俄歇電子能譜術(Auger electron spectroscopy)是2019年公布的冶金學名詞,出自《冶金學名詞》第二版。
基本介紹
- 中文名:俄歇電子能譜術
- 外文名:Auger electron spectroscopy
- 所屬學科:冶金學
- 公布時間:2019年
俄歇電子能譜術(Auger electron spectroscopy)是2019年公布的冶金學名詞,出自《冶金學名詞》第二版。
俄歇電子能譜術 俄歇電子能譜術(Auger electron spectroscopy)是2019年公布的冶金學名詞,出自《冶金學名詞》第二版。定義 通過入射電子束和物質作用激發俄歇電子進行元素分析的一種電子能譜法,是最重要的表面分析工具之一。能檢測除氫(H)、氦(He)以外所有元素,對輕元素尤為靈敏。出處 《冶金學名詞》第二版。
歐傑電子能譜術也稱俄歇電子能譜儀(Auger electron spectroscopy,簡稱AES),是一種表面科學和材料科學的分析技術。因此技術主要藉由俄歇效應進行分析而命名之。這種效應系產生於受激發的原子的外層電子跳至低能階所放出的能量被其他外層電子吸收而使後者逃脫離開原子,這一連串事件稱為俄歇效應,而逃脫出來的電子稱為...
電子能譜分析是研究和探索物質“表面科學”最直觀和最有效的方法。類型 根據所採用的激發源的不同,電子能譜分析主要可分為以下兩大類:一是光電子能譜(簡稱PES);二是以電子束作激發源去照射樣品,測量樣品所發射出的俄歇電子能量,稱為俄歇電子能譜(簡稱AES)。1、光電子能譜 以一定能量的X射線或光(如...
俄歇電子能譜儀,是根據分析俄歇電子的基本特性所得到材料有關表層化學成分的定性或定量信息的儀器。主要套用於表層輕微元素分析。今年來,由於超高真空( Pa)和能譜檢測技術的發展,俄歇譜儀作為一種極為有效的表面分析工具,為探索和澄清許多涉及表面現象的理論和工藝問題,做出了十分可貴的貢獻,日益受到人們的普遍...
俄歇電子能譜[學]俄歇電子能譜[學]是1993年全國科學技術名詞審定委員會公布的電子學名詞。公布時間 1993年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《電子學名詞》。
俄歇電子能譜(AES)具有很高的表面靈敏度,其檢測深度約為3~10原子單層(0.4nm~5nm),檢測極限為10原子濃度,空間解析度可達到4nm,可用於分析除氫和氦以外(Li-U)元素的定性、定量分析,廣泛用於材料的表面化學分析。因此,制定了國家標準《印刷線路板表面污染物分析—俄歇電子能譜》(GB/T 36504-2018)。
對檢測輕重元素都相當有效。用X射線作為激發源的電子能譜,稱為X光電子能譜。此外,用紫外光作為激發源的稱為紫外光電子能譜,它特別適用於外層電子的激發,能獲得直接反映分子特徵的價層光電子能譜。用電子射線槍作為激發源的稱為俄歇(Auger)電子能譜,它對檢測原子序數小於33以下的輕元素有較高的靈敏度。
俄歇電子能譜術元素鑑定方法 《俄歇電子能譜術元素鑑定方法》是1994年7月1日實施的一項行業標準。備案信息 備案號:0 021-1994
試驗中,作為探針的光子的參量是已知的,而檢測電子所帶的信息包括其能量分布、角度分布和自旋特性,確定這些信息與樣品成分的關係就可以分析樣品的成分。按探針光子的能量,PES可以分為兩類:X射線光電子譜(XPS),能量範圍為100eV~10keV;紫外線電子譜(UPS)能量範圍為10eV~40eV。俄歇電子能譜儀 電子束轟擊材料...
