給人的印象是粗放、耗能、低效、污染,似乎與創新和高新技術相距甚遠。因此,無論對於學生還是普通民眾,必須消除對材料的誤解與偏見。
材料是人類一切生產和生活活動的物質基礎,是生產力的體現,被看成是人類社會進步的標誌。在人類發展的歷史長河中,材料起著舉足輕重的作用。對材料的認識和利用的能力,決定著社會的形態和人類生活的質量,歷史學家往往用製造工具的原材料作為歷史分期的標誌。例如石器時代、陶器時代、青銅器時代、鐵器時代、鋼鐵時代、半導體及高分子時代、複合材料及先進功能材料時代等。一部人類文明史,從某種意義上說,也可以稱為世界材料發展史。
材料既古老又年輕,既普通又深奧。說“古老”,是因為它的歷史和人類社會的歷史同樣悠久;說“年輕”,是因為時至今日,它依然保持著蓬勃發展的生機;說“普通”,是因為它與每一個人的衣食住行信息相關;說“深奧”,是因為它包含著許多讓人充滿希望又充滿困惑的難解之謎。可以毫不誇張地說,世界上的萬事萬物,就其和人類社會生存與發展關係密切的程度而言,沒有任何東西堪與“材料”相比。
“材料科學與工程”包括四個基本要素,即材料的成分和結構、材料的製備與加工、材料的性能和材料的套用行為。這四要素之間的密切結合決定了材料科學的發展方向。性質是確定材料功能特性和套用的基準;組成與結構是構成任何一種材料的基礎;而材料的合成、加工與使用性能則是其能否發展的最關鍵的環節。所以材料科學與工程既包括基礎研究和套用研究兩個方面,同時還具有許多學科交叉的特點。
有人常用“一流的設備,二流的人才,三流的管理,四流的材料”來形容某些企業。意思是說,不少新建企業“不差錢”,用大把的人民幣購進嶄新的裝備,用大把的美元從國外購進先進的關鍵設備。同一些國家和地區的企業相比,我們後建的企業,設備普遍比它們的新,有的比它們的更先進,但同樣規模的企業,我們的效益卻望塵莫及。這樣的企業當然生產不出一流的產品。生產不出一流產品的企業,又如何會有一流的人員和一流的管理呢?
影響創新的其他原因暫且不談,單就材料而言,“巧婦難為無米之炊”,在科學發展史上,新材料的出現促使高技術誕生的實例屢見不鮮。例如,20世紀50年代鎳基超級合金的出現,將材料使用溫度由原來的700℃提高到900℃,從而促成超音速飛機問世;而高溫陶瓷的出現則促進了表面溫度高達1000℃的太空梭的發展。與之相似,矽、鍺、化合物半導體材料對於計算機,螢光體材料、液晶材料、各種膜層、特殊玻璃對於顯示器,正極材料、負極材料、電解液、隔離層對於各類電池,猶如水之源、木之本。無一撇一捺,何談人字?
新材料是指新出現或已在發展中的、具有傳統材料所不具備的優異性能和特殊功能的材料。新材料更新換代快、式樣多變,其製備和生產往往與新技術、新工藝緊密相連,其製備及在高技術中的套用需要更綜合的知識和能力。每一種新材料的發現,每一項新材料技術的套用,都會給社會生產和人類的生活帶來巨大改變,把人類文明推向前進。材料工業始終是世界經濟的重要基礎和支柱,隨著社會的進步,材料的內容正在發生重大變化,一些新材料和相應技術正在不斷替代或局部替代傳統材料。
概括起來,材料是人類社會進步的標誌,材料是當代文明的根基,材料是各類產業的基礎,先進材料是高新技術的核心,新材料是國家核心競爭力的體現,材料可以“點石成金,化腐朽為神奇”,材料可以“以不變應萬變”,提高材料的性能永無止境,新材料應該不斷適應技術創新和產業創新。
“創新是一個民族進步的靈魂”。創新是經濟發展的根本現象。創新包括技術創新、管理創新和制度創新。創新應包括五個方面:新產品開發、新技術引入、開闢新的市場、獲得新的資源、創立新的組織。其中,材料創新具有舉足輕重的作用。目前,新材料已成為高新技術產業發展的關鍵、科學創新和技術創新的基礎。“製造材料者製造技術”,無論是原始創新、集成創新還是引進消化吸收再創新,往往都是以新材料作為基礎。
改革開放初期,我們發展的技術起點較低,所需要的技術大都是國外成熟的技術,甚至有些是過時的低端技術,因此從國外購買技術相對容易。然而,這種用大量人民幣從國外購買技術、設備、材料、工藝的現象,是具有明顯的階段性特徵的,是不可能持續的。特別是,“有錢難買新材料”。在一個產業領域,不掌握核心材料,總歸要受制於人。我們不可能永遠擁有低成本的優勢,也不可能靠別人的技術實現我們自己的現代化,這充其量是大而不強。
作為《材料學概論》的續篇,《創新材料學》共分10章,每章涉及一個相對獨立的材料領域,自成體系,內容全面,系統完整。內容包括半導體積體電路材料,微電子封裝和封裝材料,平板顯示器(包括觸控屏和3D顯示)相關材料,半導體固體照明(包括LED和OLED平板顯示器)及相關材料,化學電池(包括一次電池、二次電池和燃料電池)及電池材料,光伏發電和太陽電池材料,核能利用和核材料,能源、信號轉換及感測器材料,電磁兼容——電磁禁止及RFID用材料,環境友好和環境材料,涉及高新技術的各個領域。對於這些高新技術產業來說,熟悉了其中所用的各種關鍵材料,也就了解了技術精髓和來龍去脈;掌握了這些關鍵材料,便成功了一大半。因此,本書所討論的既是高新技術中所採用的新材料,也是新材料在高新技術中的套用。
本書在每章之下採用“節節清”的論述方式,左文右圖,圖文對照,並給出“本節重點”。內容豐富,重點突出;層次分明,思路清晰;選材新穎,強調套用;綱舉目張,脈絡清楚。本課程既不是海闊天空的漫談,也不是基礎理論課程的壓縮,更不是甲、乙、丙、丁開中藥鋪。在內容上避免深、難、偏、窄、玄,強調淺、寬、新、活、鮮。在占有大量資料的前提下,採用圖文並茂的形式,全面且簡明扼要地介紹各類材料的新進展、新性能、新進展、新套用,力求深入淺出,通俗易懂。千方百計使知識新起來、動起來、活起來,力求做到有聲有色,栩栩如生。
本課程教學的最終目標是培養同學開發新材料的創新能力,而創新能力需要建立在學習理解能力、綜合運用知識能力、系統分析問題能力和創造能力基礎上。內容論述始終圍繞這一目標而展開,通過分析最前沿的實際問題,從各方面增強同學的創新意識,幫助他們樹立創新的理念和思維,積累創新的動力和本領,培養他們成為具有獨立思考,勇於創新的人才。
本書可作為材料、機械、微電子、計算機、顯示器、精密儀器、汽車、能源、環境、化工、物理、化學、光學、建築、交通運輸等學科本科生及研究生教材,對於從事相關行業的科技工作者和工程技術人員,也有極為難得的參考價值。
