光刻工藝工程師是專業技術人員。
基本介紹
- 中文名:光刻工藝工程師
- 外文名:lithography process engineer
光刻工藝工程師是專業技術人員。
光刻工藝工程師是專業技術人員。從積體電路製造中各部門的分工來說,光刻是為工藝集成(process intergration)服務的。最直接支持工藝集成的是光刻工藝工程師(lithography process engin...
進廠後,他致力於光刻工藝的研究,採用直接光刻工藝代替機械掩模蒸發工藝,進行分步光刻選擇刻蝕來形成薄膜無源網路,其最小間距或頻寬可達10um左右,使集成度大大提高,適用於大批量生產,為後來的高尖端新產品的研製和生產奠定了基礎。曾...
DTCO(design technology co-optimization)的核心就是設計工程師與光刻工程師共同協作,尋找最佳的設計和光刻工藝方案。這個方案要既能滿足器件性能的要求,又能在Fab里實現。以金屬層為例,介紹一種基於標準單元的DTCO方法。在製造掩模之前...
工程師不得不使用已有的193nm浸沒式光刻機從事32nm至10nm邏輯器件光刻工藝的研發[1]。這時,光刻工藝解析度的提高完全依賴於所謂的解析度增強技術,包括最佳化光照條件使得圖形的解析度達到最佳、光學鄰近效應修正和添加曝光輔助圖形。2010年左右...
DCD)測量、刻蝕、刻蝕後圖形線寬(FCD)測量之後,被送去做亮場檢測。套用 FEM、PWC、PWQ方法都可以用來確定曝光的最佳能量與最佳聚焦值。在32nm以下,光刻工藝視窗越來越小。一般要求光刻工程師同時使用這三種方法來確定最佳工藝條件。
光刻工藝視窗的確定 光刻工程師要保證對掩模上所有的圖形都有足夠的工藝視窗。通常的做法是首先做焦距能量矩陣FEM (Focus Energy Matrix, FEM),找出最佳曝光能量和聚焦值,並使用FEM數據做工藝視窗分析。FEM的做法即曝光時,沿晶圓X方向...
如何控制套刻精度是光刻中公認的技術難點,本書有一章專門討論曝光對準系統和控制套刻精度的方法。另外,本書特別介紹新光刻工藝研究的方法論、光刻工程師的職責,以及如何協調各方資源保證研發進度。圖書目錄 前言 第1章光刻技術概述 第...
在圖1中方框的引導下,光刻工藝工程師可以用電鏡一步一步找到測量的位置。另外,圖1中還標出所要測量的圖形在曝光區域中的坐標。這個坐標值是以曝光區域左下角為原點(0, 0)的。線上寬測量電鏡(CD-SEM)中輸入坐標值, CD-SEM 的...
在平面器件和單一化圖形的時代,光刻工藝工程師主要擔心兩個指標——CD均勻性和套刻誤差,為了測量這些指標,晶片製造商可能會使用CD-SEM或光學顯微鏡來測量特徵尺寸的CD,套刻誤差則由單獨的測量工具進行測量。接著把CD均勻性和套刻誤差...