全國微機電技術標準化技術委員會編號TC336，由機械科學研究院中機生產力促進中心籌建，國家標準化管理委員會進行業務指導。
基本介紹
- 中文名：全國微機電技術標準化技術委員會
- 外文名：Micro electro mechanical Technology
- 籌建單位：機械科學研究院中機生產力促進中心
- 業務指導單位：國家標準化管理委員會
相關國標計畫,相關國家標準,
相關國標計畫
| # | 計畫號 | 項目名稱 | 制修訂 | 計畫下達日期 | 項目狀態 |
|---|---|---|---|---|---|
1 | 20204975-T-469 | 半導體器件 微機電器件 第26部分：微溝槽和針結構的描述和測量方法 | 制訂 | 2020-12-28 | 正在起草 |
2 | 20204971-T-469 | 半導體器件 微機電器件 第20部分：陀螺儀 | 制訂 | 2020-12-28 | 正在起草 |
3 | 20204972-T-469 | 矽基MEMS製造技術 微結構彎曲強度檢測方法 | 制訂 | 2020-12-28 | 正在起草 |
4 | 20204974-T-469 | 矽基MEMS製造技術 納尺度結構衝擊實驗方法 | 制訂 | 2020-12-28 | 正在起草 |
5 | 20204973-T-469 | 矽基MEMS製造技術 納米厚度膜抗拉強度檢測方法 | 制訂 | 2020-12-28 | 正在起草 |
6 | 20200872-T-469 | 微機電系統（MEMS）技術 術語 | 修訂 | 2020-03-06 | 正在起草 |
7 | 20192195-T-469 | MEMS壓阻式壓力敏感器件性能試驗方法 | 制訂 | 2019-07-12 | 正在起草 |
8 | 20190942-T-469 | 半導體器件 微機電器件 第9部分：MEMS的晶圓間鍵合強度測量 | 制訂 | 2019-03-28 | 正在起草 |
9 | 20190941-T-469 | 半導體器件 微機電器件 第13部分：MEMS結構粘附強度的彎曲和剪下試驗方法 | 制訂 | 2019-03-28 | 正在起草 |
10 | 20171123-T-469 | 微機電系統（MEMS）技術 MEMS結構共振疲勞試驗方法 | 制訂 | 2017-07-21 | 已發布 |
相關國家標準
| # | 標準號 | 標準中文名稱 | 發布日期 | 實施日期 | 標準狀態 |
|---|---|---|---|---|---|
1 | GB/T 38447-2020 | 微機電系統（MEMS）技術 MEMS結構共振疲勞試驗方法 | 2020-03-06 | 2020-07-01 | 現行 |
2 | GB/T 38446-2020 | 微機電系統（MEMS）技術 帶狀薄膜抗拉性能的試驗方法 | 2020-03-06 | 2020-10-01 | 現行 |
3 | GB/T 38341-2019 | 微機電系統（MEMS）技術 MEMS器件的可靠性綜合環境試驗方法 | 2019-12-31 | 2020-04-01 | 現行 |
4 | GB/T 35086-2018 | MEMS電場感測器通用技術條件 | 2018-05-14 | 2018-12-01 | 現行 |
5 | GB/T 34899-2017 | 微機電系統（MEMS）技術 基於拉曼光譜法的微結構表面應力測試方法 | 2017-11-01 | 2018-05-01 | 現行 |
6 | GB/T 34893-2017 | 微機電系統（MEMS）技術 基於光學干涉的MEMS微結構面內長度測量方法 | 2017-11-01 | 2018-05-01 | 現行 |
7 | GB/T 34898-2017 | 微機電系統（MEMS）技術 MEMS諧振敏感元件非線性振動測試方法 | 2017-11-01 | 2018-05-01 | 現行 |
8 | GB/T 34894-2017 | 微機電系統（MEMS）技術 基於光學干涉的MEMS微結構應變梯度測量方法 | 2017-11-01 | 2018-05-01 | 現行 |
9 | GB/T 34900-2017 | 微機電系統（MEMS）技術 基於光學干涉的MEMS微結構殘餘應變測量方法 | 2017-11-01 | 2018-05-01 | 現行 |
10 | GB/T 33922-2017 | MEMS壓阻式壓力敏感晶片性能的圓片級試驗方法 | 2017-07-12 | 2018-02-01 | 現行 |