本書得到清華大學“985”名優教材立項資助並受到清華大學材料學院的全力支持。劉偉、陳娟、程利霞、吳微微博士參加了本書的部分輔助工作。在此一併表示感謝。
作者水平有限,不妥或謬誤之處在所難免,懇請讀者批評指正。
2015年6月
圖書目錄
第1章半導體和積體電路材料
1.1何謂積體電路(IC)2
1.1.1從分立元件到積體電路
1.1.2由矽圓片到晶片再到封裝
1.1.3三極體的功能——可以比作通過水閘的水路
1.1.4MOS型與雙極性電晶體的比較
1.2存儲器IC(DRAM)和邏輯LSI的進展4
1.2.1半導體積體電路的功能及按規模的分類
1.2.2從存儲器到CPU和系統LSI(SoC)
1.2.3存儲器IC按功能的分類
1.2.4DRAM中電容結構的變遷和三維結構存儲單元
1.3積體電路發明逾50年——兩人一小步,人類一大步6
1.3.1CMOS構造的斷面模式圖(p型矽基板)
1.3.2快閃記憶體單元三極體“寫入”、“擦除”、“讀出”的工作原理
1.3.3積體電路發明逾半個世紀歷史回眸
1.3.4新器件靠材料和製程的革新而不斷進展
1.4從矽石到金屬矽,再到99.999999999%的高純矽8
1.4.1“矽是上帝賜給人類的寶物”
1.4.2從矽石原料到半導體元器件的製程
1.4.3從矽石還原為金屬矽
1.4.4多晶矽的析出和生長
1.5從多晶矽到單晶矽棒10
1.5.1改良西門子法生產多晶矽
1.5.2直拉法(Czochralski法)拉制矽單晶
1.5.3區熔法製作單晶矽
1.5.4拋光片、外延片和SOI
1.6從單晶矽棒到晶圓12
1.6.1先要進行取向標誌的加工
1.6.2將矽坯切割成一片一片的矽圓片
1.6.3按電阻對絕緣體、半導體、導體的分類
1.6.4pn結中雜質的能級
1.7從晶圓到IC(1)——氧化與擴散工藝14
1.7.1塗布光刻膠——製作圖形的第一步
1.7.2曝光,顯影
1.7.3絕緣膜的作用——絕緣、隔離、LSI的保護
1.7.4熱氧化法——製取優良的絕緣膜
1.8從晶圓到IC(2)——掩模與蝕刻工藝16
1.8.1雜質的擴散法之一——熱擴散法
1.8.2雜質的擴散法之二——離子注入法
1.8.3圖形加工方法之一——濕法刻蝕
1.8.4圖形加工方法之二——乾法刻蝕
1.9DRAM元件和邏輯LSI元件中使用的各種薄膜18
1.9.1DRAM元件結構及使用的各種薄膜
1.9.2邏輯LSI元件的結構和使用的各種薄膜
1.9.3用於VLSI的薄膜種類和製作方法
1.9.4用於VLSI製作的CVD法
1.10IC製作中的薄膜及薄膜加工——PVD法20
1.10.1真空蒸鍍
1.10.2離子濺射和濺射鍍膜
1.10.3平面磁控濺射
1.10.4晶圓流程中的各種處理室方式
1.11IC製作中的薄膜及薄膜加工——CVD法22
1.11.1用於VLSI製作的CVD法分類
1.11.2CVD中主要的反應裝置
1.11.3電漿CVD(PCVD)過程中傳輸、反應和成膜的過程
1.11.4離子注入原理
1.12Cu布線代替Al布線24
1.12.1影響電子元器件壽命的大敵——電遷移
1.12.2斷線和電路缺陷的形成原因和預防、修補措施
1.12.3Cu布線代替Al布線的理由
1.12.4用電鍍法即可製作Cu布線
1.13曝光光源向短波長進展和乾法刻蝕代替濕法刻蝕26
1.13.1步進重複曝光機光源向短波長的進展
1.13.2曝光波長的變遷
1.13.3圖形曝光裝置的分類
1.13.4乾法刻蝕裝置的種類及刻蝕特徵
1.14光學曝光技術28
1.14.1薄膜圖形加工概要
1.14.2對基板的曝光及曝光波長的變遷
1.14.3近接曝光和縮小投影曝光
1.14.4曝光中的各種位相補償措施
1.15電子束曝光和離子注入30
1.15.1電子束曝光
1.15.2LEEPL(低加速電子束近接)曝光
1.15.3離子注入裝置
1.15.4低能離子注入和高速退火
1.16單大馬士革和雙大馬士革工藝32
1.16.1大馬士革工藝即中國的景泰藍金屬鑲嵌工藝
1.16.2Al布線與Cu大馬士革布線的形成方法比較
1.16.3Cu雙大馬士革布線的結構和形成方法
1.16.4由大馬士革(鑲嵌)工藝在溝槽中埋置金屬製作導體布線的實例
1.17多層化布線已進入第四代34
1.17.1第一代多層化布線技術——逐層沉積
1.17.2第二代多層化布線技術——玻璃流平
1.17.3第三代多層化布線技術——導入CMP
1.17.4第四代多層化布線技術——導入大馬士革工藝
1.18摩爾定律繼續有效36
1.18.1半導體器件向巨大化和微細化發展的兩個趨勢
1.18.2“摩爾定律並非物理學定律”
1.18.3“摩爾定律是描述產業化的定律”
1.18.4“踮起腳來,跳起來摘蘋果”
名詞術語和基本概念
思考題及練習題
參考文獻
第2章微電子封裝和封裝材料
2.1微電子封裝的定義和範疇40
2.1.1微電子封裝的發展過程
2.1.2前工程和後工程,電子封裝的功能
2.1.3電子封裝工程的範圍
2.1.4微電子封裝的定義
2.2電子封裝的分類42
2.2.1一級封裝和二級封裝
2.2.2引線鍵合(WB)連線方式
2.2.3倒裝晶片(flipchip)連線方式
2.2.4TAB連線方式
2.3一級封裝工藝(1)44
2.3.1引線鍵合方式及連線結構
2.3.2金絲引線鍵合的工藝過程
2.3.3倒裝晶片(flip-chip)凸點形成方法
2.3.4利用FCB的連線方法
2.4一級封裝工藝(2)46
2.4.1TAB中的內側引線鍵合(ILB)和外側引線鍵合(OLB)
2.4.2採用TAB的IC封裝組裝(TBGA)
2.4.3藉由ACP/ACF粘結實現的COF模式
2.4.4採用FCB的IC封裝組裝(FCBGA)
2.5傳遞模注封裝和環氧塑封料(EMC)48
2.5.1DIP型陶瓷封裝的結構
2.5.2球柵陣列封裝(BGA)的結構
2.5.3傳遞模注塑封工藝流程
2.5.4環氧塑封料(EMC)及各種組分的效果
2.6從半導體二級封裝看電子封裝技術的變遷50
2.6.1半導體封裝外部形狀的變遷
2.6.2LSI封裝按與印製線路板安裝(連線)方式的變遷
2.7三維(3D)封裝52
2.7.1何謂三維封裝?
