光學帶隙(optical band gap) 非晶態半導體的本徵吸收邊附近的吸收曲線通常分為三個區域。
基本介紹
- 中文名:光學帶隙
- 外文名:opticalbandgap
- 類型:物理學
- 專業符號:Tauc
光學帶隙(optical band gap) 非晶態半導體的本徵吸收邊附近的吸收曲線通常分為三個區域。
光學帶隙(optical band gap) 非晶態半導體的本徵吸收邊附近的吸收曲線通常分為三個區域。...
以3,4—二硝基噻吩作為電子受體,噻吩、苯單元作為電子給體,製得了主鏈中同時含有醌式結構和電子給體一受體交替單元的低能帶隙聚合物PDTNTBQ,其光學能帶隙為1....
20.肖劍榮*,徐慧,郭愛敏等,含氮氟化類金剛石(FN-DLC)薄膜的研究:(Ⅱ)射頻功率對薄膜光學帶隙的影響,物理學報, 2007, 56(3):1809-1814. 21.肖劍榮*,徐慧,...
作為太陽能材料儘管是一種很好的電池材料,但由於其光學帶隙為1.7eV, 使得材料本身對太陽輻射光譜的長波區域不敏感,這樣一來就限制了非晶矽太陽能電池的轉換效率。...
非晶矽作為太陽能材料儘管是一種很好的電池材料,但由於其光學帶隙為1.7eV, 使得材料本身對太陽輻射光譜的長波區域不敏感,這樣一來就限制了非晶矽太陽能電池的轉換...
,實驗證實了理論上的這些預言.稀土離子4f能級間的躍遷幾率可以通過吸收光譜線的積分面積來計算,從而可以估計出無輻射躍遷的幾率.用吸收方法測出的帶隙稱光學帶隙....
鄧金祥,汪旭洋,姚倩,周濤,張曉康,“立方氮化硼薄膜的光學帶隙”,物理學報,2008,57⑽:6631-6635張曉康,鄧金祥,姚倩,汪旭洋,陳光華,賀德衍,“氮化硼薄膜退火誘導...
並推算出IGZO薄膜的光學帶隙大約為3.69 eV,且隨著基底溫度的提高,薄膜的光學帶隙減小:另外,我們還研究了濺射功率對IGZO薄膜生長的影響,結果表明,功率為100W時製備...
7.1DLC薄膜光學性能的研究 7.1.1DLC薄膜光學帶隙 7.1.2DLC薄膜光學性能表征參數 7.1.3薄膜微觀結構對DLC薄膜光學性能的影響 7.1.4DLC薄膜的光學套用...