《低溫柔性基底上的薄膜電晶體研究》是依託北京大學，由張盛東擔任負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：低溫柔性基底上的薄膜電晶體研究
- 項目負責人：張盛東
- 項目類別：面上項目
- 依託單位：北京大學
- 批准號：60876048
- 申請代碼：F0403
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2009-01-01 至 2011-12-31
- 支持經費：34（萬元）
項目摘要
柔性電子學是目前國際上最熱門的前沿研究領域之一。低溫柔性基底上的薄膜電晶體（TFT）技術是柔性電子學的核心技術之一。本項目以金屬氧化物半導體氧化鋅（ZnO）為功能材料，進行可套用於塑膠基底的超低溫（150 C以下）薄膜電晶體的製作和性能研究。主要研究內容有（1）有源層的低溫製備方法和特性研究，（2）柵介質層材料的低溫製備和特性研究，（3）柵電極材料低溫製備和特性研究，（4）源漏電極材料製備和接觸特性研究，（5）器件結構研究。通過研究可望獲得（1）低溫塑膠基底上採用射頻磁控濺射和直流反應磁控濺射兩種技術製備高性能ZnO薄膜的方法；（2）頂柵結構和底柵結構ZnO－TFT性能的全面比較結果，給出兩種結構器件優缺點的權威結論；（3）一種新的適用於ZnO薄膜的大面積低溫摻雜技術。（4）一套完整的低溫下高性能ZnO-TFT的製備方法。