2.7.2晶片疊層的三維封裝
2.7.3封裝疊層的三維封裝
2.7.4矽圓片疊層的三維封裝
2.8絲網印刷及在電子封裝中的套用54
2.8.1電路圖形(pattern)的各種形成方法
2.8.2印刷圖形的各種不同方法
2.8.3絲網漏印網版構成及絲網印刷工藝
2.8.4絲網印刷電子漿料及製作工藝
2.9高密度封裝對封裝材料的要求56
2.9.1倒裝晶片(FC)封裝的結構
2.9.2倒裝晶片封裝結構中採用的各種新材料
2.9.3按絕緣(介質)材料對電子基板的分類
2.9.4不同介質材料介電常數、熱導率、熱膨脹係數高低的比較
2.10印製線路板(PCB)技術的最新動向58
2.10.1對印製線路板的要求
2.10.2高密度化的發展方向
2.10.3積層式印製線路板的結構及製作工藝
2.11印製線路板的交流特性60
2.11.1印製線路板的交流特性(1)——特性阻抗
2.11.2印製線路板的交流特性(2)——集膚效應
2.11.3印製線路板的交流特性(3)——高頻信號的延遲與失真
2.11.4印製線路板的交流特性(4)——交叉噪聲(串擾)
2.12印製線路板用材料62
2.12.1作為基材的玻璃布
2.12.2熱固性樹脂材料(1)——酚醛樹脂和環氧樹脂
2.12.3熱固性樹脂材料(2)——聚醯亞胺、BT樹脂和A-PPE樹脂
2.12.4熱塑性樹脂材料
2.13電解銅箔和壓延銅箔64
2.13.1電解銅箔的製作工藝
2.13.2壓延銅箔的製作工藝
2.13.3銅箔的表面處理工程
2.13.4電解銅箔和壓延銅箔各有長短,分別適用於不同領域
2.14積層式印製線路板(1)66
2.14.1積層法印製線路板(built-upPCB)的模式圖及斷面照片
2.14.2樹脂覆銅箔(RCC)方式
2.14.3熱固性樹脂方式
2.14.4感光性樹脂方式
2.15積層式印製線路板(2)68
2.15.1ALIVH方式
2.15.2B2it方式
2.15.3轉印法實現多層積層的工藝過程
2.15.4積層法中多層間的連線方式
2.16撓性基板(FPC)70
2.16.1三層法和兩層法撓性基板
2.16.2兩層法FPC——鑄造法、濺鍍/電鍍法、疊層熱壓法製作工藝
2.16.3連線用和補強用撓性基板
2.16.4用於手機和液晶電視封裝的撓性基板
2.17表面貼裝技術(SMT)及無鉛焊料72
2.17.1何謂SMD和SMT
2.17.2表征可靠性隨時間變化的浴缸曲線
2.17.3貼裝器件故障分析
2.17.4無鉛焊料的分類及其特性
2.18無源元器件嵌入(EPD)和有源元器件嵌入(EAD)74
2.18.1從MCM到SiP,SoC和SiP的對比
2.18.2電子元器件內藏(嵌入)基板的定義和分類
2.18.3無源元器件嵌入
2.18.4有源元器件嵌入
2.19利用BossB2it技術進行無源和有源元器件嵌入76
2.19.1電子元器件內藏(嵌入)技術發展簡介
2.19.2利用SIMPACT技術進行無源器件和有源器件的嵌入
2.19.3利用WABEPackage.技術進行無源器件和有源器件的嵌入
2.19.4利用BossB2it技術進行無源器件和有源器件的嵌入
2.20半導體封裝的設計78
2.20.1半導體器件的分類
2.20.2對半導體封裝的要求
2.20.3半導體封裝設計中需要考慮的因素
2.20.4半導體封裝的設計項目
2.21電子封裝發展路線圖80
2.21.1印製線路板的發展趨勢
2.21.2微電子封裝的發展經歷和開發動向
2.21.3LSI封裝的發展動向
2.21.4SiP路線圖
名詞術語和基本概念
思考題及練習題
參考文獻
第3章平板顯示器及相關材料
3.1平板顯示器——被列為戰略性新興產業84
3.1.1從布勞恩管(CRT)顯示器到平板顯示器(FPD)
3.1.2透射型直視式液晶顯示器的基本結構
3.1.3液晶顯示器按用途的分類
3.1.4直視式液晶顯示器的分類
3.2液晶分子的4個組成部分各有各的用處86
3.2.1液晶分子由4個部分組成
3.2.2向列型液晶和層列型液晶
3.2.3膽甾相型液晶分子及其排列
3.2.4在電場作用下可改變分子取向的極性基
3.3液晶顯示器可類比為一個電子窗簾88
3.3.1用於液晶顯示器的液晶材料的分子結構
3.3.2起電子窗簾作用的液晶分子
3.3.3液晶顯示屏的主要構成部件
3.3.4液晶顯示器的組裝結構
3.4液晶顯示原理90
3.4.1TN型液晶顯示器的工作原理
3.4.2用帘子模型說明偏振片的作用
3.4.3電場效應雙折射控制型液晶顯示器的原理
3.4.4液晶光閘的兩種基本工作模式——常白型和常黑型
3.5TFTLCD的驅動92
3.5.1液晶顯示器的兩種基本驅動方式——無源驅動和有源驅動
3.5.2ITO透明電極及其製作方法
3.5.3TFTLCD的像素陣列
3.5.4一個TFTLCD亞像素的結構
3.6TFTLCD的圖像解析度和彩色化94
3.6.1液晶顯示器的圖像如何才能更清晰更逼真
3.6.2圖像解析度單位(ppi)和顯示規格
3.6.3採用數字電壓對像素實施驅動
3.6.4彩色顯示是如何實現的?
3.7TFTLCD陣列基板(後基板)的製作96
3.7.1溢流法製作玻璃基板
3.7.2玻璃是影響液晶顯示器性能的最主要部件之一
3.7.3TFT陣列製作工程
3.7.4驅動TFTLCD的驅動迴路(驅動IC)
3.8TFTLCD濾色膜基板(前基板)的製作98
3.8.1數字電壓信號bit數、灰階數與同時顯示色數的關係
3.8.2濾色濾光片是用哪些步驟製作出來的
3.8.3濾色膜製作於陣列之上的液晶模式
3.8.4撓性液晶顯示器及其結構
3.9液晶屏(盒)製作100
3.9.1TFTLCD的三大製作工序
3.9.2液晶屏(盒)的製造及其製作工藝標準流程
3.9.3如何使液晶分子取向(定向排列)
3.9.4TFTLCD的斷面構造
3.10TFTLCD模組組裝102
3.10.1偏光板的斷面構造
3.10.2液晶模組的組裝
3.10.3液晶模組中所使用的TAB及其連線方式
3.10.4利用ACF實現液晶屏與驅動IC間的連線
3.11ITO透明導電膜104
3.11.1ITO膜為什麼具有良好的導電性?
3.11.2利用物質中的電子運動模型解釋ITO膜的導電率
3.11.3ITO膜為什麼是透明的?
3.11.4簡單矩陣驅動的兩大問題
3.12液晶顯示器產業的飛速進展106
3.12.1液晶顯示技術的4個台階
3.12.2玻璃基板的代——液晶顯示器產業的世代劃分
3.12.3液晶顯示器的套用商品領域
3.12.4薄型顯示器的競爭戰場
3.13液晶電視進入市場的發展歷程108
3.13.1從筆記本電腦到液晶電視的發展過程
3.13.2中國大陸已成為液晶面板生產的主力
3.13.3液晶屏的透射率——如何降低液晶電視的功耗
3.13.4圖像解析度、畫角、觀視距離的最佳配合
3.14液晶電視的技術突破(1)——擴大視角110
3.14.1TN型液晶視角較小的原因
3.14.2擴大視角的幾種技術
3.14.3多疇方式和MVA方式
3.14.4IPS方式和OCB方式
3.15液晶電視的技術突破(2)——提高相應速度112
3.15.1液晶電視提高回響速度的必要性
3.15.2液晶結構的改善——採用OCB和新液晶材料(鐵電性液晶)的開發
3.15.3倍頻驅動和脈衝驅動
3.15.4過調驅動
3.16低溫多晶矽(LTPS)液晶114
3.16.1非晶矽、多晶矽、連續晶界矽和單晶矽的對比
3.16.2多晶矽TFT顯示器是如何製造出來的?
