工藝視窗的再驗證

工藝視窗的再驗證是為了更好地迴避晶圓之間工藝參數的漲落對確定工藝視窗的影響，可以在同一片晶圓上改變曝光能量和聚焦度，再用缺陷檢測的方法來確定最佳曝光條件。

基本介紹

• 中文名：工藝視窗驗證
• 外文名：process window qualification
• 所屬學科：科學技術+數字電路

原理

工藝視窗驗證（PWQ）與工藝視窗檢測的流程類似，晶圓在完成曝光、光刻膠線寬（DCD）測量、刻蝕、刻蝕後圖形線寬（FCD）測量之後，被送去做亮場檢測。

套用

FEM、PWC、PWQ方法都可以用來確定曝光的最佳能量與最佳聚焦值。在32nm以下，光刻工藝視窗越來越小。一般要求光刻工程師同時使用這三種方法來確定最佳工藝條件。