光刻顯影曝光系統是一種用於能源科學技術領域的工藝試驗儀器,於2018年02月28日啟用。
基本介紹
- 中文名:光刻顯影曝光系統
- 產地:美國
- 學科領域:能源科學技術
- 啟用日期:2018年02月28日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 加工工藝實驗設備 > 電加工工藝實驗設備
光刻顯影曝光系統是一種用於能源科學技術領域的工藝試驗儀器,於2018年02月28日啟用。
光刻顯影曝光系統是一種用於能源科學技術領域的工藝試驗儀器,於2018年02月28日啟用。技術指標相比於其他工藝技術,該套系統具有解析度高,重複性好,圖案化豐富等優點,針對於背接觸太陽電池和異質結背接觸太陽電池的指交叉圖案...
顯影是在正性光刻膠的曝光區和負性光刻膠的非曝光區的光刻膠在顯影液中溶解,在光刻膠上形成三維圖形的一種光刻技術。技術簡介 顯影是在矽片表面光刻膠中產生圖形的關鍵步驟。光刻膠上的可溶解區域被化學顯影劑溶解,將可見的島...
基本含義是指前後兩道光刻工序之間彼此圖形的對準精度,如果對準的偏差過大,就會直接影響產品的良率。曝光寬容度 曝光寬容度(Exposure Latitude):曝光寬容度也被稱為曝光裕度,是工藝視窗的重要參數之一,光學曝光系統可以形成符合設計版圖...
曝光是利用光照將掩模版上的圖形經過光學系統後投影到光刻膠上,實現圖形轉移,是積體電路製造中光刻工藝的重要工序之一。照明光源發出的光線經匯聚透鏡照射在掩模版上,透過掩模版產生衍射光束,這些衍射光束攜帶了掩模版上的圖形信息,光束...
紫外曝光機,也稱光刻機、掩模對準曝光機、曝光系統、光刻系統等,是印刷線路板(PCB)製作工藝中的重要設備。一般的光刻工藝要經歷矽片表面清洗烘乾、塗底、旋塗光刻膠、軟烘、對準曝光、後烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。其主要性能指標...
EUV系統主要由四部分組成,即反射式投影曝光系統、反射式光刻掩模版、極紫外光源系統和能用於極紫外的光刻塗層。其主要成像原理是光波波長為10~14nm的極端遠紫外光波經過周期性多層膜反射鏡投射到反射式掩模版上,通過反射式掩模版反射出...
EUV系統主要由四部分組成,即反射式投影曝光系統、反射式光刻掩模版、極紫外光源系統和能用於極紫外的光刻塗層。其主要成像原理是光波波長為10~14nm的極端遠紫外光波經過周期性多層膜反射鏡投射到反射式掩模版上,通過反射式掩模版反射出...
雙重曝光(Double Exposure, DE)是指在光刻膠覆蓋的晶片上分別進行兩次曝光。兩次曝光是在同樣的光刻膠上進行的,但使用不同的掩模版。工藝流程 兩次曝光之後,晶片做烘烤和顯影。工藝流程簡寫為:光刻膠旋塗-曝光1-曝光2-顯影-刻蝕(...
系統簡介 以襯底上金屬連線的刻蝕為例講解光刻過程。首先,通過金屬化過程,在矽襯底上布置一層僅數納米厚的金屬層。然後在這層金屬上覆上一層光刻膠。這層光阻劑在曝光(一般是紫外線)後可以被特定溶液(顯影液)溶解。使特定的光波...
SEMATECH則購買Exitech公司的曝光機開展針對掩模光膠、膠的處理工藝、勻膠顯影軌道系統、膠的刻蝕性能和相關測量技術等方面的研究。極紫外曝光 歐洲和日本諸公司正在研究 1997年由Intel、AMD、Micron、Motorola、SVGL、USAL、ASML組成極紫外...
電子束投影方式與光刻過程類似,是將掩模版上的圖形轉換成襯底表面介質的圖形的過程。操作 寫場校準 寫場的校準是電子束曝光工藝中的關鍵一步,寫場校準決定了曝光圖像的精確度。對寫場的調節本質上是使系統電子束的偏轉與樣品曝光位置...
勻膠顯影機和光刻機一般都是在線上作業的,晶圓通過機械手在各單元和機器之間傳送。整個曝光顯影系統是封閉的,晶圓不直接暴露在周圍環境中,以減少環境中有害成分對光刻膠和光化學反應的影響。該過程使用了對紫外光敏感的化學物質,即遇...