3.16.3多晶矽TFT的結構布置
3.16.4正在開發中的玻璃上系統(systemonglass)液晶
3.17銦鎵鋅氧化物(IGZO)液晶116
3.17.1銦鎵鋅氧化物薄膜電晶體驅動出現的背景
3.17.2何謂銦鎵鋅氧化物薄膜電晶體驅動
3.17.3銦鎵鋅氧化物薄膜電晶體驅動的優勢
3.17.4自整合型頂柵IGZOTFT
3.18液晶投影儀——前投式和背投式118
3.18.1透射型液晶投影儀——HTPS
3.18.2矽上液晶——LCOS
3.18.3常白型和常黑型,透射型和反射型液晶顯示器對比度的比較
3.18.4適合高亮度大畫面的場時序方式
3.19TFTLCD高質量顯示器離不開各種膜層120
3.19.1LCD用光學膜的作用待開發的課題
3.19.2偏光板的製作及其光學特性
3.19.3光學補償膜
3.19.4防眩(AG)膜和防反射(AR)膜
3.20液晶顯示器的背光源122
3.20.1液晶顯示器按照明方式的分類
3.20.2背光源在液晶顯示器中的套用及分類
3.20.3CCFL背光源的組成及結構
3.20.4背光模組中各部件的功能、構成及所用材料
3.21LED背光源124
3.21.1LED背光源的採用和液晶電視的技術革新方向
3.21.2LED背光源在中小型顯示器中的套用
3.21.3直下式和側置式LED背光源
3.21.4LEDTV背光源的發展趨勢
3.22觸控屏的原理和分類126
3.22.1觸控屏(TP)及其工作原理
3.22.2TP按位置分類
3.22.3TP按工作原理的分類
3.22.4觸控屏應具備的特性
3.23電阻式觸控屏128
3.23.1電阻式觸控屏的構成及手指輸入姿式
3.23.2數字式和模擬式電阻膜式觸控屏
3.23.3模擬式電阻膜觸控屏中的一點觸控和多點觸控檢出
3.23.4多點觸控的套用
3.24電容式觸控屏130
3.24.1電容檢出方法
3.24.2自電容方式中發生的鬼點現象及其消除
3.24.3電容式觸控屏的製作工藝
3.24.4決定靜電電容式觸控屏性能的主要參數
3.253D顯示的原理132
3.25.1紅外線掃描型觸控屏和圖像認識型觸控屏
3.25.2超音波表面彈性波方式和聲波照合方式觸控屏
3.25.33D顯示的原理
3.25.4各種3D技術優劣勢解析
3.26採用微柱狀透鏡膜的3D電視134
3.26.1裸眼3D的實現方式
3.26.2透鏡膜3D電視
3.26.3BOM與3D膜的組裝
3.26.4裸眼3D技術的現狀分析
3.27PDP的原理如同螢光燈136
3.27.1螢光燈、PDP、布勞恩管(CRT)發光原理的異同
3.27.2PDP像素的放大圖
3.27.3PDP等離子放電的工作原理
3.27.4PDP放電胞的結構示意
3.28PDP等離子電視的構成及各部分的作用138
3.28.1PDP等離子電視的構成
3.28.2障壁的構造及其作用
3.28.3介電體層及其作用
3.28.4透光電極及其作用
3.29PDP的構成材料及功能140
3.29.1放電氣體的作用
3.29.2PDP用玻璃基板及材料
3.29.3不含有機成分玻璃封接劑的優點
3.29.4AC型PDP的構成材料及功能
3.30PDP屏製作142
3.30.1噴砂法製作障壁
3.30.2PDP螢光體的塗布及燒成
3.30.3顯示屏製作工程概要
3.30.4PDP電視製作工藝路線
3.31PDP如何減低環境負荷和降低功耗144
3.31.1絲網印刷法製作電極
3.31.2光刻法製作銀電極
3.31.3如何降低PDP的環境負荷
3.31.4PDP電視為什麼由盛變衰?
名詞術語和基本概念
思考題及練習題
參考文獻
第4章半導體固體照明及相關材料
4.1發光二極體簡介148
4.1.1何謂二極體
4.1.2何謂光電二極體
4.1.3何謂發光二極體
4.1.4發光二極體的發展簡史
4.2發光二極體的特徵150
4.2.1間接躍遷型和直接躍遷型發光二極體
4.2.2發光二極體的特徵
4.2.3發光二極體與白熾燈泡的比較
4.2.4發光二極體與鹵族燈的比較
4.3Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體LED元件152
4.3.1雷射發光二極體的原理
4.3.2LED的能帶結構
4.3.3化合物半導體中使用的元素在周期表中的位置
4.3.4Ⅲ-Ⅴ族化合物的結構和性能參數
4.4藍光LED的實現技術154
4.4.1GaNMIS外延層結構和早期pn結GaN藍光LED結構
4.4.2同質結GaN藍光LED結構和雙異質結GaN藍光LED
4.4.3單量子阱和多量子阱LED元件結構
4.4.4採用溝道接觸結的LED和低電壓InGaN/GaNLED結構
4.5藍光LED中的關鍵結構——雙異質結、緩衝層和量子阱156
4.5.1LED元件中的雙異質結、緩衝層
4.5.2LED元件中的量子阱
4.5.3DH結構中的能帶結構、載流子濃度分布、電流密度分布的計算實例
4.5.4各種不同結構的LED示意圖
4.6製作藍光LED的關鍵技術158
4.6.1Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體薄膜的外延
4.6.2金屬有機化合物化學氣相沉積和分子束
4.6.3Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的n型摻雜和p型摻雜
4.6.4退火也是關鍵的一步
4.7光的三原色160
4.7.1發光色與色度圖的關係
4.7.2光的三原色和加法混色
4.7.3原子的受激發射過程
4.7.4視感度曲線——人的眼睛對綠色最為敏感
4.8單色LED元件結構和發光效率162
4.8.1LED晶片的各種結構
4.8.2綠光LED和藍光LED涉及的各種技術
4.8.3最高效率的紅光LED的工作模式
4.8.4LED元件各種效率的定義
4.9白光LED器件結構和發光效率164
4.9.1多晶片型和單晶片型白光LED
4.9.2最初的白色LED的實現方式
4.9.3LED器件各種效率的定義
4.9.4輻射量與測光量間的對應關係
4.10白色LED光源的實現方式及其特徵166
4.10.1白色LED照明光源的開發歷史及進展概略(1997—2008年)
4.10.2白色LED照明光源的實現方式——LED發光元件與螢光體組合
4.10.3實現白色LED發光的不同方式及其特徵
4.10.4幾種白色LED光源的特性及套用比較
4.11白色LED的發光效率和色參數168
4.11.1白色LED的構造和發光效率的構成要素
4.11.2InGaN/YAG白色LED的發光色、光譜及顯色評價指數Ra
4.11.3CIE色度學坐標及色組合的實例
4.11.4LED的分光分布實例
4.12如何提高白色LED光源的色品質170
4.12.1眼球構造及視神經細胞
4.12.2白色LED光源的優點及實現白光LED發光的方式
4.12.3幾種白色光源發光光譜的對比
4.12.4幾種常用光源的發光原理
4.13白色LED的指向特性及LED的套用172
4.13.1炮彈型白色LED光源的指向特性
4.13.2平面發光型白色LED光源的指向特性
4.13.3室外用大尺寸高輝度LED顯示屏
4.13.4LED光照溫室用於育秧和植物栽培
4.14白色LED發光器件相關材料(1)——外延基板174
4.14.1白光LED的結構主要由下列材料及部件構成
4.14.2選擇外延基板的原則
4.14.3泡生法製作藍寶石單晶
4.14.4代表性基板單晶材料的性質
4.15白色LED發光器件相關材料(2)——螢光體176
4.15.1白色LED用螢光體的開發歷程和對螢光體的性能要求
4.15.2藍光激發和近紫外激發白光LED用螢光體
4.15.3由螢光體造成的能量損失
4.15.4藍光激發發光的螢光體舉例
