分子束外延方法

分子束外延方法是一種利用分子束流在晶體基片表面上生長單晶體或晶體薄膜的現代化技術方法。如果在晶體表面上生長出半導體薄膜和絕緣薄膜，那末利用這種極薄且具有多層結構的薄膜，就可製造出高速集成微電路。利用該技術方法，也可製備各種微波器件、半導體雷射器等所需要的超晶格薄膜。

該法的特點是：①套用的原子束或分子束源，可以是同一元素的原子，也可以是不同元素的原子;既可以是單一化合物的分子，又可以是多元化合物的分子，特別有利於生長多元化合物薄膜;②當分子束射到單晶基片上時，可以一個原子一個原子地進行生長和堆積，其薄膜厚度能達到單原子層的精度，有利於控制各種成分和厚度，製備出高質量的薄膜;③必須在真空中進行，現已達到的超高真空度為10-10乇，可生長出超純材料薄膜;④在基片晶體表面上生成晶體的結晶取向與基片取向有關，因而這種加工方法，也叫分子束取向接長工藝。