內部加熱氧化法（Internal heating oxidation）即改良的化學汽相沉積法。在化學汽相沉積法基礎上發展的一種製造光纖坯棒的方法。與CVD不同，它的起始反應物是在一根旋轉的石英管內加熱，溫度、濃度等條件促使大部份的反應以同質反應進行，即包含一個相的反應。
基本介紹
- 中文名：內部加熱氧化法
- 外文名：Internal heating oxidation
- 別稱：改良的化學汽相沉積法
- 套用：製造光纖坯棒
- 對比：CVD
- 特點：沉積速度比CVD法提高了100倍
工藝流程,特點,原理,
工藝流程
內部加熱氧化法與CVD不同，它的起始反應物是在一根旋轉的石英管內加熱，溫度、濃度等條件促使大部份的反應以同質反應進行，即包含一個相的反應。
汽相物質在灼熱區反應後生成顆粒狀-材料落向下方遠離灼熱區的管壁處，灼熱區沿管子長度連續地、周期地往返移動，從而形成一層層顆粒層，同時顆粒層又成為透明的玻璃層，最後再燒縮成所需的高度透明的玻璃質坯棒。
特點
由於反應劑濃度和溫度的提高，同質反應和異質反應同時進行，所以MCVD法的沉積速度比CVD法提高了100倍。高的反應溫度允許使用鹵化物作反應劑，因而消除了高濃度的OH離子。
由於玻璃形成元素的鹵化物的揮發性比雜質元素的鹵化物高，蒸氣壓差幾個數量級，因此原料純度極高；並且在管內密封條件下污染亦少，可製得損耗極低的光纖。沉積過程中調節每層摻雜劑濃度可得到所需的任意折射率分布的坯俸。
原理
MCVD的工作原理如圖所示：
原理