4.16白色LED發光器件相關材料(3)——封裝樹脂178
4.16.1環氧樹脂與矽樹脂的結構
4.16.2矽樹脂的縮聚反應
4.16.3矽樹脂與環氧樹脂的比較
4.16.4樹脂與螢光體混合材料的注入方式
4.17白色LED發光器件相關材料(4)——複合材料散熱基板180
4.17.1幾種典型的LED封裝結構及散熱基板位置
4.17.2高熱導複合材料中樹脂高熱導化的必要性
4.17.3控制高次結構的熱導環氧樹脂的開發
4.17.4高熱導複合材料的開發和套用
4.18白色LED發光器件相關材料(5)——絕緣金屬和陶瓷散熱基板182
4.18.1LED散熱用絕緣金屬基板的結構及套用
4.18.2採用銅凸塊和銅襯底的散熱基板
4.18.3AIN散熱基板
4.18.4HTCC和LTCC散熱基板
4.19炮彈型LED發光器件封裝的主要工程184
4.19.1LED晶片的引線鍵合和倒裝片安裝工藝
4.19.2粘片固晶工藝
4.19.3引線鍵合工藝
4.19.4螢光體注入(塗布)及透鏡形成工藝
4.20白光LED光源的套用(1)——用途和市場186
4.20.1白光LED迅速擴展的市場和用途
4.20.2白光LED照明器具高效率化的目標
4.20.3白光LED照明器具的功能、價格、標準化目標
4.21白光LED光源的套用(2)——TFTLCD背光源188
4.21.1LED背光源(BLU)的套用
4.21.2液晶電視背光源的LED配置
4.21.3側置式/下置式LED背光源比較
4.21.4TV用LED背光源發展趨勢
4.22白光LED光源的套用(3)——照明光源190
4.22.1使用LED的車載照明部位和種類
4.22.2藍光LED激發的擬似白光LED照明光源
4.22.3近紫外LED激發的白光LED照明光源
4.22.4用濺射法在玻璃基板上製作LED
4.23白光LED光源的套用(4)——用於普通照明需要進一步的改進192
4.23.1白色LED照明的特徵、商品特性及經濟性評價
4.23.2藍光激發和近紫外激發LED白色LED照明光源的發展預測
4.23.3白色LED固體照明的主要技術課題
4.23.4應該吸取“十城萬盞計畫”失敗的教訓
4.24OLED成功發光的關鍵——採用超薄膜和多層結構194
4.24.1關於有機EL和OLED
4.24.2“超薄膜”和“多層結構”是OLED成功發光的關鍵
4.24.3有機EL顯示器能否推廣普及的關鍵在於材料
4.24.4OLED顯示器難得的發展機遇
4.25OLED的發光原理——載流子注入、複合、激發和發光196
4.25.1電子和空穴經跳躍、遷移最終發生複合的過程
4.25.2三階降落髮出“螢光”,二階降落髮出“磷光”
4.25.3電子自旋方向決定激髮狀態是單重態還是三重態
4.25.4銥(Ir)螯合物系磷光物質對應不同波長的發光
4.26OLED的發光效率198
4.26.1從空穴與電子複合直到發光的過程
4.26.2有機EL的發光過程和發光效率
4.26.3如何提高發光效率
4.26.4有機EL的能帶模型
4.27OLED用材料(1)——螢光材料200
4.27.1空穴輸運材料的分子結構及玻璃轉變溫度(Tg)、離化勢(Ip)的數值
4.27.2用於有機EL元件的代表性電子輸運材料
4.27.3用於有機EL元件的螢光性主(host)發光材料
4.27.4按發光波長給出的代表性客(guest)發光材料
4.28OLED用材料(2)——磷光材料202
4.28.1空穴遷移率與電場強度的關係
4.28.2有機EL用銥(Ir)系金屬螯合物磷光發光材料
4.28.3PLED用聚對苯撐乙烯衍生物和聚芴衍生物的分子結構
4.28.4螢光實現與磷光同等的發光效率
4.29OLED用材料(3)——電極材料204
4.29.1小分子系無源矩陣驅動型有機EL(OLED)器件的結構
4.29.2陽極材料——IZO與ITO的比較
4.29.3高分子系有機EL的陽極
4.29.4陰極材料——透明陰極的發展
4.30OLED的彩色化方式206
4.30.1OLED彩色化方式的比較
4.30.2三色獨立像素方式(三色分塗方式)
4.30.3彩色濾光片(CF)方式
4.30.4色變換(CCM)方式
4.31OLED的驅動208
4.31.1矩陣方式顯示器驅動掃描方式的種類
4.31.2無源矩陣(簡單矩陣)驅動方式
4.31.3有源矩陣驅動方式
4.31.4銦鎵鋅氧化物(IGZO)薄膜電晶體驅動
4.32OLED的製作工藝(1)——製作工藝流程210
4.32.1小分子系無源矩陣驅動型全色OLED的製作工藝流程
4.32.2工藝流程分解——前處理工程、成膜工程、封裝工程
4.32.3利用條狀陰極障壁兼作掩模製作像素陣列
4.32.4利用條狀陰極障壁的無源驅動OLED元件的像素結構
4.33OLED的製作工藝(2)——蒸鍍成膜212
4.33.1OLED元件製作中蒸鍍成膜的特殊性
4.33.2熱壁(hotwall)蒸鍍法與普通點源蒸鍍法的對比
4.33.3利用遮擋掩模分塗RGB三原色有機色素(用於OLED)
4.33.4OLED各種膜層的蒸鍍成膜
4.34OLED的製作工藝(3)——量產系統214
4.34.1小分子系OLED量產系統的一例
4.34.2小分子系OLED量產製造裝置及流程
4.34.3小分子系OLED量產製造工藝過程
4.34.4OLED、PLED——兩種材料和結構均不同的有機EL器件
4.35PLED的製作工藝(4)——噴墨印刷216
4.35.1何謂印刷電子
4.35.2旋塗法,漿料噴射法和凹版印刷法
4.35.3PLED的量產系統
4.35.4CNT與石墨烯對決
4.36OLED的製作工藝(5)——OLED的封裝218
4.36.1OLED和PLED的製作工藝流程
4.36.2正常發光和黑點缺陷
4.36.3封裝用金屬封裝罐的自動供應線
4.36.4封裝膜封裝的成膜工藝和封裝方式
4.37OLED的改進——上發光型面板和全色像素220
4.37.1OLED需要開發的技術課題
4.37.2上發光型和下發光型面板的對比
4.37.3SOLED的全色像素技術與發光時間控制電路技術
4.37.4無源(被動)驅動和有源(主動)驅動面板產品
4.38OLED將與LCD長期共存222
4.38.1半導體顯示概念的提出
4.38.2OLED的技術發展現狀
4.38.3OLED的產業化發展現狀
4.38.4OLED將與LCD長期共存
名詞術語和基本概念
思考題及練習題
參考文獻
彩色插頁225
第5章化學電池及電池材料
5.1電池的種類及現狀238
5.1.1化學電池
5.1.2物理電池
5.1.3生物電池
5.1.4實用電池應具備的條件及常用電池的特性
5.2電池發展簡史(1)——從巴格達電池到伏打電池240
5.2.1世界最早的電池——製作於陶罐中的巴格達電池
5.2.2利用青蛙製作電池?——伽伐尼的實驗
5.2.3電池的發明——伏打電池
5.2.4電的歷史和電池
5.3電池發展簡史(2)——從伏打電池到丹聶耳電池242
5.3.1伏打電池的起電原理
5.3.2伏打電池的缺點——正極析氫
5.3.3克服伏打電池缺點的丹聶耳電池——無隔斷的情況分析
5.3.4克服伏打電池缺點的丹聶耳電池——採用無孔隙的完全隔斷的情況分析
5.4電池發展簡史(3)——從丹聶耳電池到勒克朗謝電池244
5.4.1丹聶耳電池的關鍵——素燒陶隔斷中的微孔
5.4.2丹聶耳電池的缺點——離子化傾向
5.4.3勒克朗謝電池的構造和電池中的反應
5.4.4乾電池的代表——錳乾電池和鹼乾電池
5.5電池四要素和電池的三個基本參量246
5.5.1構成電池的四要素
5.5.2電池的容量——可取出電(荷)的量
5.5.3電池的電壓——標準電壓或額定電壓
5.5.4電池的電能——電池電壓與電荷量的乘積
5.6常用一次電池248
5.6.1不斷進步的乾電池