電子收集透鏡(提高電子收集率,從而提高譜圖質量)電子能量分析儀(記錄不同能量的光電子的數目)離子槍或團簇槍(通過離子濺射或團簇濺射去除表面污染或做深度剖析)樣品台及其操控裝置 此外,部分商業化設備還可根據客戶要求加裝:俄歇電子能譜(Auger Electron Spectroscopy, AES);拉曼光譜(Raman Spectra);真空斷裂...
掃描俄歇電子能譜[學]掃描俄歇電子能譜[學](scanning auger electron spectroscopy,saes,scanning auger electron spectroscopy,saes)是1993年公布的電子學名詞。公布時間 1993年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《電子學名詞》
嚴格的講,光電子能譜應該用電離體系M+的多電子態方法來解釋,比用中性體系M的已占單電子態(軌道)為好。分類 根據光源的不同,光電子能譜可分為:1、紫外光電子能譜UPS(Ultroviolet Photoelectron Spectrometer);2、X射線光電子能譜XPS(X-Ray Photoelectron Spectrometer )3、俄歇電子能譜AES(Auger Electron ...
《矽酸鹽中微顆粒鐵的化學態測定—俄歇電子能譜法》是2019年6月1日實施的一項中國國家標準。編制進程 2018年7月13日,《矽酸鹽中微顆粒鐵的化學態測定—俄歇電子能譜法》發布。2019年6月1日,《矽酸鹽中微顆粒鐵的化學態測定—俄歇電子能譜法》實施。起草工作 主要起草單位:清華大學、中國科學院地球化學研究所...
俄歇電子動能是2016年全國科學技術名詞審定委員會公布的化學名詞。定義 所涉及的某元素內層電離軌道w、弛豫軌道x及出射俄歇電子軌道y三者能量之差。可用式表示,其中“*”號代表激發態時軌道能量。俄歇電子動能是俄歇電子能譜法定性分析的依據。公布時間 2016年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《化學名詞...
《金屬表面定量俄歇電子能譜理論研究》是依託中國人民解放軍國防科技大學,由袁建民擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 由於新光源技術的發展,如同步輻射光的套用對俄歇電子的研究又注入了新的活力。本項目致力於發展一個統一處理固體表面俄歇電子發射的理論、計算方法和程式。理論的建立將基於基本的物質電子結構理論,...
《光電子和俄歇能譜學》是1983年科學出版社出版圖書,作者是(美)卡爾森(T.A.Carlson)。內容簡介 本書主要討論電子能譜學的三個主要方面——UV、X射線和Auger電子能譜學的主要成就和潛力.書中對電子能譜學的基本原理做了深刻全面的闡述,並收集了大量文獻及數據.圖書目錄 目錄 第一章 導論 第二章 儀器和實驗...
俄歇電子能譜分析方法通則 《俄歇電子能譜分析方法通則》是一本圖書
俄歇電子能譜術語深度剖析標準導則 《俄歇電子能譜術語深度剖析標準導則》是1994年06月01日實施的一項行業標準。備案信息 備案號:0063-1994。
俄歇信號強度 俄歇信號強度(Auger signal intensity)是2016年公布的化學名詞。定義 (1)俄歇電子能譜通常以俄歇微分譜的峰-峰值表示俄歇信號強度。(2)對於X射線激發俄歇電子則以扣除本底後俄歇譜峰所覆蓋的面積表示俄歇信號強度。俄歇信號強度是定量分析的依據。出處 《化學名詞》第二版。
X射線光電子能譜技術(XPS)是電子材料與元器件顯微分析中的一種先進分析技術,而且是和俄歇電子能譜技術(AES)常常配合使用的分析技術。由於它可以比俄歇電子能譜技術更準確地測量原子的內層電子束縛能及其化學位移,所以它不但為化學研究提供分子結構和原子價態方面的信息,還能為電子材料研究提供各種化合物的元素組成...
