《低維電子材料及其納米器件的原位電輸運表征》是依託北京大學,由陳劍豪擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名:低維電子材料及其納米器件的原位電輸運表征
- 依託單位:北京大學
- 項目負責人:陳劍豪
- 項目類別:面上項目
《低維電子材料及其納米器件的原位電輸運表征》是依託北京大學,由陳劍豪擔任項目負責人的面上項目。
《低維電子材料及其納米器件的原位電輸運表征》是依託北京大學,由陳劍豪擔任項目負責人的面上項目。項目摘要新型低維電子材料、低維電子態和人工製造的納米結構由於其奇異的空間受限的量子態、遠遠超出塊體材料的可調控性和廣闊的套用前...
結合第一性原理計算邊緣的原子排布構型以及能帶結構、態密度和電子局域函式等電特性,構建邊緣導電模型,通過精確控制其表面原子和邊緣原子的比例,研究其表面輸運和邊緣輸運特性,以及表面態-邊緣態耦合對材料電輸運性質的影響,建立基於邊緣導電的低維Bi2Te3納米結構電輸運機制的理論模型,為基於器件功能的輸運特性調...
《超高真空原位電子輸運測量系統》是依託北京大學,由陳劍豪擔任項目負責人的專項基金項目。項目摘要 開發新型高性能電子材料,製備基於新穎物理原理的電子器件,是我們突破高技術瓶頸、趕超已開發國家的關鍵。 新型低維電子材料、低維電子態和人工製造的納米結構由於其奇異的空間受限的量子態、優異的性能和廣闊的套用前景受到...
第5章 低維材料的性質 130 5.1 力學性質 130 5.1.1 彈性變形 131 5.1.2 塑性變形 132 5.1.3 斷裂韌性 132 5.2 電學性質 133 5.2.1 電學界面 134 5.2.2 電子輸運 135 5.2.3 離子輸運 137 5.3 磁學性質 138 5.3.1 磁性耦合 139 5.3.2 磁性調控 141 5.4 熱學...
1. 一維複合納米結構的製備、表征及電輸運性質研究(國家自然科學基金委,在研)。 2. 二氧化鈦納米陣列的光電化學分解水性能研究。長沙市科技局,重點研發計畫(kq1901089),2019.01-2020.12。3. 金屬氧化物準一維納米結構阻變機制與憶阻性能調控研究。國家自然科學基金面上項目(11574081),2016.01-2019.12。
物理電子學研究所現有三個研究方向:(1)納電子材料及相關器件物理與化學。(2)納米結構的加工、表征和物性測量。(3)低維結構的電子態理論和輸運。主要成果 近10年來,全所承擔國家科技部973項目3項,另外承擔863項目、國家自然科學基金項目等100餘項,發表SCI 收錄論文200餘篇,目前在研項目經費1000餘萬,在高性能...
我們圍繞界面摻雜氧化鋅納米線的界面高分辨表征方法學,激子複合與弛豫動力學,界面電子氣量子輸運行為的規律與機制這三個關鍵科學問題開展研究。提出並發展了界面摻雜氧化鋅納米線的氣相多步生長及其界面原位調控技術,設計並製備出具有同質和異質界面夾心結構的核殼型氧化鋅納米線;系統地表征了界面摻雜氧化鋅納米線中的...
⑤ 針對決定Seebeck係數的介觀聲子輸運過程,我們發展了分子動力學模型和力學模型,使其能模擬預測數百納米到數百微米結構的聲子限域行為,在矽納米線、念珠裝矽線等結構中,該方法得到驗證。⑥ 將石墨烯流電耦合性能與其他低維材料結合,製作了具有自供能、自驅動、自癒合特點的石墨烯流體感測和應變感測器件。項目期間...
實現功能:在低溫和高磁場條件下的電子輸運測量,同時實現對低維電子器件表面的精確原位控制,將來會增加在連續超高真空條件下的分子束外延材料生長和器件製造,以及可在原位輸運測量中同時運行的掃描探針系統。實驗內容:低維納米電子材料和器件的物性研究,具體包括:(1)石墨烯及其與其他材料複合結構的量子輸運性質表征...
(13) 硫化銀納米離子導體電阻開關過程的原位透射電鏡實時高分辨表征,Real-Time In Situ HRTEM-Resolved Resistance Switching of Ag2S Nanoscale Ionic Conductor,ACS Nnao,2010,通訊作者 (14) 具有確定手性指數的雙壁碳納米管電輸運性質,Chirality-Dependent Transport Properties of Double-Walled Nanotubes Measu...
基於結構調控的多元低維半導體光、電行為最佳化研究 邵偉 博士 2019年 二維金屬硫/氧化物的可控制備及其光還原二氧化碳性能的研究 焦星辰 博士 2018年 無機固體材料自旋相關電輸運行為及其電催化析氧套用 童贇 博士 2018年 表面原子尺度修飾二維納米材料與催化套用 李曉港 博士 2018年 表界面化學調控低維鈷基材料電催化...
2. 國家自然科學基金委重點項目,AlGaN基量子結構材料及其大功率深紫外光源;3. 國家自然科學基金委重點專項,強磁場下半導體/磁性材料異質結構外延及原位自旋相關輸運檢測系統;4. 科技部-973計畫課題,AlGaN基UV發光材料及其器件套用;5.科技部-863計畫項目,GaN基半導體材料設計與關鍵外延技術開發;6. 福建省教育廳...
主要從事自旋電子材料的顯微結構表征,低維人工結構材料(包括磁性量子點、磁性納米線以及磁性超薄膜)的磁性及其自旋結構表征,磁性金屬/半導體異質結構以及半導體自旋電子學,過渡金屬氧化物(單晶、多晶和薄膜)與巨磁電阻材料的結構、自旋相關輸運,稀土永磁薄膜以及稀土-過渡族化合物的結構、磁性和磁熵變,掃描隧道隧道...
主要為基於第IV族半導體的新型電子、光電、磁性自旋電子材料的合成與生長機制研究、結構表征、微納器件設計與製備、以及磁電光等物性測量與計算機模擬研究。所採用的主要實驗方法包括PLV、PVD、MPCVD、高解析度透射電鏡(HRTEM)、EDS、SEM、PL、SQUID和磁電輸運等技術,同時亦運用密度泛函進行相關材料設計與計算模擬工作。
最近有人在磁性半導體異質結構( 含有磁性離子 M 的 ZnSe/ ZnCaSe 量子阱)中,研究了激子的自旋行為,對載流子的擴散和激子輸運行為作出系統研究。近場光譜在研究量子點、納米晶體、表面缺陷與位錯、納米量子球及多孔矽等方面將發揮其獨特的作用。高密度信息存儲 提高信息存儲密度是科研與工業界極為關注的重大問題。目...