5.6.2錳乾電池的標準放電曲線
5.6.3鋰一次電池的結構
5.6.4錳氧化物的各種不同晶體結構
5.7從一次電池到二次電池250
5.7.1二次電池的工作原理
5.7.2鉛-酸蓄電池(二次電池)的結構和充、放電反應
5.7.3各種二次電池的特性對比
5.7.4二次電池的難點和對其性能的要求
5.8二次電池的產業化現狀252
5.8.1二次電池的產業規模快速增長
5.8.2二次電池套用於不同領域的發展勢態
5.8.3二次電池能量密度的比較
5.8.4二次電池的(放電)特性比較
5.9常用二次電池254
5.9.1鉛-酸蓄電池
5.9.2鎳-鎘電池
5.9.3鎳-氫電池
5.9.4鎳-鋅電池
5.10其他的二次電池256
5.10.1鋰-二氧化錳電池
5.10.2鋰-硫磺電池
5.10.3鋰-硫化鐵電池
5.10.4鈉-硫磺電池(NAS電池)
5.11鋰離子電池的工作原理258
5.11.1各種各樣的鋰離子電池
5.11.2鋰離子電池的充-放電反應和工作原理
5.11.3鋰離子電池的充-放電過程
5.11.4鋰離子電池的結構及所用材料
5.12二次電池的開發方向260
5.12.1家電、IT機器及電動汽車等對二次電池的要求
5.12.2鋰二次電池的發展經歷
5.12.3各種正極材料的特性
5.12.4鋰電池負極高性能化的方法
5.13開發中的鋰離子電池262
5.13.1有機電解液的性能
5.13.2鋰-聚合物二次電池
5.13.3鋰-空氣二次電池
5.13.4鋰-銅二次電池
5.14燃料電池發展概述264
5.14.1燃料電池的發展簡史及套用概況
5.14.2燃料電池與化學電池(一、二次電池)的基本差異
5.14.3“智人之身”與燃料電池何其相似
5.14.4燃料電池由氫、氧反應發電是水電致分解的逆過程
5.15燃料電池的工作原理266
5.15.1燃料電池的工作原理
5.15.2燃料電池與火力發電的比較
5.15.3Bauru和Toplex燃料電池的推定圖
5.15.4Beacon燃料電池的誕生
5.16燃料電池的種類268
5.16.1燃料電池的分類方法及構造
5.16.2燃料電池的種類和特徵
5.16.3鹼型燃料電池
5.16.4直接甲醇燃料型燃料電池
5.17磷酸型燃料電池(PAFC)270
5.17.1各種燃料電池的電極材料
5.17.2磷酸型燃料電池的工作原理和兩個電極上的反應
5.17.3磷酸型燃料電池的電熱系統
5.17.4磷酸型燃料電池的構造和改進
5.18熔融碳酸鹽型燃料電池(MCFC)272
5.18.1熔融碳酸鹽型燃料電池的工作原理和兩個電極上的反應
5.18.2單電池(cell)的構成和發電原理
5.18.3內部改性型燃料電池的構造和特性
5.18.4熔融碳酸鹽型燃料電池的改質方式
5.19高溫固體電解質型燃料電池(SOFC)274
5.19.1高溫固體電解質型燃料電池的工作原理和兩個電極上的反應
5.19.2高溫固體電解質型燃料電池的單電池(單元)構造
5.19.3高溫固體電解質型燃料電池的據置結構
5.19.4高溫固體電解質型燃料電池的特性
5.20高分子電解質型燃料電池(PEFC)276
5.20.1高分子電解質型燃料電池的工作原理和兩個電極上的反應
5.20.2高分子電解質型燃料電池的改進
5.20.3各種各樣的燃料電池汽車用系統
5.20.4直接使用氫型汽車用燃料電池
5.21燃料電池的發展前景278
5.21.1氫的安全容器——儲氫合金
5.21.2工作溫度可降低的
SOFC燃料電池
5.21.3可利用煤炭的
MCFC燃料電池
5.21.4可利用廢棄物的
PAFC燃料電池
名詞術語和基本概念
思考題及練習題
參考文獻
第6章光伏發電和太陽電池材料
6.1取之不盡,用之不竭的太陽能282
6.1.1太陽輻射發出巨大能量
6.1.2太陽光譜
6.1.3太陽電池中常使用的代表性材料的光吸收係數
6.1.4太陽電池轉換效率與材料禁頻寬度的關係
6.2太陽電池發明已逾60年284
6.2.1何謂太陽電池
6.2.2最早發表的太陽電池
6.2.3提高轉換效率之路並非平坦
6.2.4沒有太陽電池就沒有衛星和宇宙飛船
6.3太陽電池的製作和光伏電力的使用286
6.3.1太陽電池板、組件和太陽電池陣列的製作
6.3.2太陽電池的使用——獨立蓄電方式和系統聯網方式
6.3.3家庭如何使用光伏電力
6.3.4街區如何使用光伏電力
6.4太陽電池的核心是pn結288
6.4.1有光照即可發電的太陽電池
6.4.2半導體的價帶、導帶和禁帶
6.4.3利用摻雜獲得n型和p型半導體
6.4.4pn結是太陽電池的關鍵與核心
6.5太陽電池的特性評價290
6.5.1從矽原子的電子能級到矽單晶的能帶
6.5.2開路電壓和短路電流是如何產生的
6.5.3如何評價太陽電池的性能
6.5.4太陽電池性能參數的定義
6.6開路電壓和短路電流292
6.6.1開路電壓與禁頻寬度的關係
6.6.2短路電流與禁頻寬度的關係
6.6.3能否製成轉換效率為100%的太陽電池
6.6.4太陽電池按種類所占的份額及組件轉換效率的比較
6.7“矽是上帝賜給人的寶物”294
6.7.1矽石經由電弧爐還原成金屬矽
6.7.2改良西門子法生產高純度多晶矽
6.7.3太陽電池組件是如何製造出來的——晶矽太陽電池的生產流程
6.7.4矽片表面的加工
6.8太陽電池的種類和轉換效率296
6.8.1太陽電池按材料體系的分類
6.8.2太陽電池組件的種類和基本結構
6.8.3太陽電池轉換效率的現狀
6.8.4太陽電池轉換效率的現狀
6.9晶矽太陽電池298
6.9.1單晶矽和多晶矽太陽電池
6.9.2太陽電池片(cell)製造
6.9.3晶矽太陽電池的優點和缺點
6.9.4市售晶矽太陽電池的產品鏈和價格構成
6.10非晶矽薄膜太陽電池300
6.10.1薄膜矽太陽電池
6.10.2非晶矽及微晶矽的結構
6.10.3電漿增強化學氣相沉積法(PECVD)生產薄膜矽
6.10.4薄膜矽太陽電池的製作方法和構造
6.11串結型薄膜太陽電池302
6.11.1串結型(tandem)薄膜太陽電池
6.11.2提高串結型薄膜太陽電池轉換效率的措施
6.11.3HIT太陽電池與傳統晶矽太陽電池的比較
6.11.4HIT太陽電池的結構及性能參數
6.12CdTe薄膜太陽電池304
6.12.1CdTe薄膜太陽電池的優勢
6.12.2CdTe薄膜太陽電池的典型結構和製作方法
6.12.3採用近接升華法(CSS)製作CdTe膜層
6.12.4屬於Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2族化合物半導體的CIGS的晶體結構
6.13CIGS系薄膜太陽電池306
6.13.1CIGS薄膜太陽電池的結構和特長
6.13.2多元蒸鍍法和硒化法製作CIGS薄膜
6.13.3添加Na改善CIGS系薄膜太陽電池的性能
6.13.4撓性CIGS系薄膜太陽電池
6.14聚光型和多結型太陽電池308
6.14.1球狀矽太陽電池
6.14.2聚光型太陽電池
6.14.3多結型太陽電池
6.14.4宇宙用太陽電池
6.15正在開發中的第三代和第四代太陽電池310
6.15.1第三代太陽電池——有機太陽電池的開發現狀
6.15.2染料敏化(色素增感)太陽電池的工作原理
6.15.3有機半導體薄膜太陽電池的工作原理
6.15.4第四代太陽電池——量子點太陽電池的工作原理
6.16染料敏化(有機色素增感)太陽電池312
6.16.1染料敏化太陽電池的結構和光伏發電原理
6.16.2與傳統型太陽電池發電機制的比較
6.16.3染料敏化太陽電池的製作方法
6.16.4染料敏化太陽電池的特長及其可能的用途
6.17有機半導體薄膜太陽電池314
6.17.1採用漿料塗布技術製作有機薄膜太陽電池
6.17.2高轉換效率的超階層納米結構和相應材料
