材料的刻蝕速率都比被刻蝕薄膜的刻蝕速率小得多,以保證刻蝕過程中抗蝕劑掩蔽的有效性,不致發生因為過刻蝕而損壞薄膜下面的其他材料;③加工批量大,控制容易,成本低...
刻蝕,英文為Etch,它是半導體製造工藝,微電子IC製造工藝以及微納製造工藝中的一種相當重要的步驟。是與光刻相聯繫的圖形化(pattern)處理的一種主要工藝。所謂刻蝕,...
刻蝕技術(etching technique),是在半導體工藝,按照掩模圖形或設計要求對半導體襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性腐蝕或剝離的技術。刻蝕技術不僅是半導體器件和積體電路...
刻蝕選擇比指的是在同一刻蝕條件下一種材料與另一種材料相對刻蝕速率快慢。它定義為被刻蝕材料的刻蝕速率與另一種材料的刻蝕速率的比(圖1)。...
離子束刻蝕也稱為離子銑,是指當定向高能離子向固體靶撞擊時,能量從入射離子轉移到固體表面原子上,如果固體表面原子間結合能低於入射離子能量時,固體表面原子就會被...
軟刻蝕技術是相對於微製造領域中占據主導地位的光刻蝕而言的,它之所以被稱為“軟刻蝕”主要有兩個原因:一是它採用了彈性體印章(或模具)來將圖案轉移到基底上;二...
採用高能脈衝雷射束在零件表面刻蝕出寬度為10~505m、深度為5~1001m的微細小槽...材料科學技術(一級學科),材料科學技術基礎(二級學科),材料合成、製備與加工(三級...
光電化學刻蝕在光照射下,半導體基質在與其相接觸的電解質溶液中的溶蝕過程,這種技術用於半導體表面的光學製版工藝。...
深電漿刻蝕,也稱大深寬比刻蝕(High Aspect Ratio Etching,HARE),一般是選用Si作為刻蝕微結構的加工對象,它有別於VLSI 中的矽刻蝕,因此又稱為先進矽刻蝕(...
刻蝕負載效應,是指局部刻蝕氣體的消耗大於供給引起的刻蝕速率下降或分布不均的效應。負載效應(loading effect)可以分為3種:巨觀負載效應(macroloading)、微觀負載效應...
鐳射加工,又名雷射加工。就是利用高能量密度的光束,照射到材料表面,使材料汽化 或發生顏色變化的加工過程。...
定義 利用離子轟擊作用,對材料表面進行刻蝕的過程。 套用學科 材料科學技術(一級學科),材料科學技術基礎(二級學科),材料合成、製備與加工(三級學科),表面改性和塗層...
反應離子腐蝕技術是一種各向異性很強、選擇性高的乾法腐蝕技術。它是在真空系統中利用分子氣體等離子來進行刻蝕的,利用了離子誘導化學反應來實現各向異性刻蝕,即是...
經顯影后,在光致抗蝕劑層上獲得與掩模圖形相同的及微細的幾何圖形,在利用刻蝕等方法,在工件材料上製造出微型結構。圖集 光刻加工圖冊 V百科往期回顧 詞條...
反應性離子刻蝕 (reaction ionetching;RIE)是製作半導體積體電路的蝕刻工藝之一。在除去不需要的積體電路板上的保護膜時,利用反應性氣體的離子束,切斷保護膜物質的...
離子束加工的原理和電子束加工基本類似,也是在真空條件下,將離子源產生的離子束經過加速聚焦,使之撞擊到工件表面。離子束的加工裝置主要由包括離子源、真空系統、...
雷射表面處理、離子注入、電子束強化等先進技術;下篇模具表面加工依次對電火花加工、電化學加工、快速成形與快速模具製造、圖形刻蝕與光整加工的相關內容作了詳細闡述...
電子束加工是利用高能量的會聚電子束的熱效應或電離效應對材料進行的加工。利用電子束的熱效應可以對材料進行表面熱處理、焊接、刻蝕、鑽孔、熔煉,或直接使材料升華...
MEMS製造工藝(Microfabrication Process)是下至納米尺度,上至毫米尺度微結構加工工藝的通稱。廣義上的MEMS製造工藝,方式十分豐富,幾乎涉及了各種現代加工技術。起源於...
Bosch工藝是指在積體電路製造中為了阻止或減弱側向刻蝕,設法在刻蝕的側向邊壁沉積一層刻蝕薄膜的工藝。因最早由Robert Bosch提出,亦被稱為Bosch工藝。...
光刻加工技術是指加工製作半導體結構及積體電路微圖形結構的關鍵工藝技術,是微細製造領域套用較早並仍被廣泛採用的一類微製造技術。光刻加工原理與印刷技術中的照相...