光電成像導論

內容簡介

《光電成像導論》詳細介紹了光電成像的基本理論，各種光電成像器件的原理、結構、性能及套用。主要內容包括：光電子發射的理論基礎；各類光電成像器件（真空微光成像器件及其信噪比、固體成像器件和紅外成像器件等）；光電成像系統（微光成像系統、紅外成像系統、醫學成像系統、雷射成像系統）。

《光電成像導論》可作為光電探測與感測技術、光學工程、信息顯示與光電技術、物理電子技術、電子科學與技術及其他相關專業的基礎課教材，也可供從事相關行業的科研人員和工程技術人員參考。

圖書目錄

第1章光電發射體的半導體物理基礎

1．1 載流子複合動力學

1．1．1 非平衡載流子的注入與複合

1．1．2 載流子複合過程的動力學

1．1．3 載流子複合一生成中心的來源

1．2 半導體表面附近的能帶彎曲

1．2．1 p型半導體表面附近的能帶彎曲

1．2．2 n型半導體表面附近的能帶彎曲

1．2．3 Ⅲ-V族半導體表面附近的能帶彎曲

1．2．4 獲得負電子親和勢的必要條件

1．3 光電發射的基本概念

1．3．1 光電發射中心與光電發射的三個基本過程

1．3．2 金屬與半導體光電發射的比較

1．3．3 光電陰極的光吸收

1．3．4 光電子的逸出深度與能量散射機構

1．4 光電陰極的量子產額

1．4．1 光電子的發射機率

1．4．2 到達表面後的電子，具有剩餘動能E的幾率函式

1．4．3 負電子親和勢光電陰極的量子產額

1．4．4 正電子親和勢光電陰極的量子產額

1．4．5 正電子親和勢光電陰極與負電子親和勢光電陰極的比較

1．5 半導體光電發射體的熱電子發射

1．5．1 半導體光電發射體的熱電子發射

1．5．2 熱發射電子的初速分布和由發射電子引起的陰極冷卻效應

第2章光電成像器件

2．1 真空光電成像器件

2．1．1 靜電透鏡

2．1．2 近貼聚焦電子透鏡

2．1．3 同心球聚焦電子透鏡

2．1．4 靜電陰極透鏡（靜電聚焦成像系統）

2．1．5 電磁聚焦電子透鏡

2．1．6 光電導攝像管

2．1．7 微光像增強器

2．2 固體攝像器件

2．2．1 電荷耦合攝像器件（CCD）

2．2．2 CMOS攝像器件

2．2．3 電荷注入器件（CID）

2．3 紅外成像器件

2．3．1 紅外焦平面器件

2．3．2 紅外熱成像器件

2．3．3 紅外熱成像器件原理和結構

第3章真空光電成像器件的信噪比

光電成像導論

基本介紹

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