6.17.3有機半導體薄膜太陽電池的開發目標和套用前景
6.17.4鈣鈦礦太陽電池
6.18便攜設備用太陽電池316
6.18.1不需要更換電池的電子計算器和電子手錶
6.18.2安裝在居家屋頂上的太陽電池
6.18.3在窗戶上也可使用的透明(see-through)太陽電池
6.18.4既輕又薄,特別是能彎曲、摺疊的撓性太陽電池
6.19深山、離島用太陽電池318
6.19.1設定於農田、牧場及自來水廠之上的太陽電池
6.19.2燈塔用及深山中安裝的太陽電池
6.19.3開發中國家用及安裝在沙漠中的太陽電池
6.19.4綠色環保型太陽能汽車
6.20多用途太陽能利用系統320
6.20.1可設計、製造成各種樣式和外觀的太陽電池
6.20.2用於道路和空港標識的太陽電池
6.20.3既利用太陽光又利用太陽熱的系統
6.20.4人造衛星上的太陽能系統
6.21太陽能光伏發電技術開發路線圖“PV2030plus”322
6.21.1各種太陽電池的轉換效率
6.21.2光伏發電技術的開發路線圖“PV2030plus”
6.22光伏發電的產業化現狀和發展前景324
6.22.1世界光伏發電的新增安裝量和累積安裝量
6.22.2住宅用光伏發電系統的價格和價格組成
6.22.3促進太陽能光伏發電的各國優惠政策
6.22.4世界太陽電池企業的大浪淘沙
6.23光伏發電將改變人們的生活326
6.23.1沙漠或將成為世界能源供應基地
6.23.224小時都能發電的太陽電池
6.23.3分散型能源有哪些好處
6.23.4將改變人們生活的太陽電池
6.24太陽電池的質量保證328
6.24.1太陽電池的壽命有多長
6.24.2真能做到無故障嗎?
6.24.3不需要掃除清潔嗎?
6.24.4能承受颱風暴雨、冰雹雷電、嚴冬酷暑嗎?
6.25光伏發電仍有潛力可挖330
6.25.1非朝向太陽也能正常發電
6.25.2對於獨立式供電系統來說,儲電裝置必不可少
6.25.3太陽電池的循環利用
6.25.4太陽能光伏發電與國際合作
6.26光伏發電產業的可持續發展332
6.26.1太陽電池的能量回收期和能量再生比
6.26.2溫室氣體排放償還時間有多長
6.26.3重新整合中的世界多晶矽企業
6.26.4太陽電池用高純矽製造技術體系概要圖
6.27光伏發電產業的發展動向334
6.27.1主要企業的世界戰略部署
6.27.2相關的原材料業界也在發生激烈的變動
6.27.3提高光伏發電產業競爭力需要開發的課題
6.27.4如何使光伏發電成為普通意義上的電源
6.28光伏發電的種種預測336
6.28.1既可分戶安裝,又可“陽光集資”
6.28.2但願這幾種太陽電池夢想成真
6.28.3光伏發電產業是否受資源制約?
6.28.4應與其他發電方式取長補短
名詞術語和基本概念
思考題及練習題
參考文獻
第7章核能利用和核材料
7.1核爆炸和核反應堆的原理340
7.1.1天然的核反應堆
7.1.2核爆炸原理
7.1.3核反應堆原理
7.1.4核能利用現狀
7.2鈾濃縮342
7.2.1濃縮度與臨界量
7.2.2鈾濃縮法(1)——氣體擴散法
7.2.3鈾濃縮法(2)——離心分離法
7.2.4鈾濃縮法(3)——原子雷射法
7.2.5鈾濃縮法(4)——分子雷射法
7.3核反應堆的種類及其結構344
7.3.1核反應堆的種類
7.3.2壓水堆
7.3.3沸水堆
7.3.4輕水堆的安全性
7.4熱中子堆中鈽(Pu)的使用346
7.4.1鈽熱(PluThermal)堆的原理
7.4.2MOX核燃料
7.4.3兩種核燃料的使用對比
7.4.4採用MOX核燃料的好處
7.5快增殖堆348
7.5.1熱中子堆和快中子堆
7.5.2高速增殖堆與輕水堆的比較
7.5.3利用高速增殖堆實現鈽燃料的增殖
7.5.4高速增殖堆(FBR)的結構
7.6核反應堆用材料350
7.6.1中子慢化材料
7.6.2中子吸收材料
7.6.3包殼材料和其他結構材料
7.6.4結構材料的輻照損傷
7.7核反應堆用石墨352
7.7.1天然石墨和人造石墨
7.7.2高密度、高強度、高純度“三高”石墨
7.7.3核反應堆用石墨的生產工藝
7.7.4核石墨的套用
7.8核燃料循環354
7.8.1核燃料的循環路徑
7.8.2核燃料棒的構造
7.8.3核燃料棒的後處理工程
7.8.4核燃料棒的安全隱患
7.9輻射能和輻射線356
7.9.1輻射能和輻射線的定義
7.9.2放射性核素
7.9.3輻射線對人的危害
7.9.4輻射線的人工利用
7.10“311”東日本大地震福島核電站事故分析358
7.10.1強地震緊急停堆後所有水冷系統失靈
7.10.2核餘熱及衰變產生的熱量足以使燃料元件熔化
7.10.3高溫熔體穿透壓力殼
7.10.4高放射性核燃料透過壓力殼泄漏到地面、海水乃至空氣中
7.11典型核電站事故分析360
7.11.1國際核事故分級
7.11.2美國三哩島核事故
7.11.3前蘇聯車諾比核事故
7.12核聚變和聚變能的套用362
7.12.1自然的太陽和人造的太陽
7.12.2雷射慣性約束核聚變
7.12.3磁慣性約束核聚變
7.12.4核聚變反應堆的結構和聚變能套用前景
名詞術語和基本概念
思考題及練習題
參考文獻
第8章能量、信號轉換及感測器材料
8.1能量、信號轉換與感測器366
8.1.1能量轉換現象及套用舉例
8.1.2感測器的定義
8.1.3感測器的分類
8.1.4感測器的組成及重要性
8.2代表性感測器368
8.2.1代表性感測器一覽
8.2.2檢出媒體和採用的元件及單元
8.2.3對感測器要求的各事項
8.2.4控制用感測器概要
8.3光感測器概述370
8.3.1電磁波的波長範圍及可能在感測器中的套用
8.3.2可用於光感測器的光電效應
8.3.3光感測器的分類
8.3.4紅外線的波長範圍及效能
8.4磁感測器及材料(1)372
8.4.1磁場的量級及相應的感測器
8.4.2磁感測器的種類
8.4.3霍爾效應感測器
8.4.4MR元件及磁致電阻感測器
8.5磁感測器及材料(2)374
8.5.1渦流式磁感測器的原理
8.5.2各種近接式感測器
8.5.3差動變壓器式感測器
8.5.4磁飽和型磁感測器原理及構造
8.6振動感測器376
8.6.1音響振動頻率及其特徵
8.6.2超音波的套用領域及其製品
8.6.3壓電效應和逆壓電效應
8.6.4空中超音波感測器的構造
8.7壓力感測器及材料378
8.7.1壓力感測器的種類
8.7.2壓力檢出裝置及檢出範圍
8.7.3半導體壓力感測器的主要用途
8.7.4擴散型半導體壓力感測器的原理構造
8.8溫度感測器及材料380
8.8.1溫度感測器的種類
8.8.2各種溫度感測器的測溫範圍
8.8.3熱敏電阻的種類及其特徵
8.8.4熱釋電材料及其套用
8.9濕度(氣體)感測器及材料382
8.9.1濕度檢出法的種類
8.9.2濕度感測器的主要用途
8.9.3阻抗變化型濕度感測器的種類
8.9.4高分子薄膜型濕度感測器的構造
8.10光感測器套用實例(1)384
8.10.1遙控器中使用的紅外線感測器
8.10.2條形碼讀數器
8.10.3CCD圖像感測器
8.10.4旋轉編碼器
8.11光感測器套用實例(2)386
8.11.1紅外線照相機
8.11.2利用光阻斷器的感測器
8.11.3物體感測器的基本原理
8.11.4雷射印表機的工作原理
8.12智慧型感測器和舒適材料學388
8.12.1生物感測器的原理
8.12.2智慧型材料
8.12.3智慧型感測器
8.12.4舒適材料學的基本構成
名詞術語和基本概念
思考題及練習題
參考文獻
第9章電磁兼容——電磁禁止及RFID用材料
9.1電磁波及其傳播方式392
9.1.1電磁波按頻率的劃分及電磁波的套用
9.1.2電磁波的傳播方式
9.1.3衛星通信和衛星全球定位系統的工作頻率為什麼要超過1GHz?