俄歇電子能譜分析 俄歇電子能譜分析, 用電子束 (或X射線)轟擊試樣表面,使其表面原子內層能級上的電子被擊出而形成空穴,較高能級上的電子填補空穴並釋放出能量,這一能量再傳遞給另一電子,使之逸出,最後這個電子稱為俄歇電子。1925年法國的P.V.俄歇首先發現並解釋了這種二次電子,後來被人們稱為俄歇電子,...
俄歇電子譜常被用來分析和鑑定固體表面的吸附層、雜質偏析及催化機制研究等。光電子能譜(XPS或UPS) 用X射線或紫外線入射到固 體表面,表面原子的內層電子吸收入射光子的能量後逸出表面成為自由電子,這實際上是一種光電效應。光電子可來源於原子的不同殼層,其動能包含了原子內層電子所處能量狀態的信息。光電子數按...
儀器採用1.33×(10~10)帕超高真空技術,減少試樣的污染,配備微型電子計算機控制操作及處理數據,提高了儀器的自動化程度和圖像質量。配備電影攝影機或電視錄像機,可連續記錄試樣微觀結構的變化情況。掃描俄歇電子顯微術(SAM) 由掃描電鏡分析技術和俄歇電子能譜分析技術結合而成的微觀結構分析技術。俄歇電子的能量和...
《表面分析技術》是2020年中山大學出版社出版的圖書。內容簡介 本書介紹表面分析主要技術,包括俄歇電子能譜、X射線光電子能譜、二次離子質譜、低能粒子散射和盧瑟福背散射技術、表面分子振動光譜技術以及擴展X射線吸收精細結構和掃描隧道顯微技術、原子力顯微技術等。本書主要闡述上述表面分析技術的基本原理和實用樣品實例...
X光電子能譜:是電子材料 與元器件顯微分析中的一種先進分析技術,而且是和俄歇電子能譜技術(AES)常常配合使用的分析技術。由於它可以比俄歇電子能譜技術更準確地測量原子的內層電子束縛能及其化學位移,所以它不但為化學研究提供分子結構和原子價態方面的信息,還能為電子材料研究提供各種化合物的元素組成和含量、 ...
低能電子衍射儀已達到的水平是:①原胞的面積限於25埃2左右;②平行於表面每一層的一個原胞中,原子的數目不能超過4;③表面原子三維坐標的計算:垂直於表面的精度等於或略優於 0.1埃(相當於原子在室溫時的振動幅度);平行於表面的精度約為0.2埃。俄歇電子譜 根據式(1),俄歇電子的能量EA與固體的三個能級...
俄歇電子譜 (AES)利用涉及三個能級的過程來確認原子,基本過程如圖4所示。用能量在3~5keV的電子束e入射到晶體表面,把處於A能級某一芯態電子激發到體外,較高能級B的電子可通過無輻射複合過程填滿空穴,並把多餘的能量用來激發處於 C能級的另一個電子。通過測量這些逸出電子的數目隨能量變化的信息可以識別元素。圖4...
顯然,入射電子由於產生標識X射線而損失一定能量(圖2a、b),可見電子能量損失譜和X射線能譜有著密切關係。俄歇電子譜 圖2中所描述的K電子復位所釋放出來的能量-,除了產生K輻射這種可能性外,還有一種可能性是繼續產生電離,使另一核外電子脫離原子變成二次電子。如->,這就有可能使L、L、M、N層以及導帶V上的...
形貌分析技術包括掃描電子顯微鏡SEM、掃描透射電子顯微鏡STEM、掃描隧道顯微鏡STM及原子力顯微鏡AFM。成分分析技術主要包括特徵電子能譜(俄歇電子能譜AES和X射線光電子能譜XPS)、特徵X射線能譜(電子探針EDS)、螢光X射線能譜XRFS及光譜分析(原子光譜、分子光譜等)。其他分析技術簡要介紹熱分析技術,包括熱重分析TGA、...