9.2電磁相容性(EMC)和電磁干擾(EMI)394
9.2.1EMC、EMI和EMS
9.2.2EMC的國際標準和國際機構
9.2.3電磁禁止效果基準
9.2.4電磁禁止的分類及電磁禁止的效果
9.3電磁波吸收體396
9.3.1吸波材料按其損耗機制分類
9.3.2電磁波吸收材料的分類
9.3.3EMC用電波暗室
9.3.4電磁波吸收體按形狀的分類
9.4隱身材料(1)——提高隱蔽性增強攻擊性398
9.4.1隱身技術和隱身材料
9.4.2隱身首先是要不被雷達發現
9.4.3雷達吸波材料的吸波機理
9.4.4隱身材料的作用
9.5隱身材料(2)——雷達隱身400
9.5.1雷達散射截面(RCS)
9.5.2雷達吸收材料(RAM)
9.5.3各類雷達隱身材料
9.5.4納米複合隱身材料的最新發展
9.6隱身材料(3)——紅外隱身402
9.6.1紅外隱身技術和紅外隱身材料
9.6.2納米塗料型紅外隱身材料
9.6.3薄膜型紅外隱身材料
9.6.4結構型隱身材料
9.7電磁輻射的套用(1)——可見光404
9.7.1由激發引起自然發射的原理
9.7.2自然光(太陽光)的色散
9.7.3發光光源的波長及其色溫度
9.7.4螢光燈的發光過程
9.8電磁輻射的套用(2)——紫外、紅外、微波406
9.8.1紫外線的分類及特徵
9.8.2影像增強管的工作原理
9.8.3隱蔽相機和微膠囊相機
9.8.4微波用於安檢
9.9電磁輻射的套用(3)——RFID的工作原理408
9.9.1RFID技術的發展歷程
9.9.2非接觸IC卡的構成
9.9.3非接觸IC卡的種類及通信距離
9.9.4非接觸IC卡的製作
9.10電磁輻射的套用(4)——RFID的製作及套用410
9.10.1非接觸IC卡的電路構成方框圖
9.10.2RFID天線線圈的製作方法
9.10.3RFID標籤(tag)的套用領域
9.10.4採用ETC的不停車自動收費系統
9.11雷射的發明412
9.11.1紅寶石雷射振盪器
9.11.2雷射(鐳射)這一名稱的來源
9.11.3自然光和雷射
9.11.4雷射發明的七大元勛
9.12雷射用於通信414
9.12.1半導體雷射器
9.12.2光纖通信
9.12.3雷射和太陽光的差異
9.12.4雷射光束是雙刃劍
9.13雷射用於美容和手術416
9.13.1各種雷射的波長範圍及其相應名稱
9.13.2雷射已廣泛套用於各種不同領域
9.13.3雷射美容
9.13.4雷射手術
9.14雷射用於加工和測量418
9.14.1雷射金剛石打孔
9.14.2雷射測量地球—月球之間的距離
9.14.3利用雷射消除危險的雷電
9.14.4雷射緩解地球溫暖化
9.15雷射武器420
9.15.1雷射雷達及用雷射破譯雷達
9.15.2雷射誘導炸彈
9.15.3雷射武器
9.15.4隱形飛機
9.16雷射的發展前景422
9.16.1雷射核聚變
9.16.2雷射空間送電
9.16.3雷射三維成像
9.16.4夢寐以求的
X射線雷射
名詞術語和基本概念
思考題及練習題
參考文獻
第10章環境友好和環境材料
10.1地球環境的惡化和環境友好型社會的創建426
10.1.1人口、資源、環境
10.1.2地球溫暖化
10.1.3陸地荒漠化
10.1.4世界各國的對策
10.2從鋼鐵生產看環境材料428
10.2.1從礦石到鋼材的工業生產流程
10.2.2環境材料的定義
10.2.3環境材料的特徵和分類
10.2.4環境材料的評價方法
10.3金屬材料的腐蝕及構件的失效430
10.3.1腐蝕對金屬材料及構件的危害
10.3.2金屬表面的水滴導致氧濃差電池形成
10.3.3點腐蝕和縫隙腐蝕的幾何形狀和形成機制
10.3.4防腐蝕措施
10.4資源匱乏、能源枯竭與環境被害432
10.4.1能源、環境、經濟三大問題(三連環)
10.4.2世界一次能源消耗的超長期預測
10.4.3溫室效應氣體排放和減排措施
10.4.4酸雨的形成機制
10.5環境污染事件和世界環境保護法規的進展434
10.5.1環境被害的惡性循環
10.5.2鉛從帶焊料的印製線路板到攝入人體的路徑
10.5.3歷史上重大的化學物質環境污染事故
10.5.4世界環境保護法規的進展
10.6WEEE指令的制定及其內涵436
10.6.1WEEE指令的附屬檔案IA和IB(ANNEXIAandANNEXIB)的回收處理
10.6.2附屬檔案Ⅱ(ANNEXⅡ)中的分離處理(SelectiveTreatment)
10.6.3環境對應措施的變遷
10.6.4RoHS、WEEE、EuP指令的關係
10.7RoHS指令對有害物質的禁用438
10.7.1RoHS規則適用範圍判斷樹(DecisionTree)
10.7.2環境影響物質一覽表
10.7.3特定有害物質的危害
10.7.4電子產業中環境對應的發展潮流
10.8RoHS指令中的豁免事項440
10.8.1RoHS指令中的豁免用途
10.8.2RoHS指令中不在限制之內的附屬檔案(ANNEX)
10.8.3六種有害物質的檢測程式及採用的分析儀器
10.8.4IC器件拆解圖
10.9RoHS中6種禁用物質的分析與檢測442
10.9.1分析與檢測程式——篩選和精密分析
10.9.2螢光X射線分析
10.9.3感應電漿發光分光分析(ICP)
10.9.4分析精度管理流程
10.10工廠流程中的動脈生產和靜脈生產444
10.10.1金屬材料的循環再生
10.10.2無機非金屬材料的循環再生
10.10.3高分子材料的循環再生
10.10.4動脈生產和靜脈生產流程圖
10.11可再生能源(1)446
10.11.1自然能源和新能源
10.11.2水力發電
10.11.3太陽能光伏發電
10.11.4太陽熱能利用
10.12可再生能源(2)448
10.12.1風能利用
10.12.2海洋能利用
10.12.3地熱利用
10.12.4生物能利用
名詞術語和基本概念
思考題及練習題
參考文獻